fd-soi: 文章進(jìn)入fd-soi:技術(shù)社區(qū)

格羅方德推出12nm FD-SOI工藝并拓展FDX路線圖

　　格羅方德9月8日發(fā)布12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，12FDXTM提供全節(jié)點(diǎn)縮放和超低功耗，并通過(guò)軟件控制實(shí)現(xiàn)按需定制性能，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。　　隨著數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無(wú)線連接、非易失性存
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格羅方德半導(dǎo)體推出12nm FD-SOI工藝，拓展FDX路線圖

　　格羅方德半導(dǎo)體今日發(fā)布了全新的12nm FD-SOI半導(dǎo)體工藝平臺(tái)12FDXTM，實(shí)現(xiàn)了業(yè)內(nèi)首個(gè)多節(jié)點(diǎn)FD-SOI路線圖，從而延續(xù)了其領(lǐng)先地位。新一代12FDXTM平臺(tái)建立在其22FDXTM平臺(tái)的成功基礎(chǔ)之上，專為未來(lái)的移動(dòng)計(jì)算、5G連接、人工智能、無(wú)人駕駛汽車等各類應(yīng)用智能系統(tǒng)而設(shè)計(jì)。　　隨著數(shù)以百萬(wàn)計(jì)的互聯(lián)設(shè)備出現(xiàn)，世界正在逐步融合為一體，眾多新興的應(yīng)用也不斷要求著半導(dǎo)體的進(jìn)一步創(chuàng)新。用于實(shí)現(xiàn)這些應(yīng)用的芯片正逐漸演進(jìn)為微系統(tǒng)，集成包括無(wú)線連接、非易失性存儲(chǔ)器以及電源管理等在內(nèi)的越來(lái)越多的組件，
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格羅方德半導(dǎo)體推出生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴計(jì)劃以加快未來(lái)互聯(lián)系統(tǒng)創(chuàng)新

　　格羅方德半導(dǎo)體今日宣布一項(xiàng)全新合作伙伴計(jì)劃FDXcelerator™，該生態(tài)系統(tǒng)旨在為客戶加速基于22FDX™的片上系統(tǒng)設(shè)計(jì)，并縮短產(chǎn)品上市時(shí)間。　　隨著公司新一代12FDX™的發(fā)布，格羅方德現(xiàn)提供業(yè)內(nèi)首個(gè)FD-SOI 路線圖，并隨之建立了FDXcelerator™合作伙伴計(jì)劃，為希望實(shí)現(xiàn)先進(jìn)節(jié)點(diǎn)設(shè)計(jì)的客戶提供了一條低成本的遷移路徑。　　通過(guò)格羅方德半導(dǎo)體和FDXcelerator合作伙伴解決方案，客戶將能打造各類創(chuàng)新的22FDX 片上系統(tǒng)解決方
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28納米FD-SOI制程嵌入式存儲(chǔ)器即將問(wèn)世

　　Samsung Foundry準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM以及快閃記憶體嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)。　　三星晶圓代工業(yè)務(wù)(Samsung Foundry)準(zhǔn)備開(kāi)始以28奈米FD-SOI制程，提供SST-MRAM (spin torque transfer magnetic RAM)以及快閃記憶體，做為嵌入式非揮發(fā)性記憶體(eNVM)選項(xiàng)??。　　Samsung Foundry行銷暨業(yè)務(wù)開(kāi)發(fā)負(fù)責(zé)人Kelvin Low在接受EE Times歐洲版訪問(wèn)時(shí)表示，該
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FD-SOI制程決勝點(diǎn)在14nm！

　　產(chǎn)業(yè)資深顧問(wèn)Handel Jones認(rèn)為，半導(dǎo)體業(yè)者應(yīng)該盡速轉(zhuǎn)移14奈米FD-SOI (depleted silicon-on-insulator)制程，利用該技術(shù)的眾多優(yōu)勢(shì)… 　　半導(dǎo)體與電子產(chǎn)業(yè)正努力適應(yīng)制程節(jié)點(diǎn)微縮至28奈米以下之后的閘成本(gate cost)上揚(yáng);如下圖所示，在制程微縮同時(shí)，每單位面積的邏輯閘或電晶體數(shù)量持續(xù)增加，其速率高于晶圓片成本增加的速率。在另一方面，當(dāng)制程特征尺寸縮減時(shí)，晶片系統(tǒng)性與參數(shù)性良率會(huì)降低，帶來(lái)較高的閘成本。　　
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Globalfoundries正進(jìn)行下一代FD-SOI制程開(kāi)發(fā)

