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          NAND Flash供貨吃緊態(tài)勢明顯 價格走揚(yáng)

          •   第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚(yáng)。   TrendForce旗下記憶體儲存事業(yè)處DRAMeXchange最新報價顯示,第三季NAND Flash供貨吃緊的態(tài)勢越發(fā)明顯,TLC-Wafer與現(xiàn)貨卡片價格自4月初以來已連續(xù)三個月份逐步走揚(yáng),而近一個月漲幅開始增加。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,NAND Flash原廠持續(xù)降低對于通路(Channel)的供貨比重來滿足eMMC/eMCP與固態(tài)硬碟(SS
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          火災(zāi)后瘋7供應(yīng)商三星Flash廠部分復(fù)工

          • 三星西安工廠受到變電站爆炸停電影響,對供應(yīng)緊張的NAND Flash雪上加霜,不過事故后回復(fù)速度很快,給當(dāng)?shù)毓╇娋趾腿菓?yīng)急處理點(diǎn)個贊。
          • 關(guān)鍵字: 三星  Flash  

          下半年NAND Flash一定缺貨,且會非常缺

          •   全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)晶片最大供應(yīng)商慧榮科技總經(jīng)理茍嘉章昨(21)日表示,固態(tài)硬碟(SSD)價格已到甜蜜點(diǎn),今年出貨將大爆發(fā),成為成長最強(qiáng)勁的記憶體產(chǎn)品;法人預(yù)估臺廠概念股群聯(lián)、創(chuàng)見、威剛、宇瞻、廣穎、宜鼎等,可望掀比價效應(yīng)。   慧榮是以臺灣為研發(fā)重心,立足全球的國際公司,上周五(20日)股價以每股42.19美元創(chuàng)2005年6月在美國那斯達(dá)克掛牌以來新高,市值達(dá)1.48億美元(約新臺幣48.5億元),同創(chuàng)歷史新高。   茍嘉章昨天主持慧榮愛心園游會后,針對今年NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          發(fā)展Flash晶圓制造的四大投資方向

          •   中國大陸業(yè)者在NANDFlash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。   某研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長近7倍。        預(yù)估2012~2016年NANDFlash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%,顯示NANDFlash仍為高速發(fā)展產(chǎn)業(yè)。   拓墣
          • 關(guān)鍵字: Flash  晶圓  

          TrendForce:2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能上看59萬片

          •   中國大陸業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的相關(guān)布局與投資不斷開展,成為中國大陸半導(dǎo)體業(yè)揮軍全球的下一波焦點(diǎn)。TrendForce旗下拓墣產(chǎn)業(yè)研究所最新研究報告顯示,隨著紫光國芯(原同方國芯)投資、武漢新芯擴(kuò)廠,及國際廠如三星、英特爾增加產(chǎn)能,預(yù)估2020年中國大陸國內(nèi)Flash月產(chǎn)能達(dá)59萬片,相較于2015年增長近7倍。   TrendForce預(yù)估2012~2016年NAND Flash生產(chǎn)端年平均位元增長率達(dá)47%,其最終消費(fèi)端需求年平均位增長率亦高達(dá)46%,顯示NAND Flash仍為高速發(fā)
          • 關(guān)鍵字: Flash  NAND   

          Flash芯片你都認(rèn)識嗎?

          •   Flash存儲器,簡稱Flash,它結(jié)合了ROM和RAM的長處,不僅具備電子可擦除可編程的性能,還不會因斷電而丟失數(shù)據(jù),具有快速讀取數(shù)據(jù)的特點(diǎn);在現(xiàn)在琳瑯滿目的電子市場上,F(xiàn)lash總類可謂繁多,功能各異,而你對它了解有多少呢?  為了讓大家更深入了解Flash,今天將主要根據(jù)芯片的通信協(xié)議并且結(jié)合Flash的特點(diǎn),給大家一個全新認(rèn)識?! ∫?、IIC?EEPROM  IIC?EEPROM,采用的是IIC通信協(xié)議;IIC通信協(xié)議具有的特點(diǎn):簡單的兩條總線線路,一條串行數(shù)據(jù)線(SDA)
          • 關(guān)鍵字: Flash  EEPROM  

