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Soitec參加SOI高峰論壇，探討SOI技術(shù)在中國發(fā)展
- 作為設(shè)計和生產(chǎn)創(chuàng)新性半導體材料的全球領(lǐng)軍企業(yè)，Soitec半導體公司于2018年9月18日至19日參加了在上海由SOI國際產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟舉辦的第六屆FD-SOI高峰論壇暨國際RF-SOI研討會(Shanghai FD-SOI Forum & International RF-SOI Workshop)。來自國際頂級半導體公司、科研院所、投資機構(gòu)和政府部門的業(yè)內(nèi)精英在本屆高峰論壇上就FD-SOI和RF-SOI在人工智能、邊緣計算(Edge computing)、5G網(wǎng)絡(luò)連接技術(shù)中的應(yīng)用等話題進行了探討
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中科院院士王曦帶領(lǐng)團隊制備國際一流的SOI晶圓片
- 在許多人眼中，中科院院士、中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所所長王曦既是一位具有全球視野的戰(zhàn)略科學家，也是一位開拓創(chuàng)新而又務(wù)實的企業(yè)家。他帶領(lǐng)團隊制備出了國際最先進水平的SOI晶圓片，解決了我國航天電子器件急需SOI產(chǎn)品的“有無”問題，孵化出我國唯一的SOI產(chǎn)業(yè)化基地。 他在上海牽頭推進了一批半導體重大項目——12英寸集成電路硅片項目有望填補我國大尺寸硅片產(chǎn)業(yè)空白。3月23日，王曦榮獲上海市科技功臣獎。 從下圍棋中得到啟發(fā) 空間輻射會對衛(wèi)
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格芯推出面向下一代移動和5G應(yīng)用的8SW RF-SOI技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進的RF SOI技術(shù)，可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應(yīng)用的前端模塊(FEM)帶來顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢?！ 「裥救碌牡统杀尽⒌凸?、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線上制造具有出色開關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比，該技術(shù)可以將功耗降低至70%，實現(xiàn)更高的電
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格芯CEO：FD-SOI是中國需要的技術(shù)
- 5G時代將對半導體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時，F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯，人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增。 9月26日，第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現(xiàn)場，發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講，闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進SOI技術(shù)的發(fā)展，介紹公司最新技術(shù)成果的同時也總結(jié)了SOI技術(shù)的現(xiàn)狀，并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來?！ ￡P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案，以及面向5G、汽車雷達、WiGig、衛(wèi)星通信以及無線回傳等新興高容量應(yīng)用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案?！ ≡搩煞N解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺，該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數(shù)字技術(shù)結(jié)合，為集成單芯片系統(tǒng)解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應(yīng)用中都可以實現(xiàn)最高特征頻率和最高振蕩頻率，適用于對性能和功耗都有超高要求的應(yīng)用，
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機存儲器
