epc gan fet 文章 進(jìn)入epc gan fet技術(shù)社區(qū)
學(xué)好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET
- 導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間的物質(zhì) - 半導(dǎo)體 硅和鍺是位于銀、鋁等導(dǎo)體和石英、陶瓷等絕緣體之間，用于制造半導(dǎo)體器件的原材料，具有一定電阻率。不同的物質(zhì)其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動(dòng)的電子量不同引起的。這種可移動(dòng)電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質(zhì)來改變自由電子的數(shù)量，并可控制電流動(dòng)的物質(zhì)稱為半導(dǎo)體。 根據(jù)電流流動(dòng)的構(gòu)造，可將半導(dǎo)體分為N型和P型兩類。 半導(dǎo)體的電流流通原理 (1) N型半導(dǎo)體 圖1是在硅晶
- 關(guān)鍵字： 嵌入式系統(tǒng) FET
諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL)，都是
- 關(guān)鍵字： GaN LED
諾貝爾獎(jiǎng)后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)
- 當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。 比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL)，都
- 關(guān)鍵字： GaN 藍(lán)光LED
EPC與ASD公司建立增值合作伙伴關(guān)系，加速基于氮化鎵技術(shù)的無線電源解決方案的上市進(jìn)程
- 總部位于美國洛杉磯市、開發(fā)替代MOSFET技術(shù)的氮化鎵(eGaN)技術(shù)的宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC) 與總部位于香港的創(chuàng)徽科技有限公司(ASD)宣布攜手合作，共創(chuàng)新里程，針對客戶的目標(biāo)應(yīng)用,利用最新的eGaN技術(shù)為客戶提供最佳的解決方案。 EPC公司是研發(fā)氮化鎵技術(shù)和制造氮化鎵器件的領(lǐng)導(dǎo)廠商。具備優(yōu)越性能的氮化鎵場效應(yīng)晶體管(eGaN®FET)及集成電路在各種終端應(yīng)用中可以替代日益老化的MOSFET技術(shù)，包括DC/DC轉(zhuǎn)換器、無線電源傳輸、包絡(luò)跟蹤、射頻傳輸、功率逆變器、遙距感測技術(shù)及D類
- 關(guān)鍵字： EPC ASD
臺(tái)積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)
- 臺(tái)灣臺(tái)積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍(lán)圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。 臺(tái)積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型：(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。 其中，耐壓650V的常關(guān)
- 關(guān)鍵字： 臺(tái)積電 GaN
Qorvo 新款GaN 50V 晶體管可大幅提升系統(tǒng)功率性能
- 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國防等應(yīng)用中領(lǐng)先的RF解決方案供應(yīng)商Qorvo, Inc.今日宣布，推出六款全新50V氮化鎵(GaN)晶體管---QPD1009和QPD1010，以及QPD1008(L)和QPD1015(L)，專門設(shè)計(jì)用于優(yōu)化商業(yè)用雷達(dá)、通信系統(tǒng)及航空電子應(yīng)用的功率性能。 Qorvo 國防與航空航天產(chǎn)品總經(jīng)理Roger Hall表示：“全新50V GaN晶體管系列通過提供更高功率增益和功率附加效率來提升系統(tǒng)性能。Qorvo可以更好地實(shí)現(xiàn)相位陣列雷達(dá)等先進(jìn)設(shè)備的要求，提供
- 關(guān)鍵字： Qorvo GaN
基于GaN FET的CCM圖騰柱無橋PFC
- 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)由于其出色的開關(guān)特性和不斷提升的品質(zhì)，近期逐漸得到了電力轉(zhuǎn)換應(yīng)用的青睞。具有低寄生電容和零反向恢復(fù)的安全GaN可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)頻率和效率，從而為全新應(yīng)用和拓?fù)溥x項(xiàng)打開了大門。連續(xù)傳導(dǎo)模式 (CCM)圖騰柱PFC就是一個(gè)得益于GaN優(yōu)點(diǎn)的拓?fù)?。與通常使用的雙升壓無橋PFC拓?fù)湎啾?，CCM圖騰柱無橋PFC能夠使半導(dǎo)體開關(guān)和升壓電感器的數(shù)量減半，同時(shí)又能將峰值效率推升到95%以上。本文分析了AC交叉區(qū)域內(nèi)出現(xiàn)電流尖峰的根本原因，并給出了相應(yīng)的解決方案。一個(gè)750W圖騰柱PFC原型機(jī)被
- 關(guān)鍵字： GaN PFC
TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉(zhuǎn)換效能
- 基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗(yàn)，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應(yīng)晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅(qū)動(dòng)器的GaN解決方案的半導(dǎo)體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉(zhuǎn)換控制器組合在一起，能使設(shè)計(jì)人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設(shè)計(jì)。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計(jì)算和可再生能源應(yīng)用中都特別重要。如需了解更多信息
- 關(guān)鍵字： TI GaN
安森美半導(dǎo)體推進(jìn)更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