          Flash與SAS硬碟價格2015年恐現(xiàn)死亡交叉

          •   資料儲存解決方案大廠NetApp表示,經(jīng)由云端與Flash兩股推力驅(qū)動,讓近年IT基礎(chǔ)架構(gòu)進(jìn)入新一波的轉(zhuǎn)型期,其中2016年經(jīng)由融合式基礎(chǔ)架構(gòu)(Converged Infrastructure)、DevOps(Development and Operations)系統(tǒng)工具應(yīng)用性竄升,將讓2016年成為IT的精簡之年。   此外值得注意的是,TLC架構(gòu)的Flash存儲器借由需求性提升及單位成本快速下降,預(yù)期今年每GB的FLash價格也將較SAS硬碟更低,并讓All Flash資料中心的將進(jìn)入主流儲存領(lǐng)
          • 關(guān)鍵字: Flash  SAS  

          手機(jī)標(biāo)稱16G內(nèi)存,為何實際卻少于16G

          •   摘要:現(xiàn)在市面上存在NAND FLASH和eMMC這兩種的大容量存儲介質(zhì),就是各類移動終端及手機(jī)的主要存儲介質(zhì)。兩者有何區(qū)別,存儲芯片的實際大小與標(biāo)稱值又有什么關(guān)系呢?   我們總是在說手機(jī)內(nèi)存,那到底是用什么介質(zhì)存儲的呢?99%是用NAND Flash和eMMC這兩種的存儲介質(zhì)。eMMC是近幾年智能手機(jī)興起后,為滿足不斷增大的系統(tǒng)文件而誕生的,是NAND Flash的升級版,他的結(jié)構(gòu)如下:        我們接觸到的16G、32G等手機(jī),為何實際存儲容量卻總是小于這些值呢?難道
          • 關(guān)鍵字: NAND FLASH  eMMC  

          中國下個購并標(biāo)的:NAND Flash控制芯片

          •   中國政府近來積極透過中資集團(tuán)陸續(xù)收購或入資海外半導(dǎo)體公司,期建立自有半導(dǎo)體供應(yīng)鏈?,F(xiàn)階段,邏輯晶片從設(shè)計、制造到封裝測試皆已具雛型,反觀記憶體領(lǐng)域則為主要發(fā)展缺口。資策會MIC認(rèn)為,中資集團(tuán)下一波購并目標(biāo)將鎖定NAND Flash控制晶片業(yè)者,并設(shè)法取得大規(guī)模制造產(chǎn)能,以補(bǔ)強(qiáng)記憶體產(chǎn)業(yè)發(fā)展。   資策會MIC產(chǎn)業(yè)顧問兼主任洪春暉表示,中國近期積極透過購并,來改善半導(dǎo)體自制比例過低的情形,現(xiàn)今中國在本土邏輯IC設(shè)計、晶圓代工、邏輯IC封測等產(chǎn)業(yè)鏈上,已有一定程度的發(fā)展,上述領(lǐng)域皆具有本土廠商或已與外商
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  芯片  

          TrendForce:經(jīng)濟(jì)前景未明,2016年全球NAND Flash產(chǎn)值增長有限

          •   全球經(jīng)濟(jì)依舊前景不明,各項NAND Flash終端需求廠商態(tài)度相對保守,TrendForce旗下存儲事業(yè)處DRAMeXchange調(diào)查顯示,由于終端設(shè)備平均搭載量與固態(tài)硬盤(SSD)需求增長,2016年整體NAND Flash需求位量將較2015年增長44%,然而生產(chǎn)端為了快速降低成本以刺激更多的需求,NAND Flash廠商將會加速3D-NAND Flash的開發(fā),整體NAND Flash年度位元產(chǎn)出增長率將大幅增長50%。   DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,2016年NAND Fl
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  TLC  

