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GaN類功率元件，高耐壓成功率半導(dǎo)體主角
- 采用Si基板降低成本，通過改變構(gòu)造改善特性那么，GaN類功率元件的成本、電氣特性以及周邊技術(shù)方面存在...
- 關(guān)鍵字： GaN類功率半導(dǎo)體 功率半導(dǎo)體 GaN
電源設(shè)計小貼士46：正確地同步降壓FET時序
- 由于工程師們都在竭盡所能地獲得其電源的最高效率，時序優(yōu)化正變得越來越重要。在開關(guān)期間，存在兩個過渡階段：低...
- 關(guān)鍵字： FET MOSFET 電源設(shè)計小貼士 德州儀器
富士通半導(dǎo)體明年計劃量產(chǎn)GaN功率器件
- 上海，2012年11月20日 –富士通半導(dǎo)體(上海)有限公司今日宣布采用其基于硅基板的氮化鎵 (GaN) 功率器件的服務(wù)器電源單元成功實現(xiàn)2.5kW的高輸出功率，富士通半導(dǎo)體計劃將于2013年下半年開始量產(chǎn)這些GaN功率器件。這些器件可廣泛用于電源增值應(yīng)用，對實現(xiàn)低碳社會做出重大貢獻(xiàn)。 與傳統(tǒng)硅基功率器件相比，基于GaN的功率器件具有導(dǎo)通電阻低和能夠進(jìn)行高頻操作等特性。而這些特性恰恰有利于提高電源單元轉(zhuǎn)換效率，并使電源單元更加緊湊。富士通半導(dǎo)體計劃在硅基板上進(jìn)行GaN功率器件的商業(yè)化
- 關(guān)鍵字： 富士通 功率器件 GaN
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