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大容量NOR Flash與8位單片機(jī)的接口設(shè)計(jì)
- Flash存儲(chǔ)器又稱閃速存儲(chǔ)器，是20世紀(jì)80年代末逐漸發(fā)展起來的一種新型半導(dǎo)體不揮發(fā)存儲(chǔ)器。它兼有RAM和ROM的特點(diǎn)，既可以在線擦除、改寫，又能夠在掉電后保持?jǐn)?shù)據(jù)不丟失。NOR Flash是Flash存儲(chǔ)器中最早出現(xiàn)的一個(gè)品種，與其他種類的Flash存儲(chǔ)器相比具有以下優(yōu)勢(shì)：可靠性高、隨機(jī)讀取速度快，可以單字節(jié)或單字編程，允許CPU直接從芯片中讀取代碼執(zhí)行等。因此NOR Flash存儲(chǔ)器在嵌入式系統(tǒng)應(yīng)用開發(fā)中占有非常重要的地位。本文以SST公司的NOR Flash芯片SST39SF040和MCS-51單
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麥格理分析師：DRAM和Flash價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到年底
- 據(jù)外媒報(bào)道，存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)上周出現(xiàn)降溫雜音，麥格理分析師Daniel Kim提出反駁。 他認(rèn)為下半年DRAM和NAND價(jià)格仍會(huì)續(xù)漲，有利美光、西部數(shù)據(jù)、三星、南亞科、力成、東芝和SK海力士股價(jià)。 據(jù)巴隆周刊(Barron's)報(bào)導(dǎo)，Daniel Kim發(fā)布報(bào)告說：「所有數(shù)據(jù)和消息都表明存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)今年下半年會(huì)比預(yù)期更強(qiáng)。 」他看好存儲(chǔ)芯片價(jià)格會(huì)持續(xù)漲到今年底。 整體來說，Daniel Kim認(rèn)為芯片價(jià)格上漲，即暴露看空論點(diǎn)的瑕疵。 他指出，建構(gòu)數(shù)據(jù)中心的廠商「重視的是系統(tǒng)的表現(xiàn)而
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大陸韓國擴(kuò)產(chǎn)競(jìng)賽 Flash后年產(chǎn)能恐過剩
- 儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)(NANDFlash)軍備競(jìng)賽再起，南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士決定再投資3.16兆韓元(約27億美元)，在南韓及大陸兩地增加存儲(chǔ)產(chǎn)能;紫光集團(tuán)旗下的長江存儲(chǔ)武漢廠，也預(yù)定本月底正式動(dòng)土，都為2018年供給過于求再現(xiàn)，埋下隱憂。 目前各市調(diào)機(jī)構(gòu)均看好明年NANDFlash仍處于供不應(yīng)求局面，但南韓存儲(chǔ)大廠SK海力士上周宣布將在南韓蓋一座全新快閃存儲(chǔ)廠，在中國大陸也將加碼投資9,500億韓元，擴(kuò)充產(chǎn)能，希望市占率能趕上三星，但也為NANDFlash市場(chǎng)投下新變數(shù)。 稍早三星和美光也都
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為滿足NAND Flash市場(chǎng)需求 SK海力士建新廠
- SK海力士宣布將在忠清北道清州市新建一個(gè)存儲(chǔ)器晶圓廠，滿足NAND Flash市場(chǎng)增加的需求。新工廠將坐落在清州科技園。SK海力士下個(gè)月開始設(shè)計(jì)外部的建設(shè)，2017年8月到2019年6月期間完成潔凈室的裝備，總投資達(dá)2.2兆韓元(18.4億美金)。 SK海力士表示，公司決定額外的新建一座Fab工廠，主要是為了確保能夠滿足NAND Flash市場(chǎng)需求的增長，以及引導(dǎo)向3D NAND發(fā)展。加之，考慮到通常建立一個(gè)半導(dǎo)體工廠需要超過2年，所以提前做好準(zhǔn)備。 SK海力士曾在20
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Flash數(shù)據(jù)為何不翼而飛
- 芯片貼板后跑不起來?Flash里面的數(shù)據(jù)在使用過程中莫名改變或不翼而飛?程序丟失可能無法正常運(yùn)行，從而造成整個(gè)系統(tǒng)崩潰，下面我們來看看是什么原因讓數(shù)據(jù)異常變化?！ ?nbsp; 1、用戶代碼對(duì)Flash的誤操作不當(dāng)引起程序丟失或被錯(cuò)誤改寫 例如，在有對(duì)Flash寫入或擦除操作的代碼中，如果用戶誤調(diào)用了寫入或擦除函數(shù)或者由于程序跑飛而恰好執(zhí)行了Flash擦除或?qū)懭牒瘮?shù)，這自然會(huì)導(dǎo)致數(shù)據(jù)丟失或改變。針對(duì)以上情況，可以在程序中設(shè)置多個(gè)允許操作的變量，當(dāng)執(zhí)行寫入或擦除操作時(shí)，對(duì)
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NAND Flash供不應(yīng)求，第三季品牌商營收大幅季成長19.6%