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進的嵌入式內(nèi)存解決方案，格芯22FDX eMRAM，為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性。 正如近期在美國所展示的，格芯22FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸，擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力，同時能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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CAN-FD和以太網(wǎng)共筑未來十年的汽車數(shù)據(jù)總線 — 快速、可靠(下)
- 接上篇5 從 CAN 遷移到 CAN-FD引入 CAN-FD 不會影響目前使用的諸如 LIN 和 MOST 等汽車網(wǎng)絡(luò)。要想把 CAN-FD 引入現(xiàn)有的 CAN 網(wǎng)絡(luò)，需要 有適當?shù)倪w移路徑。這是因為， CAN-FD 兼容性節(jié)點除了能 接受 CAN-FD幀外，也能接受當前的 CAN 幀，而不會出現(xiàn) 任何錯誤。但是，如果存在 CAN-FD 幀，常規(guī) CAN 節(jié)點會 在網(wǎng)絡(luò)上生成錯誤幀。OEM 可以通過幾種措施來減輕遷移 至真正 CAN-FD 網(wǎng)絡(luò)所需完成的工作量。典型方案：? 網(wǎng)絡(luò)中部署的新 ECU 必須能
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CAN-FD和以太網(wǎng)共筑未來十年的汽車數(shù)據(jù)總線 — 快速、可靠(上)
- ? ? ?在汽車行業(yè)，汽車電子控制單元 (ECU) 經(jīng)歷了爆炸式增長。這些 ECU 在遵循行業(yè)標準的基礎(chǔ)上還采用了一些專 用協(xié)議，逐漸從獨立單元發(fā)展成了網(wǎng)絡(luò)中的智能節(jié)點。其結(jié) 果是，汽車網(wǎng)絡(luò)成本被拉低，同時其可靠性和性能得到了提 高。在過去的十年里，我們看到，數(shù)據(jù)總線逐漸發(fā)展成了車 載網(wǎng)絡(luò)的標準。在接下來的十年里，我們相信，現(xiàn)有汽車 網(wǎng)絡(luò)協(xié)議必將經(jīng)歷一系列的擴展，標準網(wǎng)絡(luò)連接必將進入 汽車。本文對兩種新的汽車網(wǎng)絡(luò)連接協(xié)議進行了分析，即 CAN-FD。圖1 ?標準 C
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胡正明續(xù)寫摩爾傳奇 FinFET/FD-SOI廠商如何押寶？
- 近日格羅方德12英寸晶圓廠落戶中國成都引起業(yè)界關(guān)注，為何?因為FD-SOI技術(shù)。 眾所周知，當柵極長度逼近20nm大關(guān)時，對電流控制能力急劇下降，漏電率相應(yīng)提高。FinFET與FD-SOI恰是半導體微縮時代續(xù)命的高招。 盡管FinFET與FD-SOI師出同門，但是，兩者卻被“陣營化”，F(xiàn)inFET陣營占據(jù)絕對優(yōu)勢。格羅方德是為數(shù)不多的FD-SOI技術(shù)堅守與推動者了。FD-SOI能是否叫板FinFET?希望格羅方德12英寸晶圓廠能給出答案。 今天我們就來談?wù)凢i
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新型智能手表顯示FD-SOI正當時？
- 在今年，業(yè)界對FD-SOI的討論終于從理論性的制程技術(shù)比較，轉(zhuǎn)移到由產(chǎn)品與應(yīng)用所決定的技術(shù)競爭。 因為沒有可見的終端產(chǎn)品能證明其號稱超低功耗的特色，全空乏絕緣上覆矽(fully Depleted Silicon On Insulator，F(xiàn)D-SOI)制程一直得努力克服半導體產(chǎn)業(yè)界許多工程師的質(zhì)疑，例如：該技術(shù)的好處在哪?在商業(yè)市場上有實際產(chǎn)品嗎?它真正的優(yōu)勢何在? 終于，現(xiàn)在有實際產(chǎn)品可以做為FD-SOI制程的實證──是一只中國智慧型手機品牌業(yè)者小米(Xiaomi)副品牌華米(Huami
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RF-SOI在中國已建立起完整的生態(tài)系統(tǒng)
- 日前在上海舉辦的“RF-SOI研討會”上，SOI產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟稱，RF-SOI生態(tài)系統(tǒng)現(xiàn)已建立完善，并成為天線調(diào)諧器與射頻開關(guān)的主流技術(shù)，占據(jù)了95%的市場份額，該系統(tǒng)有利于IoT連接和5G的發(fā)展，為了更深層地與射頻前端器件結(jié)合，RF-SOI這種突破型技術(shù)還需要更多的創(chuàng)新和突破性的方案。 目前，RF-SOI技術(shù)主要應(yīng)用于智能手機、WiFi等無線通訊領(lǐng)域，具有性能高、成本低等優(yōu)勢。上海新傲科技股份有限公司總經(jīng)理王慶宇稱，國際上3G/4G手機用的射頻器件
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