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          ST已經(jīng)做好部署,準(zhǔn)備挖掘GaN的全部潛力

          • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以高頻、高壓等為特色。但長期以來,由于工藝、成本等因素制約,GaN還處于Si(硅)和SiC(碳化硅)應(yīng)用的夾縫之間。在新的一年里,GaN的市場前景將如何?GaN技術(shù)和應(yīng)用有何新突破?為此,本媒體邀請了部分GaN資深企業(yè),介紹一下GaN功率器件的新動向。
          • 關(guān)鍵字: 202201  GaN  

          GaN功率芯片走向成熟,納微GaNSense開啟智能集成時代

          • GaN(氮化鎵)作為新興的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料,以高頻、高壓等為特色。但是長期以來,在功率電源領(lǐng)域,處于常規(guī)的Si(硅)和熱門的SiC(碳化硅)應(yīng)用夾縫之間。GaN產(chǎn)品的市場前景如何?GaN技術(shù)有何新突破?不久前,消費(fèi)類GaN(氮化鎵)功率解決方案供應(yīng)商——納微半導(dǎo)體宣布推出全球首款智能GaNFast?功率芯片,采用了專利的GaNSense?技術(shù)。值此機(jī)會,電子產(chǎn)品世界的記者采訪了銷售營運(yùn)總監(jiān)李銘釗、高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、高級研發(fā)總監(jiān)徐迎春。圖 從左至右:納微半導(dǎo)體級的高級應(yīng)用總監(jiān)黃秀成、銷售營運(yùn)總監(jiān)李銘
          • 關(guān)鍵字: GaN  集成  202201  

          蘋果證實(shí):新上架的 140W 電源適配器為其首款 GaN 充電器

          •   10月19日消息,據(jù)The Verge報道,蘋果公司向其證實(shí),新上架的140W USB-C電源適配器是蘋果首款GaN充電器。  與傳統(tǒng)充電器相比,GaN充電器的更小、更輕,同時支持大功率?! 〈送?,蘋果公司還確認(rèn),140W電源適配器支持USB-C Power Delivery 3.1標(biāo)準(zhǔn),這意味著該充電器可以為其他支持該標(biāo)準(zhǔn)的設(shè)備充電。  新的140W USB-C電源適配器和新款MagSafe連接線現(xiàn)已在蘋果中國官網(wǎng)上架?! ∑渲校?40W USB-C電源適配器的價格為729元,USB-C轉(zhuǎn)MagSa
          • 關(guān)鍵字: 蘋果  電源適配器  GaN  充電器  

          碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)誰是寬禁帶(WBG)材料的未來?

          • 以GaN和SiC為代表第三代半導(dǎo)體正處于高速發(fā)展的階段,Si和GaAs等第一、二代半導(dǎo)體材料也仍在產(chǎn)業(yè)中大規(guī)模應(yīng)用。但不可否認(rèn),第三代半導(dǎo)體確實(shí)具有更多的性能優(yōu)勢。
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  氮化鎵  GaN  寬禁帶  WBG  

          InnoSwitch3-PD——尋求極致充電器功率密度

          •   2021年9月21日Power Integrations推出適用于USB Type-C、USB功率傳輸(PD)和USB數(shù)字控制電源(PPS)適配器應(yīng)用的集成度一流的解決方案——InnoSwitch?3-PD系列IC。本次InnoSwitch?3-PD電源解決方案的亮點(diǎn)在于它是唯一的USB PD單芯片解決方案,不僅繼承了InnoSwitch3系列效率極高、低空載功耗、完善的保護(hù)等卓越性能,同時還能顯著減少BOM,非常適合要求具備超薄小巧外形的應(yīng)用設(shè)計?! ⌒翴C采用超薄InSOP?-24D封裝,內(nèi)部集成
          • 關(guān)鍵字: PI  InnoSwitch?3-PD  GaN  

