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          氮化鎵產(chǎn)業(yè)鏈全景深度解析

          • 根據(jù)阿里巴巴達(dá)摩院發(fā)布的《2021十大科技趨勢》預(yù)測的第一大趨勢是“以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體迎來應(yīng)用大爆發(fā)”。達(dá)摩院指出,近年來第三代半導(dǎo)體的性價比優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn),正在打開應(yīng)用市場:SiC元件已用作汽車逆變器,GaN快速充電器也大量上市。半導(dǎo)體材料演進(jìn)圖:資料來源:Yole, 國盛證券相對于第一代(硅基)半導(dǎo)體,第三代半導(dǎo)體禁帶寬度大,電導(dǎo)率高、熱導(dǎo)率高,其具有臨界擊穿電場高、電子遷移率高、頻率特性好等特點(diǎn)。氮化鎵(GaN)是最具代表性的第三代半導(dǎo)體材料,成為高溫、高頻、大功
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  GaN  

          氮化鎵充電器與普通充電器有什么不同,為什么選擇的人特別多?

          •   氮化鎵充電器頻繁的出現(xiàn)在我們的視線中,那么氮化鎵充電器與普通充電器有什么不一樣呢?我們一起來看看。  氮化鎵是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中氮化鎵材料的研究與應(yīng)用是目前全球半導(dǎo)體研究的前沿和熱點(diǎn),是研制微電子器件、光電子器件的新型半導(dǎo)體材料,并與SIC、金剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽(yù)為是繼第一代Ge、Si半導(dǎo)體材料、第二代GaAs、InP化合物半導(dǎo)體材料之后的
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  GaN  充電器  

          PI打出芯片組合拳 解決家電快充應(yīng)用

          •   2022年3月21日Power Integrations宣布推出節(jié)能型HiperLCS?-2芯片組以及集成750V PowiGaN?氮化鎵開關(guān)的HiperPFS?-5系列功率因數(shù)校正(PFC)IC。  據(jù)了解,HiperLCS-2雙芯片解決方案由一個隔離器件和一個獨(dú)立半橋功率器件組成。其中的隔離器件內(nèi)部集成了高帶寬的LLC控制器、同步整流驅(qū)動器和FluxLink?隔離控制鏈路。而獨(dú)立半橋功率器件則采用Power Integrations獨(dú)特的600V FREDFET,具有無損耗的電流檢測,同時集成有上
          • 關(guān)鍵字: PI  HiperLCS-2芯片組  HiperPFS-5  GaN  

          ROHM建立8V閘極耐壓150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

          • 半導(dǎo)體制造商ROHM已建立150V耐壓GaN HEMT GNE10xxTB系列(GNE1040TB)?的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的閘極耐壓(閘極-源極間額定電壓)高達(dá)8V,非常適用于基地臺、數(shù)據(jù)中心等工控設(shè)備和各類型IoT通訊裝置的電源電路。 EcoGaN首波產(chǎn)品 GNE10xxTB系列?有助基地臺和數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)低功耗和小型化一般來說,GaN組件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,有助降低各種電源功耗和實(shí)現(xiàn)外圍組件小型化。但其閘極耐壓很低,因此在開關(guān)工作時的組件可靠性方面尚存在課題。針對該課題,RO
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  ROHM   

          ROHM確立柵極耐壓8V的150V GaN HEMT量產(chǎn)體制

          • 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)已確立150V耐壓GaN HEMT*1“GNE10xxTB系列(GNE1040TB)”的量產(chǎn)體制,該系列產(chǎn)品的柵極耐壓(柵極-源極間額定電壓)*2高達(dá)8V,非常適用于基站、數(shù)據(jù)中心等工業(yè)設(shè)備和各種物聯(lián)網(wǎng)通信設(shè)備的電源電路。一般而言,GaN器件具有優(yōu)異的低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)性能,因而作為有助于降低各種電源的功耗和實(shí)現(xiàn)外圍元器件小型化的器件被寄予厚望。但其柵極耐壓很低,在開關(guān)工作時的器件可靠性方面存在問題。針對這一課題,ROHM的新產(chǎn)品通過采用自有的結(jié)構(gòu),成功
          • 關(guān)鍵字: ROHM  150V  GaN  HEMT  

          半導(dǎo)體一周要聞3.7-3.11

          • 1. 提前預(yù)定五年產(chǎn)能,全球半導(dǎo)體硅片進(jìn)入黃金期!根據(jù)SEMI發(fā)布的數(shù)據(jù)顯示,2021年全球硅片的出貨量同比增加了14%,總出貨量達(dá)到141.65 億平方英寸(MSI),收入同比增長了13%,達(dá)到126.2億美元。 目前,包括長江存儲和武漢新芯等客戶,都與滬硅旗下的上海新昇簽訂了2022年至2024年的長期供貨協(xié)議。其中,2022年1-6月預(yù)計交易金額分別為1.55億元、8000萬元,而2021年1-11月上述公司的交易金額分別為1.43億元、1.03億元。2. 2021 年中國集成電路銷售額首
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  GaN  芯片  產(chǎn)能  

