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          CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開(kāi)關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  

          如何對(duì)反向轉(zhuǎn)換器的FET關(guān)斷電壓進(jìn)行緩沖

          •   圖 1 顯示了反向轉(zhuǎn)換器功率級(jí)和一次側(cè) MOSFET 電壓波形。該轉(zhuǎn)換器將能量存儲(chǔ)于一個(gè)變壓器主繞組電感中并在 MOSFET 關(guān)閉時(shí)將其釋放到次級(jí)繞組。由于變壓器的漏極電感會(huì)使漏電壓升至反射輸出電壓 (Vreset) 以上,因
          • 關(guān)鍵字: 進(jìn)行  緩沖  電壓  關(guān)斷  轉(zhuǎn)換器  FET  如何  

          MOS-FET開(kāi)關(guān)電路

          • MOS-FET雖然與JFET結(jié)構(gòu)不同,但特性極為相似,N溝道和P溝道各分增強(qiáng)型和耗盡型,可在許多電路中代替J-FET,如圖5.4-97所示,電路用MOS-FET代替J-FET更簡(jiǎn)單,如釁5.4-100所示短路開(kāi)關(guān)對(duì)應(yīng)圖5.4-96中的A、C、D三個(gè)電路
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          J-FET開(kāi)關(guān)電路工作原理

          • 1、簡(jiǎn)單開(kāi)關(guān)控制電路圖5.4-97為簡(jiǎn)單J-FET開(kāi)關(guān)電路。當(dāng)控制電壓VC高于輸入電壓V1時(shí),VGS=0,J-FET導(dǎo)通,傳輸信號(hào)至VO;當(dāng)VC比V1足夠負(fù),VD導(dǎo)通而J-FET截止,VO=0。2、改進(jìn)的J-FET開(kāi)關(guān)電路圖5.4-98電路是圖5.4-97電路的
          • 關(guān)鍵字: J-FET  開(kāi)關(guān)電路  工作原理    

          與萬(wàn)用表結(jié)合使用的FET VP、VOO檢驗(yàn)器

          • 電路的功能場(chǎng)效晶體管漏極飽和電流IDSS和夾斷電壓VP等有很大差別,所以確定置偏很麻煩。雖然在生產(chǎn)廠已分了幾種等級(jí),但一個(gè)等級(jí)內(nèi)仍有差別,如果在組裝電路之前測(cè)量實(shí)際工作電流狀態(tài)下的VP和VOS則比較方便。測(cè)量時(shí),
          • 關(guān)鍵字: VOO  檢驗(yàn)  VP  FET  結(jié)合  使用  萬(wàn)用表  

          使用FET輸入型OP放大器的長(zhǎng)時(shí)間模擬定時(shí)電路

          • 電路的功能定時(shí)器專(zhuān)用IC有NE555和C-MOS單穩(wěn)態(tài)多批振蕩器4538B等。然后用FET輸入型OP放大器也可用途長(zhǎng)時(shí)間定時(shí)電路。本電路采用其他模擬電路中使用的雙OP放大器余下的一個(gè)來(lái)組成定時(shí)器,這樣可以減少I(mǎi)C的數(shù)量,事先了
          • 關(guān)鍵字: FET  輸入  OP放大器  模擬定時(shí)電路    

          可用于VCA或幅度調(diào)制的FET乘法運(yùn)算電路

          • 電路的功能本電路是一種使用雙FET的2象限乘法電路最大輸入電壓為10V,2象限乘法運(yùn)算與幅度調(diào)制(AM)等效,可作為低頻調(diào)制電路使用。電路工作原理本電路利用了FET的溝道電阻變化,以TT15、TT16特性相同為前提條件,O
          • 關(guān)鍵字: VCA  FET  幅度調(diào)制  乘法運(yùn)算電路    

          使用結(jié)型FET的簡(jiǎn)易電壓控制放大器

          • 電路的功能在VCA(電壓控制放大器)。由反饋環(huán)路組成電路時(shí),通過(guò)控制反正電壓來(lái)改變放大器增益。所以傳統(tǒng)的作法是利用二極管的單向特性或采用CDS光耦合器。而在本電路中,是利用柵極源極之間的電壓使溝道電阻發(fā)生變
          • 關(guān)鍵字: FET  結(jié)型  電壓控制  放大器    

          Vishay推出4款MOSFET

          •   日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出4款新的600V MOSFET --- SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK)、SiHG22N60S(TO-247)和SiHB22N60S(TO-263),將其Super Junction FET®技術(shù)延伸到TO-220、TO-220F、TO-247和TO-263封裝。   新的SiHP22N60S(TO-220)、SiHF22N60S(TO-220 FULLPAK
          • 關(guān)鍵字: Vishay  MOSFET  FET  

          友達(dá)光電宣布收購(gòu)FET公司的FED資產(chǎn)及技術(shù)

          •   友達(dá)光電1月20日宣布, 與由索尼(SONY)持股39.8%的Field Emission Technologies Inc. 公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)FET)及FET Japan Inc.(以下簡(jiǎn)稱(chēng)FETJ)簽署資產(chǎn)收購(gòu)技術(shù)移轉(zhuǎn)協(xié)議,收購(gòu)FET的場(chǎng)發(fā)射顯示器(field emission displays;FED)技術(shù),該公司為全球FED技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者。友達(dá)在此交易中,將取得FET顯示技術(shù)及材料的專(zhuān)利、技術(shù)、發(fā)明,以及相關(guān)設(shè)備等資產(chǎn)。   FED技術(shù)在快速反應(yīng)時(shí)間、高效率、亮度和對(duì)比度方面不但能與傳統(tǒng)CRT相
          • 關(guān)鍵字: 友達(dá)  FED  FET  

