exynos 芯片 文章 進入exynos 芯片技術(shù)社區(qū)
LED芯片國產(chǎn)化將迎不可逆轉(zhuǎn)大潮
- 根據(jù)市場數(shù)據(jù),截至 7 月2 日,45 家LED 上市公司中,17 家已經(jīng)公布中報業(yè)績預(yù)告。其中,15 家預(yù)喜,占已公布業(yè)績預(yù)告公司的88.23%。HIS 預(yù)計,今年將是中國LED 市場的樂觀年,其中LED 芯片營收將增長36.6%至14.75 億美元,封裝LED 營收將增長14.8%至48.12 億美元。隨著中國對于LED 照明的相關(guān)政策陸續(xù)出臺,很多以出口為主的企業(yè)將開始轉(zhuǎn)戰(zhàn)中國本土市場,傳統(tǒng)照明企業(yè)也將紛紛轉(zhuǎn)型LED 照明。今年不少LED 公司都有兼并收購的意向,如飛利浦宣布整合期LED 事業(yè)部
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重壓之下 國產(chǎn)4G芯片將如何開展破局？
- 國家在推動自主化4G標(biāo)準(zhǔn)方面，還應(yīng)該把產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展考慮進來，構(gòu)建自身的生態(tài)系統(tǒng)，從而實現(xiàn)真正的創(chuàng)新驅(qū)動產(chǎn)業(yè)發(fā)展。 自去年12月工信部向三家電信運營商下發(fā)TD-LTE牌照后，4G就逐漸走進人們的生活。而對于手機廠商而言，4G時代的到來，則意味著可以利用行業(yè)重新洗牌的機會，為自己贏得更多的競爭優(yōu)勢。 賽諾咨詢近日發(fā)布的2014年5月TD-LTE手機市場份額統(tǒng)計顯示，國產(chǎn)手機品牌酷派以23.1%的市場占有率位居榜首，三星和蘋果則分別以18.8%和15.7%的市場占有率分列二、三位。一時間，&ld
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中外LED芯片技術(shù)差異大 國產(chǎn)技術(shù)待提升
- 目前，LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶元生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外，氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點。目前，市面上大多采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵，這兩種材料價格都非常昂貴，且都為外國大企業(yè)所壟斷，而硅襯底的價格比藍寶石和碳化硅襯底便宜得多，可制作出尺寸更大的襯底，提高MOCVD的利用率，從而提高管晶產(chǎn)率。所以，為突破國際專利壁壘，中國研究機構(gòu)和LED企業(yè)從硅襯底材料著手研究。 但問題是，硅與
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世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線將在株洲投產(chǎn)
- 6月20日上午，被業(yè)界認為現(xiàn)代變流工業(yè)“皇冠上的明珠”的關(guān)鍵 技術(shù)在中國南車取得產(chǎn)業(yè)化突破：公司投資近15億元的IGBT產(chǎn)業(yè)化基地建成并即將投產(chǎn)。這是國內(nèi)首條、世界第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，首期將實現(xiàn)年產(chǎn)12萬片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬只IGBT模塊，真正實現(xiàn)IGBT的國產(chǎn)化。它的投產(chǎn)，將打破國外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷。 國家多部委關(guān)注IGBT研發(fā) IGBT，是一種實現(xiàn)電能轉(zhuǎn)換和 控制的電力電子器件，中文名叫絕緣柵雙極型晶體管。自從
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芯片商力拓可穿戴設(shè)備市場
- 穿戴式裝置類型與應(yīng)用功能將更趨多元。有鑒于開發(fā)者社群將成為穿戴式裝置創(chuàng)新和普及的重要推手，晶片商除持續(xù)精進元件規(guī)格與性能外，亦積極推出更低成本的開發(fā)平臺，期協(xié)助開發(fā)者打造出更多樣且高附加價值的穿戴式商品。 穿戴式裝置市場將更形壯大。由于穿戴式裝置市場與一般消費性電子不同，須結(jié)合半導(dǎo)體技術(shù)以外領(lǐng)域如織品、時尚等外型、使用者介面(UI)設(shè)計專業(yè)，更突顯出未來開發(fā)者(Maker)社群將扮演拱大穿戴式裝置市場規(guī)模的重要角色。也因此，晶片商如英特爾(Intel)及聯(lián)發(fā)科，皆不約而同發(fā)表協(xié)助全球開發(fā)者社群，
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