          掌握ECC/壞區(qū)塊管理眉角 NAND Flash嵌入式應(yīng)用效能增

          •   NAND Flash記憶體在出廠時是允許部分晶片含有壞區(qū)塊,或者好的區(qū)塊中含有一些錯誤位元,因此在實際應(yīng)用時,須搭配使用控制器,透過硬體與軟體進(jìn)行壞區(qū)塊管理,以及利用錯誤更正編碼(ECC)演算法修正錯誤位元,方能提升嵌入式系統(tǒng)儲存效能。   NAND型快閃記憶體(NAND Flash) IC的技術(shù)演進(jìn)快速,平均每1∼2年就前進(jìn)一個制程世代來降低成本,在售價大幅下降情況下,愈來愈多嵌入式系統(tǒng),例如:藍(lán)光播放器、電視、數(shù)位相機(jī)、印表機(jī)等應(yīng)用均采用NAND低成本的優(yōu)勢,取代原本使用的NOR型快閃記
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  

          中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

          •   研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。   TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠(yuǎn)來看,NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存
          • 關(guān)鍵字: NAND Flash  SSD  

          中國NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整

          •   研究機(jī)構(gòu)TrendForce表示,隨著清華紫光投資NAND Flash儲存相關(guān)公司的腳步加快,以及中國半導(dǎo)體業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)鏈的布局日趨完整,中國業(yè)者在NAND Flash產(chǎn)業(yè)地位也越來越關(guān)鍵。   TrendForce 旗下存儲器儲存事業(yè)處DRAMeXchange研究協(xié)理楊文得表示,雖然NAND Flash短期內(nèi)受到供過于求的影響呈現(xiàn)較為疲軟的格局,但長遠(yuǎn)來看,NAND Flash的相關(guān)應(yīng)用成長依舊快速。SSD與eMMC在各種電子產(chǎn)品的能見度越來愈高,NAND Flash成為未來儲存
          • 關(guān)鍵字: AND Flash  

          科技行業(yè)為Flash準(zhǔn)備“葬禮”

          • 過去多年時間里,來自Adobe的熱門軟件Flash讓網(wǎng)絡(luò)變得更豐富,然而,F(xiàn)lash的安全性一直飽受詬病,而近期發(fā)生的信息安全事故再次表明,F(xiàn)lash應(yīng)當(dāng)走向消亡。
          • 關(guān)鍵字: Adobe  Flash  

          基于ARM7軟中斷程序的設(shè)計

          •   筆者在設(shè)計一項目時采用LPC2458。此CPU為ARM7內(nèi)核,帶512K字節(jié)的片內(nèi)FLASH,98k字節(jié)的片內(nèi)RAM,支持片外LOCAL BUS總線,可從片外NOR FLASH啟動CPU.由于代碼量較大,程序放在片外的NOR FLASH中。且存在片外NOR FLASH在運(yùn)行程序時,需對片外的NOR FLASH擦寫的需求。圖1為存儲部分框圖。        圖1存儲部分原理框圖   在設(shè)計中,片外NOR FLASH的大小為16M字節(jié)。其中2M規(guī)劃為存放運(yùn)行程序,剩余的空間用于產(chǎn)品運(yùn)
          • 關(guān)鍵字: ARM7  FLASH  
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          flash介紹

          閃存(Flash ROM): 是一種電擦除非易失型存儲器,由浮柵型場效應(yīng)管構(gòu)成,寫入時,利用熱電子注入,使浮柵帶電;擦除時,則利用高壓下的隧道效應(yīng),使浮柵失去電子。 FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù),內(nèi)部是相對靜態(tài)的,體積小,抗震性很高(便于攜帶)。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快,價格下降也很快,這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。 [ 查看詳細(xì) ]

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