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拆解：三星Galaxy Watch 7中的Exynos W1000處理器3nm GAA工藝
- 三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術(shù)的極限。這款最新型號承襲了其前身產(chǎn)品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現(xiàn)了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術(shù)分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內(nèi)部結(jié)構(gòu)的深入分析，我們將揭示這款設(shè)備在智能手表領(lǐng)域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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拜登政府恐對中國大陸封鎖最強GAA技術(shù)
- 美中貿(mào)易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產(chǎn)業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術(shù)祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術(shù)的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經(jīng)媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術(shù)，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術(shù)，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術(shù)，臺積電則從2納米
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GaN FET讓您實現(xiàn)高性能D類音頻放大器
- D類音頻放大器參考設(shè)計(EPC9192)讓模塊化設(shè)計具有高功率和高效，從而可實現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計，可實現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設(shè)計，其主板配有兩個PWM調(diào)制器和兩個半橋功率級子板，實現(xiàn)具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設(shè)計的靈活性高，使
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測試共源共柵氮化鎵 FET
- Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關(guān)操作并具有更寬的柵極驅(qū)動電壓范圍。然而，電路設(shè)計人員發(fā)現(xiàn)該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設(shè)計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關(guān)斷時的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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適用于自主駕駛車輛LiDAR的GaN FET快速指南
- 激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農(nóng)業(yè)。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統(tǒng)必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因為需要使用微控制器或其他大型數(shù)字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅(qū)動它，這樣就必須增加一個柵極
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三星Exynos 2500芯片試產(chǎn)失?。?nm GAA工藝仍存缺陷
- 最新報道，三星的3nm GAA生產(chǎn)工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產(chǎn)過程中被發(fā)現(xiàn)存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產(chǎn)質(zhì)量問題，未能通過三星內(nèi)部的質(zhì)量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產(chǎn)計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產(chǎn)階段。值得關(guān)注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構(gòu)，升級之處在于將采用全新的
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消息稱三星 3nm GAA 工藝試產(chǎn)失敗，Exynos 2500 芯片被打上問號
- 2 月 2 日消息，根據(jù)韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產(chǎn)工藝存在問題，嘗試生產(chǎn)適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質(zhì)量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產(chǎn)。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構(gòu)，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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臺積電2nm制程進展順利 晶圓廠最快4月進機
- 臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產(chǎn)之后，研發(fā)和量產(chǎn)的重點隨之轉(zhuǎn)向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現(xiàn)量產(chǎn)。這意味著工廠及相關(guān)的設(shè)備要做好準備，以確保按計劃順利量產(chǎn)。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經(jīng)完成鋼構(gòu)工程，并正在進行無塵室等內(nèi)部工程 —— 最快4月啟動設(shè)備安裝工作，相關(guān)動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術(shù)的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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EPC GaN FET可在數(shù)納秒內(nèi)驅(qū)動激光二極管，實現(xiàn)75~231A脈沖電流
- 宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）推出三款激光驅(qū)動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉(zhuǎn)換的GaN FET以實現(xiàn)具備卓越性能的激光雷達系統(tǒng)。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅(qū)動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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臺積電2納米驚爆大弱點？三星搶訂單
- 臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術(shù)與訂單仍保持一定優(yōu)勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉(zhuǎn)進GAA技術(shù)，三星還是得向臺積電看齊學習。即使如此，三星也打算透過低價策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報導，三星雖在3納米就開始使用GAA技術(shù)，量產(chǎn)時間也比臺積電早數(shù)個月，但在良率與技術(shù)上無法獲得客戶青睞，蘋果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術(shù)。三星不甘示弱，希望能在2納米領(lǐng)域上扭
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日立高新技術(shù)公司部宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)
- 日立高新技術(shù)公司宣布推出其GT2000高精度電子束測量系統(tǒng)。GT2000利用日立高新技術(shù)在CD-SEM*1方面的技術(shù)和專業(yè)知識，在那里占有最大的市場份額。GT2000配備了用于尖端3D半導體器件的新型檢測系統(tǒng)。它還利用低損傷高速多點測量功能用于high-NA EUV*2抗蝕劑晶片成像，以最小化抗蝕劑損傷并提高批量生產(chǎn)的產(chǎn)率。日立高新技術(shù)（Hitachi High-Tech）GT2000 CD-SEM將能夠?qū)崿F(xiàn)高級半導體器件制造過程中的高精度、高速測量和檢測，這些半導體器件正變得越來越小型化和復雜化，并有助
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Nexperia針對工業(yè)和可再生能源應用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
- 基礎(chǔ)半導體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia今天宣布推出新款GaN FET器件，該器件采用新一代高壓GaN HEMT技術(shù)和專有銅夾片CCPAK表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應用的設(shè)計人員提供更多選擇。經(jīng)過二十多年的辛勤耕耘，Nexperia在提供大規(guī)模、高質(zhì)量的銅夾片SMD封裝方面積累了豐富的專業(yè)知識，如今成功將這一突破性的封裝方案CCPAK應用于級聯(lián)氮化鎵場效應管（GaN FET），Nexperia對此感到非常自豪。GAN039-650NTB是一款33 mΩ（典型值）的氮化鎵場效應管，采用CCP
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