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	euv?
          

          
	
          
    	
          
    	  	
          
              	
                                
          
                  

                                
          
                    
          半導體押寶EUV ASML突破瓶頸 預計2018年可用于量產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　摩爾定律(Moore’s Law)自1970年代左右問世以來，全球半導體產業(yè)均能朝此一定律規(guī)則前進發(fā)展，過去數(shù)十年來包括光微影技術(Photolithography)等一系列制程技術持續(xù)的突破，才得以讓半導體產業(yè)能依照摩爾定律演進，進而帶動全球科技產業(yè)研發(fā)持續(xù)前進。
　　但為延續(xù)產業(yè)良性發(fā)展，光是依賴于傳統(tǒng)微影技術仍不夠，因此芯片制造商也正在苦思試圖進行一次重大且最具挑戰(zhàn)的變革，即發(fā)展所謂的“極紫外光”(EUV)微影技術，該技術也成為臺積電、英特爾(Intel)等
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          • 關鍵字：
                        ASML  EUV                           
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          半導體產業(yè)中重要一環(huán) EUV光刻最新進展如何
          
                                                            
            
                    	
          • 　　ASML宣稱它的Q2收到4臺EUV訂單，預期明年EUV發(fā)貨達10臺以上。
　　EUV光刻設備一再延遲，而最新消息可能在2020年時能進入量產，而非常可能應用在5nm節(jié)點。
　　業(yè)界預測未來在1znm的存儲器生產中可能會有2層或者以上層會采用它，及在最先進制程節(jié)點(7 or 5nm)的邏輯器件生產中可能會有6-9層會使用它。
　　ASML計劃2018年時它的EUV設備的產能再擴大一倍達到年產24臺，每臺售價約1億美元，目前芯片制造商己經安裝了8臺，正在作各種測試。
　　半導體顧問公司的分析師Ro
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          • 關鍵字：
                        半導體  EUV                          
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          重回摩爾定律兩大武器... EUV＋三五族 成大勢所趨
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英特爾在14奈米及10奈米制程推進出現(xiàn)延遲，已影響到處理器推出時程，也讓業(yè)界及市場質疑：摩爾定律是否已達極限?不過，英特爾仍積極尋求在7奈米時代重回摩爾定律的方法，其中兩大武器，分別是被視為重大微影技術世代交替的極紫外光(EUV)，以及開始采用包括砷化銦鎵(InGaAs)及磷化銦(InP)等三五族半導體材料。
　　摩爾定律能否持續(xù)走下去，主要關鍵在于微影技術難度愈來愈高。目前包括英特爾、臺積電、三星等大廠，主要采用多重曝光(multi-patterning)的浸潤式微影(immersionlitho
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          • 關鍵字：
                        摩爾定律  EUV                          
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          EUV微影技術準備好了嗎？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　又到了超紫外光(EUV)微影技術的關鍵時刻了?？v觀整個半導體發(fā)展藍圖，研究人員在日前舉辦的IMEC技術論壇(ITF)上針對EUV微影提出了各種大大小小即將出現(xiàn)的挑戰(zhàn)。
　　到了下一代的10nm節(jié)點，降低每電晶體成本將會變得十分棘手。更具挑戰(zhàn)性的是在7nm節(jié)點時導入EUV微影。更進一步來看，當擴展到超越5nm節(jié)點時可能就需要一種全新的晶片技術了。
　　目前最迫在眉睫的是中期挑戰(zhàn)。如果長久以來一直延遲的EUV微影系統(tǒng)未能在2017年早期就緒的話，7nm制程將會成為一個昂貴的半節(jié)點。
　　不過，研究人
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          • 關鍵字：
                        EUV  SanDisk                          
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          臺積電采購EUV 2018年或邁入7納米時代
          
                                                            
            
                    	
          • 按照現(xiàn)在量產產品工藝進展的速度，幾乎可以預見的是，2018年上7納米的愿望很美好，但是實際情況卻困難重重，幾乎是不太可能的事，即便在技術上能實現(xiàn)，在商業(yè)上來看也不能算是理性的選擇。
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          • 關鍵字：
                        臺積電  7納米  EUV                          
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          2016年EUV降臨 半導體格局生變
          
                                                            
            
                    	
          • 　ASML公司第3代極紫外光(EUV)設備已出貨6臺。這預示著預示了全球兩家頂級大廠未來采用EUV光刻技術，在10nm的量產關鍵技術選項中幾乎同步，或者說臺積電在10nm時順利趕上業(yè)界龍頭英特爾。

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          • 關鍵字：
                        半導體  EUV                          
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          EUV將在7納米節(jié)點發(fā)威？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　核心提示：荷蘭半導體設備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得10奈米節(jié)點因為無法壓低每電晶體成本，而成為不受歡迎的制程。

　　荷蘭半導體設備大廠 ASML 現(xiàn)在勉為其難地承認了其客戶私底下悄悄流傳了好一陣子的情況：大多數(shù)半導體廠商仍將采用傳統(tǒng)浸潤式微影技術來生產10奈米制程晶片，而非延遲許久的超紫外光微影(EUV)技術;不過這恐怕將使得
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          • 關鍵字：
                        EUV  7納米                          
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          KLA-Tencor推出Teron? SL650 光罩檢測系統(tǒng)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　KLA-Tencor 公司(納斯達克股票代碼：KLAC)宣布推出 Teron? SL650，該產品是專為集成電路晶圓廠提供的一種新型光罩質量控制解決方案，支持 20nm 及更小設計節(jié)點。Teron SL650 采用 193nm光源及多種 STARlight? 光學技術，提供必要的靈敏度和靈活性，以評估新光罩的質量，監(jiān)控光罩退化，并檢測影響成品率的光罩缺陷，例如在有圖案區(qū)和無圖案區(qū)的晶體增長或污染。此外，Teron SL650 擁有業(yè)界領先的產能，可支持更快的生產周期，以滿足檢驗
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          • 關鍵字：
                        KLA-Tencor  SL650  EUV                          
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          EUV遭受新挫折 半導體10nm工藝步伐蹉跎
          
