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GlobalFoundries 32nm SOI制程良率突破兩位數(shù)
- 在最近召開的GSA會議(GSA Expo conference)上，GlobalFoundries公司宣稱其使用32nm SOI制程工藝制作的24Mbit SRAM芯片的良率已經(jīng)達(dá)到兩位數(shù)水平，預(yù)計年底良率有望達(dá)到50%左右。GlobalFoundries同時會在這個會議上展示其最新的制造設(shè)備。 據(jù)稱目前Intel 32nm Bulk制程技術(shù)的良率應(yīng)已達(dá)到70-80%左右的水平，而且已經(jīng)進入正式量產(chǎn)階段，在32nm制程方面他們顯然又領(lǐng)先了一大步。不過按AMD原來的計劃，32nm SOI制程將在2
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Global Foundries挖角為新廠Fab2鋪路
- Global Foundries再度展開挖角，繼建置布局營銷業(yè)務(wù)、設(shè)計服務(wù)團隊之后，這次延攬建廠、廠務(wù)人才并將目標(biāo)鎖定半導(dǎo)體設(shè)備商，Global Foundries預(yù)計2009年7月破土的Fab 2正在緊鑼密鼓策畫中，這次延攬的Norm Armour原屬設(shè)備龍頭應(yīng)用材料(Applied Materials)服務(wù)事業(yè)群高層，而Eric Choh則是原超微(AMD)晶圓廠營運干部，兩人都熟稔晶圓廠設(shè)備系統(tǒng)與IBM技術(shù)平臺。 Global Foundries宣布新一波人事布局，主要是為了積極籌備位于紐
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Global Foundries志在英特爾 臺廠不是主要對手
- Global Foundries制造系統(tǒng)與技術(shù)副總裁Tom Sonderman表示，Global Foundries位于紐約Fab 2將于7月破土，專攻28納米制程已以下制程技術(shù)，未來將持續(xù)延攬來自各界半導(dǎo)體好手加入壯大軍容，同時他也指出，目前45/40納米良率水平成熟并獲利可期，2009年底前Fab 1將全數(shù)轉(zhuǎn)進40/45納米制程。Global Foundries表示，在晶圓代工領(lǐng)域臺積電雖是對手之一，但真正的目標(biāo)(Bench Mark)其實對準(zhǔn)英特爾(Intel)。 競爭對手臺積電45/40
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英飛凌與LS合組新公司，聚焦白家電電源模塊
- 新聞事件： 韓國LS與英飛凌科技共同成立LS Power Semitech Co., Ltd 事件影響： 將使英飛凌和LSI得以加速進入高效能家電、低功率消費與標(biāo)準(zhǔn)工業(yè)應(yīng)用等前景好的市場 LS預(yù)計于2010年1月在天安市的生產(chǎn)基地開始量產(chǎn)CIPOS模塊 韓國LS Industrial Systems與英飛凌科技(Infineon)共同成立了一家合資公司──LS Power Semitech Co., Ltd，將聚焦于白色家電壓模電源模塊的研發(fā)、生產(chǎn)與行銷。 合
- 關(guān)鍵字： 英飛凌 IGBT CIPOS 射極控制二極管技術(shù) SOI
新型部分耗盡SOI器件體接觸結(jié)構(gòu)
- 提出了一種部分耗盡SOI MOSFET體接觸結(jié)構(gòu)，該方法利用局部SIMOX技術(shù)在晶體管的源、漏下方形成薄氧化層，采用源漏淺結(jié)擴散，形成體接觸的側(cè)面引出，適當(dāng)加大了Si膜厚度來減小體引出電阻。利用ISE一TCAD三維器件模擬結(jié)果表明，該結(jié)構(gòu)具有較小的體引出電阻和體寄生電容、體引出電阻隨器件寬度的增加而減小、沒有背柵效應(yīng)。而且，該結(jié)構(gòu)可以在不增加寄生電容為代價的前提下，通過適當(dāng)?shù)脑黾觭i膜厚度的方法減小體引出電阻，從而更有效地抑制了浮體效應(yīng)。