- 氮化鎵(GaN)是一種新興的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導(dǎo)體材料，用于電源系統(tǒng)的設(shè)計(jì)如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關(guān)DC-DC、各種終端應(yīng)用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務(wù)器及通信電源等，可實(shí)現(xiàn)硅器件難以達(dá)到的更高電源轉(zhuǎn)換效率和更高的功率密度水平，為開關(guān)電源和其它在能效及功率密度至關(guān)重要的應(yīng)用帶來性能飛躍?！ aN的優(yōu)勢 從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關(guān)過程的反向恢復(fù)時(shí)間可忽略不計(jì)
- 關(guān)鍵字： 安森美 GaN
基于EPC的eGaN FET、采用高頻同步自舉拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，工作頻率可高達(dá)15 MHz的半橋式開發(fā)板
- EPC公司的全新開發(fā)板可以被配置為一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS?D類放大器，展示出基于eGaN?FET、采用同步自舉電路的柵極驅(qū)動(dòng)器在高頻工作時(shí)可以減少損耗?！ ∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司(EPC)推出EPC9066、EPC9067及EPC9068開發(fā)板，可以被配置為一個(gè)降壓轉(zhuǎn)換器或ZVS?D類放大器。這些開發(fā)板專為功率系統(tǒng)設(shè)計(jì)師而設(shè)，對氮化鎵晶體管的優(yōu)越性能進(jìn)行評估方面提供了簡易方法，使得設(shè)計(jì)師的產(chǎn)品可以快速量產(chǎn)。三塊開發(fā)板都配備了具有零QRR、同步自舉整流器的柵極驅(qū)動(dòng)器，從而在高達(dá)1
- 關(guān)鍵字： EPC EPC9066
宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）的可靠性測試報(bào)告記錄了超過170億小時(shí)測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結(jié)果表明器件的失效率很低
- EPC公司的第七階段可靠性報(bào)告表明eGaN?FET非?？煽?，為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！ ∫似针娫崔D(zhuǎn)換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報(bào)告，展示出在累計(jì)超過170億器件-小時(shí)的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結(jié)果，以及提供在累計(jì)超過700萬器件-小時(shí)的應(yīng)力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應(yīng)力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報(bào)告提供受測產(chǎn)品的復(fù)合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個(gè)數(shù)值與我們直至目前為止所取得
- 關(guān)鍵字： 宜普電源 FET
英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(SheffieldUniversity)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。 相較于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍(lán)位移隨著驅(qū)動(dòng)電流增加而
- 關(guān)鍵字： GaN LED
英國專家用半極性GaN生長高效益LED
- 英國雪菲爾大學(xué)(Sheffield University)的一支研究團(tuán)隊(duì)最近在《應(yīng)用物理學(xué)快報(bào)》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍(lán)寶石基材上生長LED的最新成果。 利用在M-Plane藍(lán)寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED?！ ∠噍^于在C-Plane藍(lán)寶石基板上生長的商用LED，該研究團(tuán)隊(duì)在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
- 關(guān)鍵字： GaN LED
波音和通用實(shí)驗(yàn)室研發(fā)出GaN CMOS場效應(yīng)晶體管
- 由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實(shí)驗(yàn)室-HRL實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)宣布其實(shí)現(xiàn)互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)FET技術(shù)的首次展示。該研究結(jié)果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報(bào)上。 在此過程中，該實(shí)驗(yàn)室已經(jīng)確定半導(dǎo)體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉(zhuǎn)換電路的備選技術(shù)鋪平了道路。 氮化鎵晶體管在電源開關(guān)和微波/毫米波應(yīng)用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉(zhuǎn)換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
- 關(guān)鍵字： GaN 場效應(yīng)晶體管
epc gan fet介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條epc gan fet!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對epc gan fet的理解，并與今后在此搜索epc gan fet的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
epc gan fet電路
epc gan fet相關(guān)帖子
epc gan fet資料下載
epc gan fet專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會(huì)員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473