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          TI的600V GaN FET功率級革命性地提升高性能電力轉換效能
          
                                                            
            
                    	
          • 　　基于數(shù)十年的電源管理創(chuàng)新經(jīng)驗，德州儀器(TI)近日宣布推出一款600V氮化鎵(GaN)70 mù場效應晶體管(FET)功率級工程樣片，從而使TI成為首家，也是唯一一家能夠向公眾提供集成有高壓驅動器的GaN解決方案的半導體廠商。與基于硅材料FET的解決方案相比，這款全新的12A LMG3410功率級與TI的模擬與數(shù)字電力轉換控制器組合在一起，能使設計人員創(chuàng)造出尺寸更小、效率更高并且性能更佳的設計。而這些優(yōu)勢在隔離式高壓工業(yè)、電信、企業(yè)計算和可再生能源應用中都特別重要。如需了解更多信息
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          • 關鍵字：
                        TI  GaN                           
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          安森美半導體推進更快、更智能和更高能效的GaN晶體管
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　氮化鎵(GaN)是一種新興的半導體工藝技術，提供超越硅的多種優(yōu)勢，被稱為第三代半導體材料，用于電源系統(tǒng)的設計如功率因數(shù)校正(PFC)、軟開關DC-DC、各種終端應用如電源適配器、光伏逆變器或太陽能逆變器、服務器及通信電源等，可實現(xiàn)硅器件難以達到的更高電源轉換效率和更高的功率密度水平，為開關電源和其它在能效及功率密度至關重要的應用帶來性能飛躍?！　aN的優(yōu)勢　　從表1可見，GaN具備出色的擊穿能力、更高的電子密度及速度，和更高的工作溫度。GaN提供高電子遷移率，這意味著開關過程的反向恢復時間可忽略不計
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          • 關鍵字：
                        安森美  GaN                          
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          宜普電源轉換公司（EPC）的可靠性測試報告記錄了超過170億小時測試器件的可靠性的現(xiàn)場數(shù)據(jù)，結果表明器件的失效率很低
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　EPC公司的第七階段可靠性報告表明eGaN?FET非?？煽浚瑸楣こ處熖峁┛尚刨嚰翱?nbsp;替代采用傳統(tǒng)硅基器件的解決方案?！　∫似针娫崔D換公司發(fā)布第七階段可靠性測試報告，展示出在累計超過170億器件-小時的測試后的現(xiàn)場數(shù)據(jù)的分布結果，以及提供在累計超過700萬器件-小時的應力測試后的詳盡數(shù)據(jù)。各種應力測試包括間歇工作壽命[(IOL)[、早期壽命失效率[(ELFR)、高濕偏置、溫度循環(huán)及靜電放電等測試。報告提供受測產(chǎn)品的復合0.24 FIT失效率的現(xiàn)場數(shù)據(jù)。這個數(shù)值與我們直至目前為止所取得
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          • 關鍵字：
                        宜普電源  FET                          
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          英國專家用半極性GaN生長高效益LED
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英國雪菲爾大學(SheffieldUniversity)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(AppliedPhysicsLetter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。
　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。
　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波長的藍位移隨著驅動電流增加而
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          • 關鍵字：
                        GaN  LED                          
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          英國專家用半極性GaN生長高效益LED
          
                                                            
            
                    	
          • 　　英國雪菲爾大學(Sheffield University)的一支研究團隊最近在《應用物理學快報》(Applied Physics Letter)期刊上發(fā)布在半極性氮化鎵(GaN)或藍寶石基材上生長LED的最新成果。　　利用在M-Plane藍寶石基板上生長的GaN制造的微柱陣列模板，研究人員能在其上過度生長的半極性GaN(11-22)上生長出具有更高量子效益的LED。　　相較于在C-Plane藍寶石基板上生長的商用LED，該研究團隊在半極性材料上所生長的綠光LED顯示發(fā)光波
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          • 關鍵字：
                        GaN  LED                          
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          波音和通用實驗室研發(fā)出GaN CMOS場效應晶體管
          
                                                            
            
                    	
          • 　　由美國波音公司和通用汽車公司擁有的研發(fā)實驗室-HRL實驗室已經(jīng)宣布其實現(xiàn)互補金屬氧化物半導體(CMOS)FET技術的首次展示。該研究結果發(fā)表于2016年1月6日的inieee電子器件快報上。
　　在此過程中，該實驗室已經(jīng)確定半導體的卓越晶體管性能可以在集成電路中加以利用。這一突破為氮化鎵成為目前以硅為原材料的電源轉換電路的備選技術鋪平了道路。
　　氮化鎵晶體管在電源開關和微波/毫米波應用中有出色的表現(xiàn)，但該潛力還未用于集成功率轉換。“除非快速切換GaN功率晶體管在電源電路中故意放緩，否
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          • 關鍵字：
                        GaN  場效應晶體管                          
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          TI推出業(yè)界首款100V高壓側FET驅動器可驅動高電壓電池
          
                                                            
            
