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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan fet

          5A、3.3V和5V電源符合嚴(yán)格的EMI輻射標(biāo)準(zhǔn)

          • 嚴(yán)苛的汽車和工業(yè)環(huán)境中的噪聲敏感型應(yīng)用需要適用于狹小空間的低噪聲、高效率降壓穩(wěn)壓器。通常會(huì)選擇內(nèi)置MOSFET功率開關(guān)的單片式降壓穩(wěn)壓器,與傳統(tǒng)控制器IC和外部MOSFET相比,這種整體解決方案的尺寸相對(duì)較小??稍诟哳l率(遠(yuǎn)高于AM頻段的2 MHz范圍內(nèi))下工作的單片式穩(wěn)壓器也有助于減小外部元件的尺寸。此外,如果穩(wěn)壓器的最小導(dǎo)通時(shí)間(TON)較低,則無需中間穩(wěn)壓,可直接在較高的電壓軌上工作,從而節(jié)約空間并降低復(fù)雜性。減少最小導(dǎo)通時(shí)間需要快速開關(guān)邊沿和最小死區(qū)時(shí)間控制,以有效減少開關(guān)損耗并支持高開關(guān)頻率操作
          • 關(guān)鍵字: EMI  FET  AM  SSFM  PWM  IC  MOSFET  

          GaN 器件的直接驅(qū)動(dòng)配置

          • 受益于集成器件保護(hù),直接驅(qū)動(dòng)GaN器件可實(shí)現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級(jí)可靠性。高電壓(600V)氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)的開關(guān)特性可實(shí)現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓?fù)?。GaN具有低寄生電容(Ciss、Coss、Crss)和無第三象限反向恢復(fù)的特點(diǎn)。這些特性可實(shí)現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器(PFC)等較高頻率的硬開關(guān)拓?fù)?。由于它們的高開關(guān)損耗,MOSFET和絕緣柵雙極晶體管(IGBT)實(shí)現(xiàn)此類拓?fù)?。本文中,我們將重點(diǎn)介紹直接驅(qū)動(dòng)GaN晶體管的優(yōu)點(diǎn),包括更低的開關(guān)損耗、更佳
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  HEMT  GaN  PFC  IGBT  IC  

          GaN 將能源效率推升至新高度

          • 德州儀器(TI)是推動(dòng)GaN開發(fā)和支持系統(tǒng)設(shè)計(jì)師采用這項(xiàng)新技術(shù)的領(lǐng)軍企業(yè)。TI基于GaN的電源解決方案和參考設(shè)計(jì),致力于幫助系統(tǒng)設(shè)計(jì)師節(jié)省空間、取得更高電源效率及簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)流程。TI新穎的解決方案不僅可以優(yōu)化性能,而且攻克了具有挑戰(zhàn)性的實(shí)施問題,使客戶得以設(shè)計(jì)高能效系統(tǒng),建設(shè)更綠色環(huán)保的世界。
          • 關(guān)鍵字: MOSEFT  GaN  UPS  

          自有技術(shù)加持,安世新一代GaN助力工業(yè)汽車應(yīng)用

          • 寬禁帶半導(dǎo)體特別是GaN和SiC這兩年成為整個(gè)功率器件材料關(guān)注的焦點(diǎn),由于GaN具有寬禁帶寬度、高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高電子飽和速率及更高的抗輻射能力,因而更適合于......
          • 關(guān)鍵字: 安世  GaN  MOSFET  

          新基建驅(qū)動(dòng)電力電源變革,ST祭出一攬子解決方案

          • 我國(guó)正在大力進(jìn)行新基建,工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機(jī)等對(duì)電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時(shí),SiC、GaN等第三代半導(dǎo)體材料風(fēng)生水起,奠定了堅(jiān)實(shí)的發(fā)展基礎(chǔ)。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機(jī)需要哪些新電力與電源器件?近日,ST(意法半導(dǎo)體)亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪,分享了對(duì)工業(yè)市場(chǎng)的預(yù)測(cè),并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營(yíng)銷及應(yīng)用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場(chǎng)
          • 關(guān)鍵字: 電源  SiC  IGBT  GaN  

          助力新基建,安世半導(dǎo)體升級(jí)GaN產(chǎn)品線

          • 近日,安世半導(dǎo)體宣布推出新一代H2技術(shù)的全新650V GaN(氮化鎵) FET。重點(diǎn)應(yīng)用場(chǎng)合包括電動(dòng)汽車的車載充電器、高壓DC-DC直流轉(zhuǎn)換器和發(fā)動(dòng)機(jī)牽引逆變器; 1.5~5kW鈦金級(jí)工業(yè)電源,用于機(jī)架裝配的電信設(shè)備、5G設(shè)備和數(shù)據(jù)中心相關(guān)設(shè)備。 日前,安世半導(dǎo)體MOS業(yè)務(wù)集團(tuán)大中華區(qū)總監(jiān)李東岳詳細(xì)解析了安世半導(dǎo)體的GaN FET藍(lán)圖以及新一代GaN FET的特性。 新一代GaN產(chǎn)品升級(jí) 2019年,安世半導(dǎo)體正式推出650V GaN MOSFET,采用級(jí)聯(lián)技術(shù),利用高壓GaN配合低壓
          • 關(guān)鍵字: 安世半導(dǎo)體  GaN  

