esd-20 文章進(jìn)入esd-20技術(shù)社區(qū)

一個(gè)設(shè)計(jì)問(wèn)題引發(fā)的ESD深思

　　前些時(shí)候?qū)懥穗娮赢a(chǎn)品設(shè)計(jì)方面有關(guān)ESD的短文(詳解PCB板的ESD http://www.ex-cimer.com/article/275810.htm),在文章中總結(jié)了9種在電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)時(shí)使用的防靜電技術(shù)。誠(chéng)然，利用上文中的技術(shù)總結(jié)可以很好的完成一個(gè)設(shè)計(jì)，但是，最近我在產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中碰到了讓人發(fā)狂的問(wèn)題?！　∈紫瓤聪码娮赢a(chǎn)品設(shè)計(jì)原理：　　原理其實(shí)很簡(jiǎn)單，在一塊PCB上有一個(gè)功能模塊，需要上拉至VCC連接至第二塊PCB上，但是兩個(gè)模塊之間需要焊接一導(dǎo)線(xiàn)。在PCB LAYOUT設(shè)計(jì)中，
關(guān)鍵字： PCB ESD

一種基于頻率/電流轉(zhuǎn)換的4～20 mA電路設(shè)計(jì)

摘要：探討了3種實(shí)現(xiàn)4～20 mA電路的方案，比較了其優(yōu)缺點(diǎn);重點(diǎn)介紹了利用LM331實(shí)現(xiàn)頻率/電壓轉(zhuǎn)換;再利用運(yùn)放和三極管構(gòu)成恒流電路，將電壓轉(zhuǎn)換成電流;實(shí)現(xiàn)4～20 mA輸出的頻率/電流轉(zhuǎn)換的工作原理，并且給出了具體器件
關(guān)鍵字： 4～20 mA LM331 頻率/電流信號(hào)轉(zhuǎn)換

幾種應(yīng)用于觸摸感應(yīng)電路的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

電容式觸摸感應(yīng)檢測(cè)按鍵電路是一類(lèi)對(duì)靜電特別敏感的電路，因此靜電放電(ESD)保護(hù)結(jié)構(gòu)的選擇問(wèn)題對(duì)這一類(lèi)電路顯得特別重要。一方面要確保所選擇的ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)有足夠的抗靜電能力，另一方面這種ESD保護(hù)結(jié)構(gòu)又不能使芯
關(guān)鍵字： ESD 可控硅整流器靜電放電

USB 3.1元年，看芯片大廠布局廝殺

包括微軟(Microsoft)、英特爾(Intel)、蘋(píng)果(Apple)紛將2015年新款PC介面全面升級(jí)至USB 3.1規(guī)格，Wintel陣營(yíng)2015年新款PC產(chǎn)品亦將全面采用USB 3.1介面設(shè)計(jì)，國(guó)外芯
關(guān)鍵字： USB 3.1 英特爾 Microsoft ESD

如何對(duì)ESD進(jìn)行靜電屏蔽防護(hù)

對(duì)ESD進(jìn)行防護(hù)的最好方法，是敏感器件進(jìn)行靜電屏蔽和磁場(chǎng)屏蔽，靜電屏蔽可用導(dǎo)電良好的金屬屏蔽片來(lái)阻擋電場(chǎng)力線(xiàn)的傳輸。一般有了靜電屏蔽，磁
關(guān)鍵字：靜電屏蔽防護(hù) ESD

杭州中天微系統(tǒng)加入電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)（ESD）聯(lián)盟

　　杭州中天微系統(tǒng)有限公司，一家來(lái)自中國(guó)杭州的32位嵌入式CPU內(nèi)核的領(lǐng)先供應(yīng)商，今日成為電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)(ESD)聯(lián)盟的成員，享有表決權(quán)。電子系統(tǒng)設(shè)計(jì)(ESD)聯(lián)盟是一家旨在為全球半導(dǎo)體設(shè)計(jì)生態(tài)系統(tǒng)提供商品和服務(wù)的國(guó)際企業(yè)協(xié)會(huì)。　　作為首家加入ESD聯(lián)盟的中國(guó)知識(shí)產(chǎn)權(quán)公司，中天微系統(tǒng)將成為半導(dǎo)體知識(shí)產(chǎn)權(quán)工作組的正式成員，協(xié)助開(kāi)發(fā)知識(shí)產(chǎn)權(quán)保護(hù)的通用架構(gòu)和最佳方案。中天微系統(tǒng)有意向的其他項(xiàng)目還包括多模工作組和市場(chǎng)統(tǒng)計(jì)服務(wù)(MSS)。　　杭州中天微系統(tǒng)有限公司董事長(zhǎng)嚴(yán)曉浪指出：“ESD聯(lián)盟國(guó)際
關(guān)鍵字：嵌入式 ESD