                    	
          • 　　近日，德州儀器(TI)推出了首款面向高功率鋰離子電池應用的單芯片100V高壓側 FET 驅動器。該驅動器可提供先進的電源保護和控制。bq76200高電壓解決方案能有效地驅動能量存儲系統(tǒng)，以及電機驅動型應用中常用電池里的高壓側N溝道充放電FET，包括無人機、電動工具、電動自行車等等。如需了解更多詳情，敬請訪問：http://www.ti.com.cn/product/cn/BQ76200?keyMatch=bq76200&tisearch=Search-CN-Everything。
　　電感性
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          • 關鍵字：
                        TI  FET                          
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          新型GaN功率器件的市場應用趨勢
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　第五屆EEVIA年度中國ICT媒體論壇暨2016產(chǎn)業(yè)和技術展望研討會　　時間：2016.01.14 下午　　地點：深圳南山軟件創(chuàng)業(yè)基地 IC咖啡　　演講主題: 新型GaN功率器件的市場應用趨勢　　演講嘉賓: 蔡振宇 富士通電子元器件市場部高級經(jīng)理　　主持人：接下來開始第三場演講。大家知道無論消費電子產(chǎn)品還是通訊硬件、電動車以及家用電器，提升電源的轉換能效、功率密度、延長電池使用的時間，這已經(jīng)是比較大的挑戰(zhàn)了。所有這一切都意味著電子產(chǎn)業(yè)會越來越依賴新型功
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          • 關鍵字：
                        GaN  功率器件                          
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          物聯(lián)網(wǎng)將如何影響半導體芯片廠商？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 未來虛擬現(xiàn)實和智能汽車成為焦點，VR將會引發(fā)的變革成了全產(chǎn)業(yè)鏈熱議的話題，VR也必會給物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)業(yè)帶來變革，而對于IoT可能帶來的更多變化，半導體廠商該如何應對?
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          • 關鍵字：
                        物聯(lián)網(wǎng)  GaN                          
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          第三代半導體崛起 中國照明能否彎道超車？
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　近年，以氮化鎵(GaN)、碳化硅(SiC)等寬禁帶化合物為代表的第三代半導體材料在引發(fā)全球矚目，成為全球半導體研究前沿和熱點，中國也不例外地快馬加鞭進行部署。有專家指出，第三代半導體材料是以低碳和智能為特征的現(xiàn)代人類信息化社會發(fā)展的基石，是推動節(jié)能減排、轉變經(jīng)濟發(fā)展方式，提升新一代信息技術核心競爭力的決定性因素之一，有著不可替代的支撐作用。那么，這一迅速崛起的第三代半導體材料，能否讓中國掌控新一輪半導體照明發(fā)展的話語權?
　　

 
　　第三代半導體材料雙雄：SiC和GaN
　　半
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          • 關鍵字：
                        半導體  GaN                          
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          Bulk Si技術近極限，功率半導體大廠加速投入GaN、SiC開發(fā)
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　DIGITIMES Research觀察，傳統(tǒng)以塊體矽(Bulk Si)材料為基礎的功率半導體逐漸難提升其技術表現(xiàn)，業(yè)界逐漸改以新材料尋求突破，其中氮化鎵(GaN)、碳化矽(SiC)材料技術最受矚目，氮化鎵具有更高的切換頻率，碳化矽則能承受更高溫、更大電流與電壓，而原有的矽材仍有成本優(yōu)勢，預計未來功率半導體市場將三分天下。
　　更高的耐受溫度、電壓，或更高的切換頻率、運作頻率，分別適用在不同的應用，對于電動車、油電混合車、電氣化鐵路而言需要更高電壓，對于新一代的行動通訊基地臺，或資料中心機房設備而言
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          • 關鍵字：
                        GaN  SiC                          
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          硅基GaN射頻功放：正走向大規(guī)模商用
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　硅基GaN潛力大
　　近日，MACOM在京召開新聞發(fā)布會，MACOM全球銷售高級副總裁黃東鉉語出驚人，“由MACOM發(fā)明的第四代GaN——硅基GaN，由于成本大為降低，將取代目前的SiC基GaN;由于硅基GaN的效率大大提升，也將取代GaA和LDMOS的大部分市場。”

　　圖1 GaN的巨大潛力
　　如圖1，左圖綠餅是目前GaN的市場份額;如果把綠餅看成一張餅，就變成右圖，右圖的綠餅是目前GaN的市場，而未來潛在GaN射頻是占絕大部分的藍海。

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          • 關鍵字：
                        GaAs  GaN                          
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          實時功率GaN波形監(jiān)視的設計方案
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　簡介
　　功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于那些想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發(fā)人員更是如此。RF GaN是一項已大批量生產(chǎn)的經(jīng)驗證技術，由于其相對于硅材料所具有的優(yōu)勢，這項技術用于蜂窩基站和數(shù)款軍用/航空航天系統(tǒng)中的功率放大器。在這篇文章中，我們將比較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監(jiān)視的必要性。
　　使用壽命預測指標
　　功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執(zhí)行數(shù)個供貨商所使
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          • 關鍵字：
                        GaN                          
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          氮化鎵GaN、碳化硅SiC等寬禁帶材料將成為電力電子未來選擇
          
                                                            
                                        
            
                    	
          • 　　當人們思考電力電子應用將使用哪種寬禁帶(WBG)半導體材料時，都會不約而同地想到氮化鎵(GaN)或碳化硅(SiC)。這不足為奇。因為氮化鎵或碳化硅是電力電子應用中最先進的寬禁帶技術。市場研究公司Yole Développement在其報告中指出，電力電子應用材料碳化硅、氮化鎵和其他寬禁帶材料具有一個更大的帶隙，可以進一步提高功率器件性能。
　　

 
　　n型碳化硅SiC晶片到2020年將以21%的CAGR成長至1.1億美元
　　由碳化硅電力設備市場驅動，n型碳化硅基
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                        GaN  SiC                          
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          氮化鎵元件將擴展功率應用市場
          
                                                            
            
                    	
          • 　　根據(jù)YoleDeveloppement指出，氮化鎵(GaN)元件即將在功率半導體市場快速發(fā)展，從而使專業(yè)的半導體業(yè)者受惠;另一方面，他們也將會發(fā)現(xiàn)逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際整流器(InternationalRectifier;IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。
　　Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規(guī)模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一市場將以93%的年復合成長率(CAGR)成長，預計在2020年時可望達到3千萬美元的產(chǎn)值。
　　目前銷售Ga
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                        氮化鎵  GaN                          
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