esd-20 文章進(jìn)入esd-20技術(shù)社區(qū)

意法半導(dǎo)體（ST）向美國(guó)證券交易委員會(huì)提交2014年度Form 20-F報(bào)告

　　橫跨多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體供應(yīng)商意法半導(dǎo)體(STMicroelectronics，簡(jiǎn)稱(chēng)ST)宣布已于2015年3月3日向美國(guó)證券交易委員會(huì)(SEC, Securities and Exchange Commission)提交了截至2014年12月31日的公司年度Form 20-F報(bào)告。投資者可在意法半導(dǎo)體官方網(wǎng)站www.st.com 查看2014年度Form 20-F報(bào)告和審計(jì)完成后的完整財(cái)務(wù)報(bào)告，也可以訪問(wèn)美國(guó)證券交易委員會(huì)網(wǎng)站www.sec.gov查看相關(guān)信息。　　意法半導(dǎo)體為投資
關(guān)鍵字：意法半導(dǎo)體 Form 20-F

電路設(shè)計(jì)中如何防止靜電放電?

　　我們的手都曾有過(guò)靜電放電(ESD)的體驗(yàn)，即使只是從地毯上走過(guò)然后觸摸某些金屬部件也會(huì)在瞬間釋放積累起來(lái)的靜電。我們?cè)S多人都曾抱怨在實(shí)驗(yàn)室中使用導(dǎo)電毯、ESD靜電腕帶和其它要求來(lái)滿足工業(yè)ESD標(biāo)準(zhǔn)。我們中也有不少人曾經(jīng)因?yàn)榇中拇笠馐褂梦词鼙Ｗo(hù)的電路而損毀昂貴的電子元件。　　對(duì)某些人來(lái)說(shuō)ESD是一種挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰谔幚砗徒M裝未受保護(hù)的電子元件時(shí)不能造成任何損壞。這是一種電路設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，因?yàn)樾枰ＷC系統(tǒng)承受住ESD的沖擊，之后仍能正常工作，更好的情況是經(jīng)過(guò)ESD事件后不發(fā)生用戶可覺(jué)察的故障。　　與人
關(guān)鍵字： ESD

CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理與要求

　　ESD(靜電放電)是CMOS電路中最為嚴(yán)重的失效機(jī)理之一，嚴(yán)重的會(huì)造成電路自我燒毀。論述了CMOS集成電路ESD保護(hù)的必要性，研究了在CMOS電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)原理，分析了該結(jié)構(gòu)對(duì)版圖的相關(guān)要求，重點(diǎn)討論了在I/O電路中ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)要求。　　1 引言　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展，CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的
關(guān)鍵字： ESD CMOS

電子、等離子及液晶等顯示屏的經(jīng)典應(yīng)用案例匯總，軟硬件協(xié)同

　　顯示器通常也被稱(chēng)為監(jiān)視器。顯示器是屬于電腦的I/O設(shè)備，即輸入輸出設(shè)備。它可以分為CRT、LCD等多種。它是一種將一定的電子文件通過(guò)特定的傳輸設(shè)備顯示到屏幕上再反射到人眼的顯示工具。本文為大家介紹電子顯示屏、等離子顯示屏、液晶顯示屏及硅基液晶顯示屏的經(jīng)典應(yīng)用案例，供大家參考。　　藍(lán)牙無(wú)線顯示屏系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案　　本文介紹一種藍(lán)牙無(wú)線顯示屏系統(tǒng)的設(shè)計(jì)方案。使用藍(lán)牙技術(shù)可以短距離無(wú)線控制顯示終端，實(shí)現(xiàn)圖像和字符數(shù)據(jù)的無(wú)線傳輸和顯示，免去了有線連接所帶來(lái)的缺陷，可以應(yīng)用在多種領(lǐng)域。　　基于觸摸顯示
關(guān)鍵字： EMI ESD

TE Connectivity的PolyZen YC系列器件為消費(fèi)電子產(chǎn)品提供集成式保護(hù)功能

　　TE Connectivity旗下業(yè)務(wù)部門(mén)TE電路保護(hù)部現(xiàn)在提供全新PolyZen YC器件系列，這些器件提供了一種集成式方法幫助保護(hù)平板電腦、機(jī)頂盒、硬盤(pán)和DC電源端口等消費(fèi)電子產(chǎn)品，避免靜電放電(ESD)和其它可能危害應(yīng)用并且導(dǎo)致安全和保修問(wèn)題之電氣過(guò)壓事件引起的損壞。全新PolyZen ZEN056V230A16YC和ZEN056V260A16YC器件在緊湊的(4.0mm x 5.0mm x 1.2mm)封裝中結(jié)合了一個(gè)精密齊納二極管和可自恢復(fù)PolySwitch聚合物正溫度系數(shù)(PPTC)器件
關(guān)鍵字： TE Connectivity PolyZen ESD