　　Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。　　晶圓代工業(yè)者Globalfoundries技術(shù)長(zhǎng)GaryPatton透露，其22FDX全空乏絕緣上覆矽(fully-depletedsilicon-on-insulator，F(xiàn)D-SOI)制程技術(shù)可望今年稍晚上市，而目前該公司正在開(kāi)發(fā)后續(xù)制程。　　Globalfoundries聲稱其針對(duì)不同應(yīng)用最佳化的22FDX平臺(tái)四種制程，能提
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RF-SOI技術(shù)：加強(qiáng)5G網(wǎng)絡(luò)和智能物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用

　　今天的智能手機(jī)和平板電腦內(nèi)均裝有射頻(RF)前端模塊(FEM)，一般包括功率放大器(PA)、開(kāi)關(guān)、可調(diào)諧電容器和過(guò)濾器。射頻絕緣體上硅(RF SOI)等技術(shù)可支持移動(dòng)設(shè)備調(diào)整和獲取蜂窩信號(hào)——在更廣泛的區(qū)域?yàn)闊o(wú)線設(shè)備提供持續(xù)強(qiáng)勁且清晰的網(wǎng)絡(luò)連接?！　∫苿?dòng)市場(chǎng)對(duì)RF SOI的追捧持續(xù)升溫，因?yàn)樗愿咝詢r(jià)比實(shí)現(xiàn)了低插入損耗，在廣泛的頻段內(nèi)實(shí)現(xiàn)低諧波和高線性度。RF SOI是一個(gè)雙贏的技術(shù)選擇，能夠提高智能手機(jī)和平板電腦的性能和數(shù)據(jù)傳輸速度，同時(shí)有望在物聯(lián)網(wǎng)中發(fā)揮關(guān)鍵作用?！　?/li>
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FD-SOI會(huì)是顛覆性技術(shù)嗎？

　　全耗盡型絕緣上覆矽(FD-SOI)制程技術(shù)正從原本的“遲到”(too-late)位置搖身一變，成為可望在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)與汽車市場(chǎng)取代鰭式場(chǎng)效電晶體(FinFET)的理想替代方案了。對(duì)于許多人來(lái)說(shuō)，業(yè)界主導(dǎo)廠商代表出席一場(chǎng)相關(guān)領(lǐng)域的業(yè)界活動(dòng)，象征著為這項(xiàng)技術(shù)背書(shū)。　　“我認(rèn)為，F(xiàn)D-SOI正蓄勢(shì)待發(fā)。也許還得經(jīng)過(guò)幾年的時(shí)間，但它終將獲得新的動(dòng)能，并發(fā)展成為一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，”International Business Strategies (IBS)創(chuàng)
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中國(guó)真的對(duì)FD-SOI制程技術(shù)有興趣？

　　身為一位記者，我發(fā)現(xiàn)撰寫(xiě)有關(guān)于“熱門”公司、技術(shù)與人物的報(bào)導(dǎo)，要比我通常負(fù)責(zé)的技術(shù)主題容易得多;一旦我寫(xiě)了那些“時(shí)髦”的標(biāo)題，我會(huì)確實(shí)感受到人氣飆漲。　　因為幾乎每家媒體都窮追不舍，我不需要向讀者解釋為何我要寫(xiě)那些，以及那些新聞為何對(duì)他們重要;我馬上想到的是美國(guó)總統(tǒng)候選人川普(Donald Trump)、蘋果(Apple)還有FinFET。而相反的，要寫(xiě)冷門題材、比較少人討論的話題，挑戰(zhàn)性就高得多;部分讀者會(huì)有先入為主的看法，認(rèn)為那些題目不關(guān)他們
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FD-SOI與FinFET互補(bǔ)，是中國(guó)芯片業(yè)彎道超車機(jī)會(huì)

