本期，我們將聚焦于緩沖反激式轉換器，探討如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓為大家提供全新的解決思路！上一期，我們介紹了如何在正向轉換器導通時緩沖輸出整流器的電壓?，F在，我們看一下如何在反激式轉換器中緩沖 FET 關斷電壓。圖 1 顯示了反激式轉換器功率級和初級 MOSFET 電壓波形。該轉換器的工作原理是將能量存儲在變壓器的初級電感中，并在 MOSFET 關斷時將能量釋放到次級電感。圖 1. 漏電感會在 FET 關斷時產生過高電壓當 MOSFET 關斷時，通常需要一個緩沖器，因為變壓器的漏電感會導
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FET 反激式轉換器
電力電子設備中使用的半導體材料正從硅過渡到寬禁帶（WBG）半導體，比如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）等半導體在更高功率水平下具有卓越的性能，被廣泛應用于汽車和工業(yè)領域中。由于工作電壓高，SiC技術正被應用于電動汽車動力系統，而GaN則主要用作筆記本電腦、移動設備和其他消費設備的快速充電器。本文主要說明的是，但雙脈沖測試也可應用于硅器件、MOSFET或IGBT中。為確保這些設備的可靠性，雙脈沖測試（DPT）已發(fā)展成為一種行業(yè)標準技術，用于測量開啟、關閉和反向恢復期的一系列重要參數。雙脈沖測試系統包括示波
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202411 寬禁帶 FET 測試
三星最新推出的Galaxy Watch 7，繼續(xù)重新定義可穿戴技術的極限。這款最新型號承襲了其前身產品的成功之處，同時在性能、健康追蹤和用戶體驗方面實現了重大突破。TechInsights在位于渥太華和華沙的實驗室收到了Galaxy Watch系列的最新款，目前正在對其進行拆解和詳細的技術分析。敬請期待我們對Galaxy Watch 7內部結構的深入分析，我們將揭示這款設備在智能手表領域脫穎而出的原因。? Galaxy Watch 7的核心是三星Exynos W1000處理器。這款最新的Exyn
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三星 Galaxy Watch 7 Exynos W1000 處理器 3nm GAA
碳化硅場效應晶體管(SiC FET)接近于理想的開關，具有低損耗、寬帶隙技術和易于集成設計等優(yōu)勢。Qorvo的SiC FET技術如今以高效模塊化產品的形式呈現;本文探討了這種產品形態(tài)如何使SiC FET成為太陽能逆變器應用的理想之選。
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202407 太陽能 PV SiC FET 寬帶隙 碳化硅 光伏
美中貿易戰(zhàn)沖突未歇，傳出美國將再次出手打擊大陸半導體產業(yè)，針對最新的環(huán)繞閘極場效晶體管（GAA）技術祭出限制措施，限制其獲取人工智能（AI）芯片技術的能力，換言之，美國將防堵大陸取得先進芯片，擴大受管制的范圍。 美國財經媒體引述知情人士消息報導，拜登政府考慮新一波的半導體限制措施，以避免大陸能夠提升技術，進而增強軍事能力，有可能限制大陸取得GAA技術，但確切狀況仍得等官方進一步說明，且不清楚官員何時會宣布新措施。若此事成真，大陸發(fā)展先進半導體將大受打擊。目前三星從3納米開始使用GAA技術，臺積電則從2納米
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GAA 臺積電 三星
D類音頻放大器參考設計(EPC9192)讓模塊化設計具有高功率和高效，從而可實現全定制、高性能的電路設計。宜普電源轉換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設計，可實現優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器，于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設計中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢，在4Ω負載時，每聲道輸出功率達700 W。EPC9192是可擴展的模塊化設計，其主板配有兩個PWM調制器和兩個半橋功率級子板，實現具備輔助管理電源和保護功能的雙通道放大器。這種設計的靈活性高，使
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GaN FET D類音頻放大器
Cascode GaN FET 動態(tài)測試面臨的挑戰(zhàn) Cascode GaN FET 比其他類型的 GaN 功率器件更早進入市場，因為它可以提供常關操作并具有更寬的柵極驅動電壓范圍。然而，電路設計人員發(fā)現該器件在實際電路中使用起來并不那么容易，因為它很容易發(fā)生振蕩，并且其器件特性很難測量并獲得可重復的提取。許多設計人員在電路中使用大柵極電阻時必須減慢器件的運行速度，這降低了使用快速 GaN 功率器件的優(yōu)勢。圖 1 顯示了關斷時的發(fā)散振蕩。圖 2 顯示了導通時的大柵極電壓振鈴。兩者都與圖 3 所示的 Cas
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氮化鎵 FET