付出正確的電路保護(hù)費(fèi)

　　摘要：本文通過(guò)采用合適的過(guò)電流和過(guò)電壓保護(hù)元件，生產(chǎn)商可保證其產(chǎn)品成為用戶生活不可或缺的一部分。選擇正確的保護(hù)元件也保證了各應(yīng)用產(chǎn)品符合安全和功能因素相關(guān)的規(guī)章條例的要求。　　許多用戶都沒(méi)有意識(shí)到他們自己每天在使用的電子設(shè)備存在著最大的風(fēng)險(xiǎn)。電路保護(hù)是所有電子設(shè)備必有的特性——不論是車(chē)載、家用或是工用電子設(shè)備——因?yàn)橹灰梭w接觸含敏感電子半導(dǎo)體的器件，就會(huì)出現(xiàn)ESD(靜電放電)現(xiàn)象。　　如果周?chē)目諝馓貏e干燥，比如天氣正好非常炎熱或非常寒冷，剛把
關(guān)鍵字：電路保護(hù) ESD TVS 集成電路 HBM 201411

RS-485通信鏈路與電子護(hù)欄

　　摘要：EVAL-CN0313-SDPZ 是業(yè)界首個(gè)EMC兼容RS-485接口設(shè)計(jì)工具，可提供針對(duì)IEC61000-4-2 ESD、IEC61000-4-4 EFT和IEC61000-4-5電涌的四級(jí)保護(hù)。工程師可在設(shè)計(jì)周期之初考慮EMC問(wèn)題，從而降低該問(wèn)題導(dǎo)致的項(xiàng)目延誤風(fēng)險(xiǎn)。　　1 有關(guān)RS485 EMC魯棒性的演示　　在工業(yè)與儀器儀表應(yīng)用(I&I)中，常常需要在距離很遠(yuǎn)的多個(gè)系統(tǒng)之間傳輸數(shù)據(jù)。RS-485總線標(biāo)準(zhǔn)是I&I應(yīng)用中使用最廣泛的物理層總線設(shè)計(jì)標(biāo)準(zhǔn)之一。RS-485的
關(guān)鍵字： ADI RS-485 通信鏈路電子護(hù)欄 EMC ESD 201411

實(shí)例解析如何應(yīng)對(duì)LED封裝失效

　　在用到LED燈的時(shí)候最怕的就是LED燈不亮，這個(gè)時(shí)候不要責(zé)怪環(huán)境，不正確的安裝方法、保護(hù)措施和過(guò)高電源是導(dǎo)致燈不亮的重要原因。當(dāng)然很多時(shí)候也是人為因素。這里小編結(jié)合8大實(shí)例來(lái)剖析如何應(yīng)對(duì)LED封裝失效? 　　死燈不亮，不要責(zé)怪環(huán)境，不正確的安裝方法、保護(hù)措施和過(guò)高電源是導(dǎo)致燈不亮的重要原因。　　LED燈　　1) LED散熱不好導(dǎo)致固晶膠老化，層脫，芯片脫落　　預(yù)防措施：焊接時(shí)防止LED懸浮，傾斜。做好LED散熱工作，保證LED的散熱通道順暢。　　2) 過(guò)電流過(guò)電壓沖擊導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)，芯片燒
關(guān)鍵字： LED 封裝 ESD

CMOS電路ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

　　1　引　言　　靜電放電會(huì)給電子器件帶來(lái)破壞性的后果，它是造成集成電路失效的主要原因之一。隨著集成電路工藝不斷發(fā)展， CMOS電路的特征尺寸不斷縮小，管子的柵氧厚度越來(lái)越薄，芯片的面積規(guī)模越來(lái)越大，MOS管能承受的電流和電壓也越來(lái)越小，而外圍的使用環(huán)境并未改變，因此要進(jìn)一步優(yōu)化電路的抗ESD性能，如何使全芯片有效面積盡可能小、ESD性能可靠性滿足要求且不需要增加額外的工藝步驟成為IC設(shè)計(jì)者主要考慮的問(wèn)題。　　2　ESD保護(hù)原理　　ESD保護(hù)電路的設(shè)計(jì)目的就是要避免工作電路成為ESD的放電通路
關(guān)鍵字： CMOS ESD MOS