          電源管理設(shè)計(jì)小貼士#94:倒置降壓器如何提供非隔離反激器的拓?fù)溥x擇

          • 離線電源是最常見的電源之一,也稱為交流電源。隨著旨在集成典型家用功能的產(chǎn)品數(shù)量的增加,對(duì)所需輸出能力小于1瓦的低功率離線轉(zhuǎn)換器的需求也越來越大。對(duì)于這些應(yīng)用程序,最重要的設(shè)計(jì)方面是效率、集成和低成本。在決定拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)時(shí),反激通常是任何低功耗離線轉(zhuǎn)換器的首選。但是,如果不需要隔離,這可能不是最好的方法。假設(shè)終端設(shè)備是一個(gè)智能燈開關(guān),用戶可以通過智能手機(jī)的應(yīng)用程序進(jìn)行控制。在這種情況下,用戶在操作過程中不會(huì)接觸到暴露的電壓,因此不需要隔離。對(duì)于離線電源來說,反激拓?fù)涫且粋€(gè)合理的解決方案,因?yàn)樗奈锪锨鍐危˙OM
          • 關(guān)鍵字: BOM  FET  VDD  

          Nexperia(安世半導(dǎo)體)宣布推出新一代 650V 氮化鎵 (GaN) 技術(shù)

          • 半導(dǎo)體基礎(chǔ)元器件生產(chǎn)領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家Nexperia宣布推出一系列采用新一代H2技術(shù)的全新高壓氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管。新器件包含兩種封裝,TO-247 和Nexperia專有的CCPAK。兩者均實(shí)現(xiàn)了更出色的開關(guān)和導(dǎo)通性能,并具有更好的穩(wěn)定性。由于采用了級(jí)聯(lián)結(jié)構(gòu)并優(yōu)化了器件相關(guān)參數(shù),Nexperia的氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)管無需復(fù)雜的驅(qū)動(dòng)和控制,應(yīng)用設(shè)計(jì)大為簡(jiǎn)化;使用標(biāo)準(zhǔn)的硅MOSFET 驅(qū)動(dòng)器也可以很容易地驅(qū)動(dòng)它們。 新的氮化鎵技術(shù)采用了貫穿外延層的過孔,減少了缺陷并且芯片尺寸可縮小約24%。TO-247
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  650V   氮化鎵  GaN  

          聚焦“寬禁帶”半導(dǎo)體——SiC與GaN的興起與未來

          • 隨著硅與化合物半導(dǎo)體材料在光電子、電力電子和射頻微波等領(lǐng)域器件性能的提升面臨瓶頸,不足以全面支撐新一代信息技術(shù)的可持續(xù)發(fā)展......
          • 關(guān)鍵字: 寬禁帶  半導(dǎo)體  SiC  GaN  

          貿(mào)澤即日起供應(yīng)Qorvo旗下Custom MMIC全線產(chǎn)品

          • 作為 Qorvo 產(chǎn)品的全球授權(quán)分銷商,貿(mào)澤電子  ( Mouser Electronics )  很高興地宣布即日起Qorvo的Custom MMIC全線產(chǎn)品均可在貿(mào)澤官網(wǎng)上在線訂購(gòu)。Qorvo的Custom MMIC產(chǎn)品組合包括 高性能氮化鎵 (GaN) 和砷化鎵 (GaA) 單片微波集成電路 (MMIC) ,適用于各種航空航天、國(guó)防和商業(yè)應(yīng)用。Qorvo是一家知名的射頻和毫米波創(chuàng)新解決方案制造商,致力于實(shí)現(xiàn)一個(gè)萬物互聯(lián)的世界。Qorvo最近
          • 關(guān)鍵字: MMIC  GaN  

          學(xué)習(xí)采用氮化鎵(GaN)技術(shù)設(shè)計(jì)最先進(jìn)的人工智能、機(jī)械人、無人機(jī)、 全自動(dòng)駕駛汽車及高音質(zhì)音頻系統(tǒng)

          • EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的教育視頻播客系列,上載了六個(gè)視頻,針對(duì)器件可靠性及基于氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的各種先進(jìn)應(yīng)用,包括面向人工智能的高功率密度運(yùn)算應(yīng)用,面向機(jī)械人、無人機(jī)及車載應(yīng)用的激光雷達(dá)系統(tǒng),以及D類放音頻放大器。宜普電源轉(zhuǎn)換公司?(EPC)更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。剛剛上載的六個(gè)視頻主要分享實(shí)用范例,目的是幫助設(shè)計(jì)師利用氮化鎵技術(shù)設(shè)計(jì)面向人工智能服務(wù)器及超薄筆記本電腦的先進(jìn)?DC/DC轉(zhuǎn)換器?、
          • 關(guān)鍵字: GaN  音頻放大器  

          EPC公司進(jìn)一步更新了其廣受歡迎的氮化鎵(GaN)功率晶體管及集成電路的播客系列

          • 日前,宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)依據(jù)《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》第三版教科書的增訂內(nèi)容,更新了首7個(gè)、合共14個(gè)教程的視頻播客,與工程師分享采用氮化鎵場(chǎng)效應(yīng)晶體管及集成電路的理論、設(shè)計(jì)基礎(chǔ)及應(yīng)用,例如激光雷達(dá)、DC/DC轉(zhuǎn)換及無線電源等應(yīng)用。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)更新了其廣受歡迎的 “?如何使用氮化鎵器件?” 的視頻播客系列。該視頻系列的內(nèi)容是依據(jù)最新出版的?《氮化鎵晶體管–高效功率轉(zhuǎn)換器件》?第三版教科書的內(nèi)容制作。合共14個(gè)教程的視頻播客系列旨在為功率
          • 關(guān)鍵字: GaN  播客  

          TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)在貿(mào)澤開售,支持高密度電源轉(zhuǎn)換設(shè)計(jì)

          • 專注于引入新品并提供海量庫存的電子元器件分銷商貿(mào)澤電子 (?Mouser Electronics?) 即日起開始備貨Texas Instruments (TI) 的LMG341xR050氮化鎵 (GaN) 功率級(jí)。這款 600V、500 mΩ的器件具有集成柵極驅(qū)動(dòng)器和強(qiáng)大的保護(hù)功能,可讓設(shè)計(jì)人員在電源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)中實(shí)現(xiàn)更高的效率,適用于高密度工業(yè)和消費(fèi)類電源、高壓電池充電器、光伏逆變器和多電平轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。貿(mào)澤電子備貨的TI LMG341xR050 GaN功率級(jí)與硅MOSFET相比擁有多種
          • 關(guān)鍵字: GaN  UVLO  

          氮化鎵(GaN)接替硅,支持高能效、高頻電源設(shè)計(jì)

          • 在所有電力電子應(yīng)用中,功率密度是關(guān)鍵指標(biāo)之一,這主要由更高能效和更高開關(guān)頻率驅(qū)動(dòng)。隨著基于硅的技術(shù)接近其發(fā)展極限,設(shè)計(jì)工程師現(xiàn)在正尋求寬禁帶技術(shù)如氮化鎵(GaN)來提供方案。對(duì)于新技術(shù)而言,GaN本質(zhì)上比其將取代的技術(shù)(硅)成本低。GaN器件與硅器件是在同一工廠用相同的制造程序生產(chǎn)出。因此,由于GaN器件小于等效硅器件,因此每個(gè)晶片可以生產(chǎn)更多的器件,從而降低了每個(gè)晶片的成本。GaN有許多性能優(yōu)勢(shì),包括遠(yuǎn)高于硅的電子遷移率(3.4eV對(duì)比1.1eV),這使其具有比硅高1000倍的電子傳導(dǎo)效率的潛力。值得注
          • 關(guān)鍵字: LDN  GaN  

          馬瑞利牽手氮化鎵(GaN)技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)者TRANSPHORM Inc.

          • 領(lǐng)先的汽車供應(yīng)商MARELLI近日宣布與美國(guó)一家專注于重新定義功率轉(zhuǎn)換的半導(dǎo)體公司Transphorm達(dá)成戰(zhàn)略合作。通過此協(xié)議,MARELLI將獲得電動(dòng)和混合動(dòng)力車輛領(lǐng)域OBC車載充電器、DC-DC 轉(zhuǎn)換器和動(dòng)力總成逆變器開發(fā)的尖端技術(shù),進(jìn)一步完善MARELLI在整體新能源汽車技術(shù)領(lǐng)域的布局。Transphorm被公認(rèn)為是氮化鎵(GaN)技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者,提供高壓電源轉(zhuǎn)換應(yīng)用的最高效能、最高可靠性的氮化鎵(GaN)半導(dǎo)體,并擁有和汽車行業(yè)(尤其是日本)直接合作的成功經(jīng)驗(yàn)。獲得這一技術(shù)對(duì)正在探索電力傳動(dòng)系統(tǒng)業(yè)務(wù)
          • 關(guān)鍵字: OBC  GaN  
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