- 關(guān)鍵字： SOI 器件
用IC激發(fā)汽車電子的創(chuàng)新
- 訪NXP 高級副總裁兼首席技術(shù)官 Rene Penning de Vires 當(dāng)人們在逐步習(xí)慣使用車用遙控門鎖（Remote Keyless Entry）打開車門的時候，也在慢慢淡忘曾經(jīng)的手動金屬鑰匙。將來，被稱作“駛向未來的鑰匙”的智能鑰匙又會怎樣簡化汽車的駕乘？ 智能鑰匙其實是采用了NFC(近距離無線通信)、GPS無線技術(shù)和顯示技術(shù)的智能卡?？梢酝ㄟ^顯示屏直觀地顯示汽車停泊的位置、安全狀態(tài)等等信息，并且可以打造成一個非接觸式支付的多功能錢包。智能鑰匙通過無線網(wǎng)絡(luò)將駕
- 關(guān)鍵字： RKE NXP NFC 磁阻傳感器 車載網(wǎng)絡(luò) SOI
新SOI電路模型應(yīng)邀競爭國際標(biāo)準(zhǔn) 北大微電子研究爭創(chuàng)世界一流水平
- 近日，北京大學(xué)微電子學(xué)研究院教授何進博士的喜接美國電子和信息技術(shù)聯(lián)合會 (GEIA: Government Electronics & Information Technology Association）旗下的國際集成電路模型標(biāo)準(zhǔn)化委員會（CMC： Compact modeling Council）的主席邀請函，邀請何進教授參加于6月5日到6日在美國波士頓舉行的關(guān)于新一代SOI 集成電路國際標(biāo)準(zhǔn)模型選擇的CMC會議， 攜帶北京大學(xué)自主研發(fā)的新SOI電路模型競爭高科技IT技術(shù)—納米
- 關(guān)鍵字： 北大 微電子 SOI
愛特梅爾推出采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅(qū)動器IC
- 愛特梅爾公司宣布推出全新高溫六路半橋驅(qū)動器芯片ATA6837和ATA6839。這兩款產(chǎn)品采用愛特梅爾的0.8 um 高壓BCD-on-SOI技術(shù) (SMART-I.S.?) 制造，可采用尺寸更小的低成本QFN封裝。新推器件具有高承壓能力 (高達(dá)40V)，因而既可用于客車 (如空調(diào)系統(tǒng)出風(fēng)口控制)，也可用于24V卡車。此外，這些器件還具有多種保護功能。 ATA6837是帶有集成功率級的完全保護的六路半橋驅(qū)動器IC。經(jīng)由微控制器 (如愛特梅爾符合汽車規(guī)范要求的AVR? 微控制器ATm
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Atmel采用BCD-on-SOI技術(shù)的高溫驅(qū)動器集成電路
- Atmel推出新型高溫六邊形半橋驅(qū)動器集成電路 (IC) ATA6837 和 ATA6839。ATA6837 和 ATA6839 采用 Atmel 的高壓 0.8 um BCD-on-SOI 技術(shù) (SMART-I.S.(R)) 制造，該技術(shù)使得采用更小、成本更低的 QFN封裝成為可能。鑒于其高壓性能（高達(dá) 40V），這些新設(shè)備可同時用于乘用車應(yīng)用（如空調(diào)系統(tǒng)的片控制）以及 24V 卡車應(yīng)用。這些設(shè)備還具備廣泛的保護功能。 ATA6837 是一個得到充分保護、擁有全面功率級的六邊形半橋驅(qū)動器 I
- 關(guān)鍵字： Atmel 集成電路 驅(qū)動器 BCD-on-SOI IC
19家半導(dǎo)體業(yè)者加入SOI未來高能效
- 19位業(yè)界成員共組SOI策略聯(lián)盟，將致力于IP、設(shè)計環(huán)境營造，EDA業(yè)者也投入。 據(jù)臺灣媒體報道，半導(dǎo)體業(yè)者第1個絕緣層上覆矽(Silicon-On Insulator；SOI)業(yè)界聯(lián)盟成軍，共計19家半導(dǎo)體業(yè)者加入，除了原本就采SOI制程的美商超微(AMD)、新加坡特許半導(dǎo)體(Chartered Semiconducto
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