          ST:發(fā)展碳化硅技術(shù) 關(guān)鍵在掌控整套產(chǎn)業(yè)鏈

          • 電源與能源管理對人類社會未來的永續(xù)發(fā)展至關(guān)重要。意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI指出,由于全球能源需求正在不斷成長,我們必須控制碳排放,并將氣溫上升控制在1.5度以下,減排對此非常重要,但要實(shí)現(xiàn)這些要有科技的支持,包括可再生能源的利用,ST對此也有制定一些具體的目標(biāo)。 意法半導(dǎo)體汽車和離散組件產(chǎn)品部(ADG)執(zhí)行副總裁暨功率晶體管事業(yè)部總經(jīng)理Edoardo MERLI僅就工業(yè)領(lǐng)域來說,如果能將電力利用效率提升1%,就能節(jié)省95.
          • 關(guān)鍵字: ST  GaN  SiC  

          安森美剝離晶圓制造廠達(dá)成最終協(xié)議改善成本結(jié)構(gòu)

          • 安森美(onsemi)正在執(zhí)行其fab-liter制造戰(zhàn)略,最終目標(biāo)是透過擴(kuò)大毛利率實(shí)現(xiàn)可持續(xù)的財務(wù)業(yè)績。安森美於上周簽署一份最終協(xié)議,將剝離其在美國緬因州南波特蘭的工廠。隨著將生產(chǎn)轉(zhuǎn)移到其全球制造網(wǎng)絡(luò)內(nèi)更高效的晶圓廠,安森美將透過消除與已出售晶圓廠相關(guān)的固定成本和降低公司的制造單位成本來改善成本結(jié)構(gòu)。安森美總裁兼首席執(zhí)行官Hassane El-Khoury表示:「該擬議的資產(chǎn)剝離表明我們正在實(shí)現(xiàn)優(yōu)化的制造網(wǎng)路,同時為我們的客戶提供長期的供應(yīng)保證。這些交易為受影響工廠的員工提供了持續(xù)的就業(yè)和發(fā)展機(jī)
          • 關(guān)鍵字: 安森美  晶圓制造廠  GaN  

          基于GaN的高功率密度快充正快速成長

          • 1? ?看好哪類GaN功率器件的市場?2020—2021 年硅基氮化鎵(GaN)開關(guān)器件的商用化進(jìn)程和5 年前(編者注:指2016 年)市場的普遍看法已經(jīng)發(fā)生了很大的變化,其中有目共睹的是基于氮化鎵件的高功率密度快充的快速成長。這說明影響新材料市場發(fā)展的,技術(shù)只是眾多因素當(dāng)中的1 個。我個人看好的未來5 年(編者注:指2022—2027 年)的氮化鎵應(yīng)用,包括:快充、服務(wù)器/ 通信電源、電機(jī)驅(qū)動、工業(yè)電源、音響、無線充電、激光雷達(dá)等,其中快充會繼續(xù)引領(lǐng)氮化鎵開關(guān)器件的市場成長。相對于硅
          • 關(guān)鍵字: 202201  GaN  英飛凌  

          ST已經(jīng)做好部署,準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

          • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以高頻、高壓等為特色。但長期以來,由于工藝、成本等因素制約,GaN還處于Si(硅)和SiC(碳化硅)應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里,GaN的市場前景將如何?GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破?為此,本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè),介紹一下GaN功率器件的新動向。
          • 關(guān)鍵字: 202201  GaN  

          GaN功率芯片走向成熟,納微GaNSense開啟智能集成時代

          • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長期以來,在功率電源領(lǐng)域,處于常規(guī)的Si(硅)和熱門的SiC(碳化硅)應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何?GaN技術(shù)有何新突破?不久前,消費(fèi)類GaN(氮化鎵)功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會,電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運(yùn)總監(jiān)李銘釗、高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右:納微半導(dǎo)體級的高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營運(yùn)總監(jiān)李銘
          • 關(guān)鍵字: GaN  集成  202201  

          蘋果證實(shí):新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

          •   10月19日消息,據(jù)The Verge報道,蘋果公司向其證實(shí),新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。  與傳統(tǒng)充電器相比,GaN充電器的更小、更輕,同時支持大功率?! 〈送猓O果公司還確認(rèn),140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn),這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電。  新的140W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架。  其中,140W USB-C電源適配器的價格為729元,USB-C轉(zhuǎn)MagSa
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  電源適配器  GaN  充電器  

          碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來?

          • 以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn),第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

          InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

          •   2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能,同時還能顯著減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?! ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝,內(nèi)部集成
          • 關(guān)鍵字: PI  InnoSwitch?3-PD  GaN  

          TI推出全新GaN技術(shù),攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

          • TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題,降低總所有成本
          • 關(guān)鍵字: GAN  TI  電源供應(yīng)器  
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