Vishay新的BiSy兩線(xiàn)超低電容ESD保護(hù)二極管為高速數(shù)據(jù)線(xiàn)提供安全保障

　　日前，Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào)：VSH)宣布，推出新的雙向?qū)ΨQ(chēng)(BiSy)兩線(xiàn)ESD保護(hù)二極管---VBUS05M2-HT1。器件采用超小尺寸的LLP1006-3L封裝，可用于便攜式電子產(chǎn)品。Vishay Semiconductors VBUS05M2-HT1比SOT32封裝的產(chǎn)品節(jié)省空間，具有超低電容和漏電流，可保護(hù)高速數(shù)據(jù)線(xiàn)免受瞬變瞬態(tài)電壓信號(hào)的干擾。　　今天推出的器件高度不到0.4mm，典型負(fù)載電容為0.35pF。VBUS05M2-HT
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ESD/EMI/EMC電路設(shè)計(jì)技巧——對(duì)ESD進(jìn)行靜電屏蔽防護(hù)

　　對(duì)ESD進(jìn)行防護(hù)的最好方法，是敏感器件進(jìn)行靜電屏蔽和磁場(chǎng)屏蔽，靜電屏蔽可用導(dǎo)電良好的金屬屏蔽片來(lái)阻擋電場(chǎng)力線(xiàn)的傳輸?！　∫话阌辛遂o電屏蔽，磁場(chǎng)屏蔽就不再是十分需要的了，因?yàn)楫?dāng)高頻磁力線(xiàn)穿過(guò)金屬屏蔽片時(shí)，會(huì)在金屬屏蔽片中感應(yīng)產(chǎn)生回路電流(渦流)，此電流產(chǎn)生磁場(chǎng)方向正好與干擾磁場(chǎng)的方向相反，兩者雖然不能完全抵消，但可以互相抵消大部分，從而同樣可以降低磁場(chǎng)產(chǎn)生的干擾。圖10 是對(duì)ESD 進(jìn)行靜電屏蔽防護(hù)的原理圖?！　?nbsp; 　　圖10　　這里需要特別說(shuō)明的
關(guān)鍵字： ESD 靜電屏蔽

ESD/EMI/EMC電路設(shè)計(jì)技巧 ——電磁干擾的屏蔽方法

　　電磁兼容是指“一種器件、設(shè)備或系統(tǒng)的性能，它可以使其在自身環(huán)境下正常工作并且同時(shí)不會(huì)對(duì)此環(huán)境中任何其他設(shè)備產(chǎn)生強(qiáng)烈電磁干擾?！睂?duì)于無(wú)線(xiàn)收發(fā)設(shè)備來(lái)說(shuō)，采用非連續(xù)頻譜可部分實(shí)現(xiàn) EMC 性能，但是很多有關(guān)的例子也表明 EMC 并不總是能夠做到。例如在筆記本電腦和測(cè)試設(shè)備之間、打印機(jī)和臺(tái)式電腦之間以及蜂窩電話(huà)和醫(yī)療儀器之間等都具有高頻干擾，我們把這種干擾稱(chēng)為電磁干擾(EMI)?！　?、EMC 問(wèn)題來(lái)源　　所有電器和電子設(shè)備工作時(shí)都會(huì)有間歇或連續(xù)性電壓電流變化
關(guān)鍵字： ESD EMI EMC

【E課堂】MOS管為什么會(huì)被靜電擊穿？

　　MOS管一個(gè)ESD敏感器件，它本身的輸入電阻很高，而柵源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電(少量電荷就可能在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓(想想U(xiǎn)=Q/C)將管子損壞，又因在靜電較強(qiáng)的場(chǎng)合難于泄放電荷，容易引起靜電擊穿。靜電擊穿有兩種方式：一是電壓型，即柵極的薄氧化層發(fā)生擊穿，形成針孔，使柵極和源極間短路，或者使柵極和漏極間短路;二是功率型，即金屬化薄膜鋁條被熔斷，造成柵極開(kāi)路或者是源極開(kāi)路。JFET管和MOS管一樣，有很高的輸入電阻，只是MOS管的輸入電阻更高。　　靜電放電形成
關(guān)鍵字： MOS管 ESD