全球增強型氮化鎵(GaN)功率 FET 和 IC領域的領導者宜普電源轉換公司（EPC）推出 100 V、1 mOhm EPC2361。這是市場上具有最低導通電阻的GaN FET，與EPC的上一代產品相比，其功率密度提高了一倍。EPC2361的RDS(on)典型值只有1 mOhm，采用耐熱QFN封裝，頂部裸露，封裝尺寸只有3 mm x 5 mm。EPC2361的RDS(on)最大值x面積僅為15 mΩ*mm2 –比等效100 V 硅MOSFET的體積小超過五倍。憑借超低導通電阻
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EPC 1mΩ 導通電阻 GaN FET
激光探測及測距 (LiDAR) 的應用包括自主駕駛車輛、無人機、倉庫自動化和精準農業(yè)。在這些應用中，大多都有人類參與其中，因此人們擔心 LiDAR 激光可能會對眼睛造成傷害。為防止此類傷害，汽車 LiDAR 系統必須符合 IEC 60825-1 1 類安全要求，同時發(fā)射功率不超過 200 W。通用解決方案一般采用 1 至 2 ns 脈沖，重復頻率為 1 至 2 MHz。這很有挑戰(zhàn)性，因為需要使用微控制器或其他大型數字集成電路 (IC) 來控制激光二極管，但又不能直接驅動它，這樣就必須增加一個柵極
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自主駕駛 LiDAR GaN FET
最新報道，三星的3nm GAA生產工藝存在問題，原計劃搭載于Galaxy S25/S25+手機的Exynos 2500芯片在生產過程中被發(fā)現存在嚴重缺陷，導致良品率直接跌至0%。報道詳細指出，由于Exynos 2500芯片在3nm工藝下的生產質量問題，未能通過三星內部的質量檢測。這不僅影響了Galaxy S25系列手機的生產計劃，還導致原定于后續(xù)推出的Galaxy Watch 7的芯片組也無法如期進入量產階段。值得關注的是，Exynos 2500原計劃沿用上一代的10核CPU架構，升級之處在于將采用全新的
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三星 Exynos 芯片 3nm GAA
2 月 2 日消息，根據韓媒 DealSite+ 報道，三星的 3nm GAA 生產工藝存在問題，嘗試生產適用于 Galaxy S25 / S25+ 手機的 Exynos 2500 芯片，均存在缺陷，良品率 0%。報道指出由于 3nm 工藝的 Exynos 2500 芯片因缺陷未能通過質量測試，導致后續(xù) Galaxy Watch 7 的芯片組也無法量產。此前報道，Exynos 2500 將沿用上一代的 10 核 CPU 架構，同時引入全新的 Cortex-X5 核心。Exynos 2500 的
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三星 3nm GAA Exynos 2500 芯片
中國 北京，2024 年 1 月 30 日——全球領先的連接和電源解決方案供應商 Qorvo?（納斯達克代碼：QRVO）今日宣布一款符合車規(guī)標準的碳化硅（SiC）場效應晶體管（FET）產品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車載充電器、DC/DC
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Qorvo SiC FET 電動汽車
臺積電在3nm制程工藝于2022年四季度開始量產之后，研發(fā)和量產的重點隨之轉向下一代2nm制程工藝，計劃在2025年實現量產。這意味著工廠及相關的設備要做好準備，以確保按計劃順利量產。臺積電進入GAA時代的2nm制程進展順利，最新援引供應鏈合作伙伴的消息報道稱，位于新竹科學園區(qū)的寶山2nm首座晶圓廠P1已經完成鋼構工程，并正在進行無塵室等內部工程 —— 最快4月啟動設備安裝工作，相關動線已勘查完成。而P2及高雄兩地的工廠則計劃在2025年開始制造采用此項技術的2nm芯片，中科二期則視需求狀況預定
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臺積電 2nm 制程 晶圓廠 GAA
宜普電源轉換公司（EPC）推出三款激光驅動器電路板，這些板采用了符合AEC-Q101認證標準、快速轉換的GaN FET以實現具備卓越性能的激光雷達系統。EPC推出三款評估板，分別是EPC9179、EPC9181和EPC9180，它采用75 A、125 A、231 A脈沖電流激光驅動器和通過車規(guī)級AEC-Q101認證的EPC GaN FET - EPC2252、EPC2204A 和EPC2218A。它比前代氮化鎵器件的體積小30%和更具成本效益。這些電路板專為長距離和
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EPC GaN FET 激光二極管
臺積電為全球晶圓代工龍頭，后頭追兵三星與英特爾來勢洶洶，但臺積電在技術與訂單仍保持一定優(yōu)勢，尤其三星至今在3納米方面，依然無法取得頂尖客戶的信任，三星高層也坦言，一旦臺積電在2納米轉進GAA技術，三星還是得向臺積電看齊學習。即使如此，三星也打算透過低價策略搶市，與臺積電做出差別。綜合外媒報導，三星雖在3納米就開始使用GAA技術，量產時間也比臺積電早數個月，但在良率與技術上無法獲得客戶青睞，蘋果、輝達等科技巨頭的大單仍在臺積電手上，臺積電3納米沿用較舊的FinFET技術。三星不甘示弱，希望能在2納米領域上扭
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臺積電 2納米 三星 GAA
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