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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> gaa fet

          使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路

          • 使用FET和雙極性晶體管的寬帶緩沖電路-下面的圖是一個寬帶緩沖電路。該電路是由晶體管和FET構成的。這個寬帶放大器具有較高的輸入阻抗和低輸入阻抗。
          • 關鍵字: FET  雙極性晶體管  緩沖電路  寬帶  

          如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響

          • 如何保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響- 在使用電子元器件時,你有時候不可避免地會聞到明顯是芯片燒焦的味道。這都是反向電流惹的禍。反向電流就是由于出現(xiàn)了高反向偏置電壓,系統(tǒng)中的電流以相反的方向運行;從輸出到輸入。幸運的是,有很多方法可以保護你的系統(tǒng)不受反向電流的影響。這是反向電流保護系列博文的第一篇文章,在這篇文章中,你將能夠對現(xiàn)有解決方案有高層次的總體認識和了解。
          • 關鍵字: FET  TPS22963  德州儀器  反向電流  

          揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗

          • 揭開電池管理系統(tǒng)的神秘面紗-現(xiàn)在的電子設備具有更高的移動性并且比以前更綠色,電池技術進步推動了這一進展,并惠及了包括便捷式電動工具、插電式混合動力車、無線揚聲器在內(nèi)的廣泛產(chǎn)品。近年來,電池效率(輸出功率/尺寸比)和重量均出現(xiàn)大幅改善。試想一下汽車電池得多龐大和笨重,其主要用途是啟動汽車。隨著技術的最新進展,你可以改用鋰離子電池來迅速啟動汽車,其重量只有幾磅,尺寸也就人手那么大。
          • 關鍵字: 電池管理系統(tǒng)  FET  FET驅動器  

          FET知識:采用結型FET實現(xiàn)的放大電路經(jīng)典案例

          •   與之前介紹的晶體管放大電路相同,各級FET放大電路之間的連接也必須通過電容連接,以構成CR的連接方式。此時,為保證柵極、源極和漏極間正確的電壓關系,就需要偏置電路來提供柵極電壓?! ∨c晶體管放大電路的接地方式相同,結型FET放大電路也有多種接地方式。  最一般的源極接地電路和自偏置電路  n溝道FET的例子如下圖所示,p溝道FET電源電壓VPS(V)和電流ID(A)的方向,與此圖完全相反?! ET源極接地電路的功能,與晶體管的共射放大電路一樣。由于結型FET的正常工作,要求柵極和源極間的電壓VGS為
          • 關鍵字: FET  放大電路  

          使用FET的壓控衰減器(音量控制)電路

          • 該電路采用衰減場效應晶體管(FET)分流信號到地面。這個R2是用來控制輸出級(衰減等級),但是你可以用其他來源的電壓信號來控制網(wǎng)格的FET如DAC輸出,這是一種負面的信號電壓會(你可以用DAC采用對稱與供電系統(tǒng))。使用FET...
          • 關鍵字: FET  壓控衰減器  

          單片機設計注意要點

          • 首先介紹一下這樣做的優(yōu)點:采用低的晶振和總線頻率使得我們可以選擇較小的單片機滿足時序的要求,這樣單片機的工作電流可以變得更低,最重要的是VDD到VSS的電流峰值會更小。
          • 關鍵字: 單片機  FET  穿通電流  工作頻率  

          學好嵌入式系統(tǒng)電路入門之——二極管/晶體管/FET

          •   導電能力介于導體與絕緣體之間的物質 - 半導體   硅和鍺是位于銀、鋁等導體和石英、陶瓷等絕緣體之間,用于制造半導體器件的原材料,具有一定電阻率。不同的物質其產(chǎn)生的不同電阻率是由于可移動的電子量不同引起的。這種可移動電子叫“自由電子”。一般我們把可以通過向其摻入雜質來改變自由電子的數(shù)量,并可控制電流動的物質稱為半導體。        根據(jù)電流流動的構造,可將半導體分為N型和P型兩類。   半導體的電流流通原理   (1) N型半導體   圖1是在硅晶
          • 關鍵字: 嵌入式系統(tǒng)  FET  

          宜普電源轉換公司(EPC)的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù),結果表明器件的失效率很低

          •   EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非常可靠,為工程師提供可信賴及可 替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?! ∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告,展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結果,以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
          • 關鍵字: 宜普電源  FET  