                                                            
            
                    	
          • 當半導體工藝發(fā)展到10nm水平時，傳統(tǒng)的光刻工藝將面臨前所未有的挑戰(zhàn)，所有經典物理的規(guī)律在量子水平下都有可能失效，必須在硅材料之外尋找一種新的、實用的思路來進一步延續(xù)集成電路的發(fā)展。
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          • 關鍵字：
                        EUV  10nm                          
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          EUV光刻技術或助力芯片突破摩爾定律
          
                                                            
            
                    	
          • 　　據(jù)美國科技博客Business Insider報道，在近50年的科技發(fā)展中，技術變革的速度一直遵循著摩爾定律。一次又一次的質疑聲中，英特爾堅定不移地延續(xù)著摩爾定律的魔力。

　　摩爾定律是由英特爾聯(lián)合創(chuàng)始人GordonMoore提出，內容為：當價格不變時，集成電路上可容納的晶體管數(shù)目，約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。換言之，每一美元所能買到的電腦性能，將每隔18個月翻兩倍以上。這一定律揭示了信息技術進步的速度。

　　在幾十年來，芯片技術得以快速變革和發(fā)展，變得更加強大，節(jié)省了更
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          • 關鍵字：
                        EUV  摩爾定律                          
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          ASML提升新EUV機臺技術生產效率
          
                                                            
            
                    	
          • 　　微影設備大廠ASML積極提升極紫外線(EUV)機臺技術的生產效率，在2012年購并光源供應商Cymer后，大幅提升光源效率，從2009年至今光源效率分別為2009年2瓦、2010年5瓦、2011年10瓦，2012年提升至20瓦，目前已達55瓦，每小時晶圓產出片數(shù)為43片，預計2013年底前，可達到80瓦的目標，2015年達250瓦、每小時產出125片。
　　半導體生產進入10納米后，雖然可采用多重浸潤式曝光方式，但在一片晶圓上要進行多次的微影制程曝光，將導致生產流程拉長，成本會大幅墊高，半導體大廠為
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          • 關鍵字：
                        ASML  EUV                          
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          ASML：量產型EUV機臺2015年就位
          
                                                            
            
                    	
          • 　　極紫外光(EUV)微影技術將于2015年突破量產瓶頸。傳統(tǒng)浸潤式微影技術在半導體制程邁入1x奈米節(jié)點后將面臨物理極限，遂使EUV成為產業(yè)明日之星。設備供應商艾司摩爾(ASML)已協(xié)同比利時微電子研究中心(IMEC)和重量級晶圓廠，合力改良EUV光源功率與晶圓產出速度，預計2015年可發(fā)布首款量產型EUV機臺。
　　ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉提到，ASML雖也同步投入E-Beam基礎研究，但目前對相關設備的開發(fā)計劃仍抱持觀望態(tài)度。
　　ASML亞太區(qū)技術行銷協(xié)理鄭國偉表示，ASML于2012年
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          • 關鍵字：
                        ASML  EUV                          
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          全球半導體代工業(yè)正孕育惡戰(zhàn)
          
                                                            
            
                    	
          • 　　5月7日消息，全球代工市場規(guī)模繼2011年增長7%，達328億美元之后，2012年再度增長16%，達到393億美元，預計2013年還將有14%的增長。
　　臺積電與英特爾以前是“河水不犯井水”，但是隨著英特爾開始接受Altera的14nm FPGA訂單，明顯在與臺積電搶單，兩大半導體巨頭開始出現(xiàn)較為明顯的碰撞。目前，臺積電已誓言將加速發(fā)展先進制程技術，希望在10nm附近全面趕上英特爾。
　　而另一家代工廠格羅方德近日也發(fā)出聲音，要在兩年內，在工藝制程方面趕上臺積電。
　　
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          • 關鍵字：
                        半導體代工  EUV                          
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          Intel：14nm進展順利 一兩年后量產
          
                                                            
            
                    	
          • 　　Intel CTO Justin Rattner近日對外披露說，Intel 14nm工藝的研發(fā)正在按計劃順利進行，會在一到兩年內投入量產。
　　2013年底，Intel將完成P1272 14nm CPU、P1273 14nm SoC兩項新工藝的開發(fā)，并為其投產擴大對俄勒岡州Fab D1X、亞利桑那州Fab 42、愛爾蘭Fab 24等晶圓廠的投資，因此量產要等到2014年了。
　　而從2015年開始，Intel又會陸續(xù)進入10nm、7nm、5nm等更新工藝節(jié)點。
　　Rattner指出，Intel
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          • 關鍵字：
                        Intel  晶圓  EUV                          
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          臺積電2016年10nm制程才將采用EUV技術
          
                                                            
            
                    	
          • 而關于臺積電是否足夠支應大舉投資ASML的支出?瑞信(Credit Suisse)則認為，臺積電截至今年第2季為止手頭有約50億美元的現(xiàn)金，估計今年全年，從盈余中可望取得93億美元左右的現(xiàn)金流，且臺積電今年預估會再募集10億美元左右的公司債，因此大體而言將足夠支付包括今年82.5億美元的資本支出，以及用于ASML的投資費用。
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          • 關鍵字：
                        臺積電  EUV                          
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