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          利用氬氣改善p型GaN LED的性能

          • 如果你想要得到顯著的摻雜剖面結(jié)構(gòu)及低阻值的p型GaN,那么就要考慮把你的載體氣體由氫氣置換成氬氣。作者:Vla...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          采用GaN LED的便攜式DNA分析儀

          • 在當(dāng)今社會(huì),DNA分析的重要性毋庸置疑。就拿上個(gè)月發(fā)生的案例來(lái)說(shuō):英國(guó)倫敦一位名叫DamilolaTaylor的十歲男孩...
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED    

          大功率LED關(guān)鍵材料GaN開始侵食硅功率MOSFET市場(chǎng)

          • 超級(jí)半導(dǎo)體材料GaN(氮化鎵)的時(shí)代正開啟。它比傳統(tǒng)的硅和GaAs(砷化鎵)更加耐壓,已成為大功率LED的關(guān)鍵材料之...
          • 關(guān)鍵字: LED  GaN  MOSFET  

          用射頻開關(guān)優(yōu)化智能手機(jī)信號(hào)

          • 智能手機(jī)代表了射頻個(gè)人通信最前沿、也最具挑戰(zhàn)性的射頻產(chǎn)品設(shè)計(jì)之一。這些第三代(3G)蜂窩多模多頻設(shè)備基于...
          • 關(guān)鍵字: 射頻開關(guān)  隔離度  插損  FET  pHEMT  

          Intersil集成化開關(guān)穩(wěn)壓器簡(jiǎn)化電源設(shè)計(jì)

          • 簡(jiǎn)介   一提到電源設(shè)計(jì),大多數(shù)工程師都會(huì)感到撓頭,他們往往會(huì)問(wèn),“從哪里入手呢?”。首先必須確定電源的拓?fù)洹ń祲?、升壓、flyback、半橋和全橋等。
          • 關(guān)鍵字: intersil  FET  DC/DC  

          硅襯底LED芯片主要制造工藝解析

          • 1993年世界上第一只GaN基藍(lán)色LED問(wèn)世以來(lái),LED制造技術(shù)的發(fā)展令人矚目。目前國(guó)際上商品化的GaN基LED均是...
          • 關(guān)鍵字: LED芯片  硅襯底  GaN    

          硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

          • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器,紫外光探測(cè)器,...
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

          一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
          • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

          GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  探測(cè)器  紅外  量子  GaN  

          MOS-FET與電子管OTL功放的制作

          MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器

          • MOS—FET末級(jí)無(wú)負(fù)反饋蓄電池供電甲類6瓦功率放大器
          • 關(guān)鍵字: 功率放大器  MOS—FET  

          MOS—FET甲乙類功率放大器

          TI 小貼士:圖例理FET知識(shí)

          • 您可以通過(guò)周期性地收集大量的ADC輸出轉(zhuǎn)換采樣來(lái)生成FFT圖。一般而言,ADC廠商們將一種單音、滿量程模擬...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          手把手教你讀懂FET選取合適器件

          • 現(xiàn)在;一臺(tái)臺(tái)電源,幾乎都能發(fā)現(xiàn)FET的影子。幾乎每個(gè)電源工程師都用過(guò)這東西,或用來(lái)逆變;或用來(lái)整流;或就當(dāng)個(gè)開關(guān)...
          • 關(guān)鍵字: FET  

          CISSOID推出高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管

          •   CISSOID,在高溫半導(dǎo)體方案的領(lǐng)導(dǎo)者推出了一個(gè)行星家族(高溫度晶體管及開關(guān))的新成員.火星是一個(gè)高溫度30V小訊號(hào)P-FET場(chǎng)效應(yīng)管, 適合于-55 ° C至+225° C高溫可靠運(yùn)作. 由于它耐于極端溫度,只有14pF的輸入電容值及于+225° C下最高只有400nA閘極漏電流. 所以這30V晶體管非常適合于高溫度傳感器介面,例如壓電傳感器或保護(hù)放大器.   
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  P-FET  
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