          TI推出業(yè)界首款100V高壓側FET驅動器可驅動高電壓電池

          •   近日,德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動能量存儲系統(tǒng),以及電機驅動型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET,包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情,敬請訪問:http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。   電感性
          • 關鍵字: TI  FET  

          詳解LED PWM調光技術及設計注意點

          •   無論LED是經(jīng)由降壓、升壓、降壓/升壓或線性穩(wěn)壓器驅動,連接每一個驅動電路最常見的線程就是須要控制光的輸出?,F(xiàn)今僅有很少數(shù)的應用只需要開和關的簡單功能,絕大多數(shù)都需要從0~100%去微調亮度。目前,針對亮度控制方面,主要的兩種解決方案為線性調節(jié)LED的電流(模擬調光)或在肉眼無法察覺的高頻下,讓驅動電流從0到目標電流值之間來回切換(數(shù)字調光)。利用脈沖寬度調變(PWM)來設定循環(huán)和工作周期可能是實現(xiàn)數(shù)字調光的最簡單的方法,原因是相同的技術可以用來控制大部分的開關轉換器。   PWM調光能調配準確色光
          • 關鍵字: PWM  FET  

          基于場效應管的功率放大器設計

          • 摘要:用場效應晶體管設計出有膽味的音頻功率放大器。前級采用單管、甲類,后級采用甲乙類推挽放大技術。實驗證明差分放大器使用的對管的一致性與整機的失真程度密切相關。從聽音效果來看,末級電流200mA是理想值。 前后級間耦合電容對聽音影響較大,要求質量高些。 對于音頻功率放大器而言,最好聽的莫過于甲類放大器。根據(jù)頻率分析的結果,由集成運算放大器構成的前級聲音單薄、缺乏活力。所以,可不可以前級采用單管甲類放大器,后級采用甲乙類功率放大器?這樣既兼顧聽音需要,又兼顧效率的需要。目前,電子管音頻功率放大器仍然占據(jù)
          • 關鍵字: FET  場效應管  功率放大器  

          用于汽車啟停的低耗能電源設計的幾種方法

          • 隨著城市快節(jié)奏的發(fā)展,大多數(shù)人擁有自己的車,這也使得交通變得擁堵,而汽車在高峰期的走走停停會耗掉很多的能源,不僅浪費還污染環(huán)境。故而引進了汽車系統(tǒng)中的“啟停”功能,但是這種系統(tǒng)也給汽車電子帶來了一些獨特的工程技術挑戰(zhàn),汽車啟停系統(tǒng)中電源設計是一大難題。本文就為大家介紹一種用于汽車啟停的低耗能電源設計。 為了控制燃油消耗,許多汽車制造商在下一代汽車中實現(xiàn)了“啟停”功能,而且為數(shù)眾多的這種汽車已經(jīng)開始上路。這些系統(tǒng)會在汽車停下來時關閉發(fā)動機,當腳從剎車踏板移動
          • 關鍵字: P-FET  MOSFET  

          新電源模塊如何解決關鍵設計問題

          • 新型靈活應用的高密度電源模塊現(xiàn)在能夠以易于使用的集成封裝提供先進的電熱性能。系統(tǒng)性能的提升促進了對更高功率電源的要求,以及由于需要快速實現(xiàn)收入的壓力迫使設計人員縮短開發(fā)周期,從而對全功能、快速實現(xiàn)電源解決方案的需要呈激增之勢。電源模塊可以解決這些問題,并提供系統(tǒng)設計人員所需的靈活性和性能,幫助他們從最小的空間獲得最大的功率
          • 關鍵字: 新電源  FET  ISL8225  

          Silego公司推出體積小一倍電流為4.5A的雙通道全功能負載開關

          •   2014年3月17日Silego于美國加州圣克拉拉推出一款基于Silego亞微米銅制程電源FET技術的16?mΩ雙通道GreenFET3?負載開關產(chǎn)品即SLG59M1527V。該款負載開關每條通道最高電流可達到?4.5A?、總電流高達9.0A。并且引用Silego?CuFETTM?技術來實現(xiàn)低導通電阻、外形尺寸最小同時可靠性提高?! LG59M1527V是一款以14?pin腳、尺寸為1.0?x?3.0?
          • 關鍵字: Silego  FET  SLG59M1527V  
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