本文介紹了Soitec半導(dǎo)體公司的全耗盡絕緣硅(FD-SOI)的特點(diǎn)、最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)，并將FD-SOI與FinFET作比較，分析了各自的優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域和應(yīng)用前景。
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“中國(guó)芯”入資法國(guó)半導(dǎo)體公司

中國(guó)芯片企業(yè)起步較晚，在發(fā)展中屢屢遭受國(guó)際巨頭的“專利圍剿”，通過(guò)支持重點(diǎn)企業(yè)的兼并重組及海外收購(gòu)，培育具有核心競(jìng)爭(zhēng)力的大型企業(yè)，無(wú)疑是明智的手段，也是最有效的手段。
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Soitec半導(dǎo)體公司和FD-SOI技術(shù)：選擇理想的企業(yè)和技術(shù)，助力中國(guó)創(chuàng)新藍(lán)圖

　　全球領(lǐng)先的絕緣硅(SOI)晶圓制造商法國(guó)Soitec半導(dǎo)體公司今日在北京舉辦的新聞發(fā)布會(huì)中介紹了該公司在中國(guó)市場(chǎng)的發(fā)展歷史、全耗盡絕緣硅(FD-SOI)基板的成熟性和生產(chǎn)及準(zhǔn)備狀態(tài)、FD-SOI的最新進(jìn)展及其生態(tài)系統(tǒng)。與會(huì)發(fā)言人包括Soitec公司市場(chǎng)和業(yè)務(wù)拓展部高級(jí)副總裁Thomas Piliszczuk，以及Soitec公司數(shù)字電子商務(wù)部高級(jí)副總裁Christophe Maleville。會(huì)上主要討論的問(wèn)題包括該技術(shù)是否適合各代工廠及應(yīng)用設(shè)計(jì)師廣泛使用，更重要的是，該技術(shù)如何解決中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)及
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三星發(fā)飆：半導(dǎo)體28nm FD-SOI投片功耗暴降一半

　　蘋果(Apple)宣布以182萬(wàn)美元從美信半導(dǎo)體(Maxim Integrated)買下位于加州圣荷西的一座8吋晶圓廠。專家分析認(rèn)為，此舉并不會(huì)影響與蘋果合作的晶圓代工廠生意。　　據(jù)SemiWiki報(bào)導(dǎo)指出，SEMI World Fab Watch Database資料顯示，蘋果買下的晶圓廠于1987年建立，即使全面開(kāi)工每月也只能生產(chǎn)1萬(wàn)片晶圓，規(guī)模相對(duì)小且老舊，無(wú)法生產(chǎn)蘋果所需的應(yīng)用處理器(AP)。　　蘋果最新AP采16/14納米FinFET制程，而10納米制程也正在開(kāi)發(fā)中。8吋晶圓近日才微
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手機(jī)鏈考量？技術(shù)分水嶺抉擇？大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展FD-SOI

　　DIGITIMES Research觀察，大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)近期積極擁抱全空乏絕緣上覆矽(Fully Depleted Silicon-on-Insulator;FD-SOI，有時(shí)也稱Ultra-Thin Body;UTB)制程技術(shù)，包含拜會(huì)關(guān)鍵晶圓片底材供應(yīng)商、簽署相關(guān)合作協(xié)議、于相關(guān)高峰論壇上表態(tài)等。大陸選擇FD-SOI路線，而非臺(tái)積電(Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.;TSMC)、英特爾(Intel)的FinFET(鰭式場(chǎng)效電晶體)路線，估與手
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Leti從FD-SOI學(xué)到的一課：打造生態(tài)系統(tǒng)

　　今年由歐洲兩大主要研發(fā)中心——法國(guó)CEA-Leti和比利時(shí)IMEC舉辦的年度開(kāi)放日活動(dòng)剛好都在六月的同一時(shí)期舉行。但這種時(shí)程的沖突并不是有意的，至少Leti是這么認(rèn)為。Leti的一位官方代表指出，“在過(guò)去七年來(lái)我們一直是在六月的同一周舉行年度活動(dòng)。對(duì)他們來(lái)說(shuō)，我們的排程應(yīng)該不是什么秘密。” 　　　　Leti位于法國(guó)格勒諾布爾市創(chuàng)新園區(qū)的核心地帶　　不過(guò)，位于格勒諾布爾的Leti Days和位于布魯塞爾的IMEC技術(shù)論壇這兩大
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