電路中如何選擇最佳的電路保護(hù)器件

　　電路保護(hù)主要是保護(hù)電子電路中的元器件在受到過(guò)壓、過(guò)流、浪涌、電磁干擾等情況下不受損壞，電路保護(hù)器件則是為產(chǎn)品的電路及芯片提供防護(hù)的，確保在電路出現(xiàn)異常的情況下，被保護(hù)電路的精密芯片、元器件不受損壞。過(guò)壓、過(guò)流、浪涌、電磁干擾、靜電放電等一直是電路保護(hù)的重點(diǎn)，因此，市場(chǎng)中的主流電路保護(hù)器件也是以防雷/過(guò)壓/過(guò)流/防靜電等為主，常見(jiàn)的保護(hù)器件有氣體放電管、固體放電管、瞬態(tài)抑制二極管、壓敏電阻、自恢復(fù)保險(xiǎn)絲以及ESD靜電二極管等。工程師在選型的時(shí)候如何才能選擇最佳的電路保護(hù)器件呢?　　1.你要知道你想要防止
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ESD引起集成電路損壞原理模式及實(shí)例

　　本文蔣介紹ESD引起集成電路損壞原理模式及實(shí)例　　一.ESD引起集成電路損傷的三種途徑(1)人體活動(dòng)引起的摩擦起電是重要的靜電來(lái)源，帶靜電的操作者與器件接觸并通過(guò)器件放電。(2)器件與用絕緣材料制作的包裝袋、傳遞盒和傳送帶等摩擦，使器件本身帶靜電，它與人體或地接觸時(shí)發(fā)生的靜電放電。(3)當(dāng)器件處在很強(qiáng)的靜電場(chǎng)中時(shí)，因靜電感應(yīng)在器件內(nèi)部的芯片上將感應(yīng)出很高的電位差，從而引起芯片內(nèi)部薄氧化層的擊穿。或者某一管腳與地相碰也會(huì)發(fā)生靜電放電。根據(jù)上述三種ESD的損傷途徑，建立了三種ESD損傷模型：人體帶電模型、
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ESD/EOS，才是電子電路的護(hù)法英雄

　　隨著電子產(chǎn)品迅速走向隨身使用化、功能強(qiáng)大化與低功耗化，半導(dǎo)體技術(shù)的持續(xù)微縮就沒(méi)有停止的可能性。然而，這樣的演變趨勢(shì)造就了電子產(chǎn)品‘使用可靠性的設(shè)計(jì)工作’重要性和電子產(chǎn)品‘功能的設(shè)計(jì)工作’本身一樣重要。　　這是因?yàn)橥庠诘臅簯B(tài)雜訊干擾能量變得很容易進(jìn)入電子產(chǎn)品內(nèi)部，加上電子產(chǎn)品內(nèi)部的晶片零組件因半導(dǎo)體微縮而變得十分孱弱，從而導(dǎo)致電子產(chǎn)品本身的正常運(yùn)作就變得易于受到干擾與破壞。　　　　Silicon Labs執(zhí)行長(zhǎng)Tyson T
關(guān)鍵字： ESD EOS

工程師基礎(chǔ)知識(shí)充電：常用電阻特性?xún)?yōu)缺點(diǎn)比較

　　近二十年來(lái)，電子工業(yè)以驚人的速度發(fā)展。新技術(shù)的進(jìn)步在減小設(shè)備尺寸的同時(shí)，也加大了分立元件制造商開(kāi)發(fā)理想性能器件的壓力?！　≡谶@些器件中，晶片電阻當(dāng)前始終保持很高的需求，并且是許多電路的基礎(chǔ)構(gòu)件。它們的空間利用率優(yōu)于分立式封裝電阻，減少了組裝前期準(zhǔn)備的工作量。隨著應(yīng)用的普及，晶片電阻具有越來(lái)越重要的作用。主要參數(shù)包括 ESD 保護(hù)、熱電動(dòng)勢(shì) (EMF)、電阻熱系數(shù) (TCR)、自熱性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等?！　∫韵录夹g(shù)對(duì)比中將討論線(xiàn)繞電阻在精密電路中的應(yīng)用
關(guān)鍵字：電阻 ESD

保護(hù)3線(xiàn)制模擬輸出

讓我們從幾個(gè)示例開(kāi)始。在這些示例中，我們?cè)囍Ｗo(hù)系統(tǒng)不受以下情況的影響：　　在靜電放電 (ESD) 不安全的環(huán)境中安裝或校準(zhǔn)某些系統(tǒng)，這樣做會(huì)導(dǎo)致ESD損壞。工業(yè)控制系統(tǒng)往往跨越很遠(yuǎn)距離并且有可能暴露在自然危險(xiǎn)下，諸如雷擊，的大型系統(tǒng)。與環(huán)境寄生效應(yīng)耦合在一起的開(kāi)關(guān)瞬變會(huì)生成高頻輻射和耦合射線(xiàn)。　　你在保護(hù)模擬輸出時(shí)所需要應(yīng)對(duì)的瞬變情況與其生成的低壓 (<24V) 和低頻 (<10kHz) 信號(hào)十分不同。工業(yè)瞬變是高電壓
關(guān)鍵字： TIPD153 ESD