淺談設(shè)計(jì)PCB時(shí)抗ESD的方法

　　來(lái)自人體、環(huán)境甚至電子設(shè)備內(nèi)部的靜電對(duì)于精密的半導(dǎo)體芯片會(huì)造成各種損傷,例如穿透元器件內(nèi)部薄的絕緣層;損毀MOSFET和CMOS元器件的柵極;CMOS器件中的觸發(fā)器鎖死;短路反偏的PN結(jié);短路正向偏置的PN結(jié);熔化有源器件內(nèi)部的焊接線或鋁線。為了消除靜電釋放(ESD)對(duì)電子設(shè)備的干擾和破壞,需要采取多種技術(shù)手段進(jìn)行防范。　　在PCB板的設(shè)計(jì)當(dāng)中,可以通過(guò)分層、恰當(dāng)?shù)牟季植季€和安裝實(shí)現(xiàn)PCB的抗ESD設(shè)計(jì)。在設(shè)計(jì)過(guò)程中,通過(guò)預(yù)測(cè)可以將絕大多數(shù)設(shè)計(jì)修改僅限于增減元器件。通過(guò)調(diào)整PCB布局布線,能夠很好
關(guān)鍵字： PCB ESD CMOS

TI RS-485 十大設(shè)計(jì)技巧

　　在TI經(jīng)常遇到這樣的問(wèn)題：在使用 RS-485 進(jìn)行設(shè)計(jì)時(shí)，是否有一些技巧或訣竅需要掌握?為此，我們總結(jié)了使用 RS-485 時(shí)需要記住的一系列綜合而全面的重要準(zhǔn)則?！　∪绾螒?yīng)用　　1) 使用圖 A 確定最大線纜長(zhǎng)度　　2) 使用 Zo=120Ω 或 100Ω 的雙絞線線纜　　3) 使用菊花鏈連接總線節(jié)點(diǎn)　　4) 端接 RT1 = Z0 的線纜一端　　在另一端應(yīng)用故障保護(hù)偏置　　端接該端　　5) 您可在相同的總線上運(yùn)行 3V 和 5V 器件?！　?) 使 stub 長(zhǎng)度不超過(guò)　　7) 針對(duì) ± 7V
關(guān)鍵字： TI RS-485 ESD

一種汽車(chē)視頻控制器的ESD仿真分析

本文介紹了適用于汽車(chē)零部件的ESD聯(lián)合仿真方法，可以通過(guò)多級(jí)仿真軟件進(jìn)行聯(lián)合仿真，準(zhǔn)確高效的模擬實(shí)際靜電槍產(chǎn)生的波形和對(duì)測(cè)試零部件的干擾進(jìn)行分析，并能快速找到失效原因和解決方案。
關(guān)鍵字：汽車(chē)電子 EMC PCB ESD TFT 201406

日本發(fā)布新一代直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料技術(shù)

　　近日，日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟(ECOW)宣布開(kāi)發(fā)出了直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法(ESD)”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機(jī)半導(dǎo)體成膜技術(shù)。該聯(lián)盟包括理化學(xué)研究所、崎玉大學(xué)、康奈可、東麗工程、理研風(fēng)險(xiǎn)公司FLOX等共計(jì)8個(gè)團(tuán)體。　　日本發(fā)布新一代直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料技術(shù) 　　ESD兼具真空蒸鍍技術(shù)和涂布技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，可解決這兩項(xiàng)技術(shù)的很多問(wèn)題。在ESD中，噴嘴噴出的顆粒物粒徑非常小，在
關(guān)鍵字：有機(jī)半導(dǎo)體材料 ESD

日本發(fā)布新一代直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料技術(shù)

　　近日，日本新一代涂布型電子元器件技術(shù)研究聯(lián)盟(ECOW)宣布開(kāi)發(fā)出了直接噴涂有機(jī)半導(dǎo)體材料的技術(shù)。新技術(shù)有望成為利用“靜電噴霧沉積法(ESD)”技術(shù)取代真空蒸鍍技術(shù)以及旋涂法和噴墨法等涂布技術(shù)的第三種有機(jī)半導(dǎo)體成膜技術(shù)。該聯(lián)盟包括理化學(xué)研究所、崎玉大學(xué)、康奈可、東麗工程、理研風(fēng)險(xiǎn)公司FLOX等共計(jì)8個(gè)團(tuán)體。　　ESD兼具真空蒸鍍技術(shù)和涂布技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)，可解決這兩項(xiàng)技術(shù)的很多問(wèn)題。在ESD中，噴嘴噴出的顆粒物粒徑非常小，在抵達(dá)陰極前，涂料中的水分基本都蒸發(fā)了，由此能獲得接近
關(guān)鍵字：半導(dǎo)體材料 ESD

多層壓敏電阻

????????·?與傳統(tǒng)產(chǎn)品相比體積減小80%，插入高度僅0.1mm　　·?ESD?脈沖吸收能力提高了50?倍?！　　?替代瞬態(tài)電壓抑制?(TVS)二極管的最佳選擇　　2014年慕尼黑上海電子展產(chǎn)品亮點(diǎn)　　TDK?公司推出了最新研發(fā)的愛(ài)普科斯?(EPCOS)?CeraDiode?系列的多層壓敏電阻，其中包括目前最緊湊、最堅(jiān)固耐用的超薄壓
關(guān)鍵字： ESD 壓敏電阻 TDK