- TrendForce集邦科技旗下存儲(chǔ)研究品牌DRAMeXchange(全球半導(dǎo)體觀察)最新調(diào)查顯示，受惠于智能手機(jī)需求強(qiáng)勁，及供給端2D-NAND 轉(zhuǎn)進(jìn)3D-NAND 所導(dǎo)致的整體產(chǎn)出減少，第三季NAND Flash開始漲價(jià)，使得NAND Flash原廠營收季成長19.6%，營業(yè)利益率也較上季大幅進(jìn)步。 DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，第四季各?xiàng)終端設(shè)備出貨進(jìn)入今年最高峰，預(yù)估整體NAND Flash供不應(yīng)求的市況將更為顯著，各項(xiàng)NAND Flash產(chǎn)品的合約價(jià)漲幅將更高，廠商的營收
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Flash缺貨，存儲(chǔ)器成為三星的搖錢樹
- NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1。(法新社) 根據(jù)DIGITIMES的報(bào)導(dǎo)，NAND Flash缺貨，加上SSD可能是新款電子產(chǎn)品的重要選擇，缺貨現(xiàn)象可能延續(xù)到2017Q1以后。估計(jì)2017年DRAM供應(yīng)量成長率是15%，比2016年的32%低很多，而Flash更是從67%暴跌至35%。更值得注意的是，2016年投資金額為10兆韓元的記憶體產(chǎn)業(yè)，2017年將增加至13兆韓元，其中4兆韓元用于DRAM，F(xiàn)lash則約9兆韓元，遠(yuǎn)不如原
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中國存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形 各自進(jìn)擊
- 早前報(bào)導(dǎo)，中國存儲(chǔ)三大勢(shì)力成形，目前長江存儲(chǔ)、晉華集成已積極展開建廠、布建產(chǎn)能，就差合肥團(tuán)隊(duì)還未有相關(guān)消息，現(xiàn)在相關(guān)招募信息與環(huán)評(píng)結(jié)果曝光，也透露更多發(fā)展信息。 中國發(fā)展存儲(chǔ)成三路進(jìn)擊，除了由武漢新芯與紫光合體組成的長江存儲(chǔ)、聯(lián)電相助的福建晉華集成，第三勢(shì)力在兆易創(chuàng)新與前中芯CEO王寧國主導(dǎo)的合肥長鑫合作下也蠢蠢欲動(dòng)，現(xiàn)在從兆易創(chuàng)新的招募消息與合肥長鑫的環(huán)評(píng)公告，也可一窺其在合肥的布局。 合肥將發(fā)展存儲(chǔ)的消息已不是新聞，但原先傳出與合肥市政府合作的爾必達(dá)前社長坂本幸雄，目前得到消息已淡出合
- 關(guān)鍵字： 長江存儲(chǔ) Flash
基于TMS320C6678的多核DSP加載模式研究
- 摘要：德州儀器TI推出的八核DSP芯片TMS320C6678是目前基于Keystone架構(gòu)的最高性能的DSP器件，是市場(chǎng)上應(yīng)用廣泛的C6455高端處理平臺(tái)升級(jí)的理想選擇。本文主要研究了C6678 DSP程序的各種單核加栽和多核加載的幾種模式
- 關(guān)鍵字： C6678 DSP flash boot 多核boot I2C引導(dǎo) SRIO 網(wǎng)絡(luò)
FAT文件系統(tǒng)在NAND Flash存儲(chǔ)器上的改進(jìn)設(shè)計(jì)
- 嵌入式系統(tǒng)的大量數(shù)據(jù)都存儲(chǔ)在其F1ash芯片上。根據(jù)Flash器件的固有特性，構(gòu)建一個(gè)適合管理NAND Flash存儲(chǔ)器的FAT文件系統(tǒng)，并闡述具體的設(shè)計(jì)思想。
- 關(guān)鍵字： Flash NAND FAT 文件系統(tǒng)
如何將“壞塊”進(jìn)行有效利用
- 被廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板等數(shù)碼設(shè)備中的Nand Flash由于工藝原因無法避免壞塊的存在，但是我們可以憑借高科技變廢為寶，將“壞塊”進(jìn)行有效的利用，從而滿足我們的應(yīng)用需求，讓壞塊不“壞”。 要想變廢為寶，有效利用壞塊。我們首先要弄明白什么是“壞塊”，做到知己知彼，才能為我所用。壞塊的特點(diǎn)是當(dāng)編程或者擦除這個(gè)塊時(shí)，不能將某些位拉高，從而造成編程和塊擦除操作時(shí)的錯(cuò)誤，這種錯(cuò)誤可以通過狀態(tài)寄存器的值反映出來。這些無效塊無法確定編程時(shí)
- 關(guān)鍵字： Nand Flash 寄存器
flash介紹
閃存（Flash ROM）：
是一種電擦除非易失型存儲(chǔ)器，由浮柵型場(chǎng)效應(yīng)管構(gòu)成，寫入時(shí)，利用熱電子注入，使浮柵帶電；擦除時(shí)，則利用高壓下的隧道效應(yīng)，使浮柵失去電子。
FLASH閃存是半導(dǎo)體技術(shù)，內(nèi)部是相對(duì)靜態(tài)的，體積小，抗震性很高（便于攜帶）。加上半導(dǎo)體技術(shù)發(fā)展很快，價(jià)格下降也很快，這是目前的MP3大多數(shù)是用FLASH閃存的原因。
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