          瞄準(zhǔn)高端市場(chǎng) 友達(dá)將收購(gòu)FET的部分資產(chǎn)

          •   臺(tái)灣友達(dá)科技近日宣布,他們已經(jīng)與FET公司以及FET日本公司達(dá)成了協(xié)議,友達(dá)將出資收購(gòu)FET公司的部分資產(chǎn),并將因此而獲得FET公司的部分專(zhuān)利技術(shù)。FET公司目前在FED場(chǎng)射顯示技術(shù)(Field Emission Display)領(lǐng)域占據(jù)領(lǐng)先地位,索尼公司目前擁有FET公司39.8%的股份。友達(dá)并表示,其收購(gòu)的內(nèi)容將包括FED場(chǎng)射面板相 關(guān)技術(shù)專(zhuān)利,F(xiàn)ED技術(shù)實(shí)施方案,以及FED面板生產(chǎn)用設(shè)備等。   FED場(chǎng)射面板兼具CRT顯示器和LCD顯示器的優(yōu)勢(shì),其工作原理與CRT顯示器完全相同,同樣采用
          • 關(guān)鍵字: 友達(dá)  FED  FET  

          砷化鎵外延襯底市場(chǎng)規(guī)模將超過(guò)4億美元

          •   Strategy Analytics 發(fā)布最新年度預(yù)測(cè)報(bào)告“半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)預(yù)測(cè)2008-2013”。報(bào)告總結(jié),2008年半絕緣砷化鎵(SI GaAs)外延襯底市場(chǎng)年增長(zhǎng)率達(dá)到22%,但 Strategy Analytics 預(yù)計(jì)2009年該市場(chǎng)將持平或轉(zhuǎn)負(fù)增長(zhǎng)。借助下一代蜂窩手機(jī)平臺(tái)上嵌入多砷化鎵(GaAs)器件,以及來(lái)自其它市場(chǎng)對(duì)砷化鎵 (GaAs) 器件的需求,半絕緣砷化鎵 (SI GaAs) 外延襯底市場(chǎng)在2010年將恢復(fù)增長(zhǎng)。   一直
          • 關(guān)鍵字: GaAs  外延襯底  FET  HBT  

          T推出具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器

          •   日前,德州儀器 (TI) 宣布推出一款具有 FET 的全集成 10 A 同步降壓轉(zhuǎn)換器,該器件將寬泛的輸入、輕負(fù)載效率以及更小的解決方案尺寸進(jìn)行完美結(jié)合,可實(shí)現(xiàn)更高的電源密度。TPS51315 是一款具有 D-CAP 模式控制機(jī)制的 1 MHz DC/DC 轉(zhuǎn)換器,與同類(lèi)競(jìng)爭(zhēng)產(chǎn)品相比,該器件在將外部輸出電容需求數(shù)量降至 32% 的同時(shí),還可實(shí)現(xiàn)快速瞬態(tài)響應(yīng)。該轉(zhuǎn)換器充分利用自動(dòng)跳過(guò)模式與 Eco-mode 輕負(fù)載控制機(jī)制,幫助設(shè)計(jì)人員滿(mǎn)足能量之星/90Plus 標(biāo)準(zhǔn)的要求,從而可實(shí)現(xiàn)整個(gè)負(fù)載范圍內(nèi)的高
          • 關(guān)鍵字: TI  FET  轉(zhuǎn)換器  TPS51315  

          ADI公司推出快速FET運(yùn)算放大器

          •   2009年1月22日,中國(guó)北京——Analog Devices, Inc.(紐約證券交易所代碼: ADI),全球領(lǐng)先的高性能信號(hào)處理解決方案供應(yīng)商,最新推出一款業(yè)界最快的場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)運(yùn)算放大器——ADA4817。這款產(chǎn)品工作頻率高達(dá)1GHz,設(shè)計(jì)用于高性能的便攜式醫(yī)療診斷設(shè)備和儀器儀表設(shè)備。與競(jìng)爭(zhēng)器件相比,可提供兩倍的帶寬,同時(shí)噪聲降低一半。它已被領(lǐng)先的醫(yī)療、測(cè)試和測(cè)量設(shè)備公司所采用,用于如CT、MRI、示波器衰減探頭和其它醫(yī)療設(shè)備。與ADA4
          • 關(guān)鍵字: ADI  運(yùn)算放大器  FET  ADA4817  

          德州儀器1.5A 線性電池充電器可最大化AC 適配器與USB 輸入功率

          • 電子產(chǎn)品世界,為電子工程師提供全面的電子產(chǎn)品信息和行業(yè)解決方案,是電子工程師的技術(shù)中心和交流中心,是電子產(chǎn)品的市場(chǎng)中心,EEPW 20年的品牌歷史,是電子工程師的網(wǎng)絡(luò)家園
          • 關(guān)鍵字: FET  TI  IC-bq2407x  
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