          TI推出全新GaN技術(shù),攜手臺達(dá)打造高效能服務(wù)器電源供應(yīng)器

          • TI領(lǐng)先的功率密度、全新架構(gòu)與高度集成幫助工程師解決企業(yè)服務(wù)器的設(shè)計難題,降低總所有成本
          • 關(guān)鍵字: GAN  TI  電源供應(yīng)器  

          集邦咨詢:新能源車需求助攻GaN功率元件

          • TrendForce集邦咨詢表示,2021年隨著各國于5G通訊、消費(fèi)性電子、工業(yè)能源轉(zhuǎn)換及新能源車等需求拉升,驅(qū)使如基站、能源轉(zhuǎn)換器(Converter)及充電樁等應(yīng)用需求大增,使得第三代半導(dǎo)體GaN及SiC元件及模組需求強(qiáng)勁。其中,以GaN功率元件成長幅度最高,預(yù)估今年?duì)I收將達(dá)8,300萬美元,年增率高達(dá)73%。據(jù)TrendForce集邦咨詢研究,GaN功率元件,其主要應(yīng)用大宗在于消費(fèi)性產(chǎn)品,至2025年市場規(guī)模將達(dá)8.5億美元,年復(fù)合成長率高達(dá)78%。前三大應(yīng)用占比分別為消費(fèi)性電子60%、新能源車20
          • 關(guān)鍵字: 新能源車  GaN  功率元件  

          ST和Exagan攜手開啟GaN發(fā)展新章節(jié)

          • 氮化鎵(GaN)是一種III/V族寬能隙化合物半導(dǎo)體材料,能隙為3.4eV,電子遷移率為1,700 cm2/Vs,而硅的能隙和電子遷移率則分別為1.1 eV和1,400cm2/Vs。因此,GaN的固有特性,讓組件具有更高的擊穿電壓和更低的通態(tài)電阻,亦即相較于同尺寸的硅基組件,GaN可處理更大的負(fù)載、效能更高,而且物料清單成本更低。在過去的十多年里,產(chǎn)業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測,GaN功率開關(guān)組件的黃金時期即將到來。相較于應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率組件,GaN功率組件具備更高的效率和更強(qiáng)的功耗處理能力,這
          • 關(guān)鍵字: ST  Exagan  GaN  

          憑借快充出圈的氮化鎵,為什么這么火?

          • 氮化鎵快充火爆的背后,除了受消費(fèi)者需求影響,是否還有其他原因?為什么快充會率先用到氮化鎵呢?
          • 關(guān)鍵字: 氮化鎵  快充  GaN  

          智能功率模塊適合中小功率應(yīng)用,ROHM 打造600 V耐壓產(chǎn)品

          • 1? ?中小功率市場,IPM開始流行隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及及用戶體驗(yàn)的提升,需要產(chǎn)品有更長的待機(jī)時間或工作時間,這無疑會增加電能的消耗,這就要求功率轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的效率越來越高;與此同時,新產(chǎn)品的開發(fā)周期越來越短,需要快速的電源設(shè)計。因此,適合高效率且低功耗的、模塊化的智能功率模塊(IPM)開始普及。IPM 不同于普通的功率模塊。普通功率模塊是把需要用到的功率器件集成在一個封裝里。對于應(yīng)用工程師,還需要匹配驅(qū)動等外圍電路。IPM 不僅把功率器件集成進(jìn)去了,還把驅(qū)動電路以及周邊的保護(hù)電路全部集成到了
          • 關(guān)鍵字: 202106  智能功率模塊  IPM  

          為何智能功率模塊會盛行,ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色

          • 1? ?低碳時代驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的變革當(dāng)前,世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體,我國也提出了碳達(dá)峰和碳中和的目標(biāo),這對電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因?yàn)殡S著物聯(lián)網(wǎng)的普及,產(chǎn)品需要有更長的待機(jī)時間;由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富,也會增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進(jìn)一步提升,因此,近年來IPM(智能功率器件)開始盛行。2? ?適合小功率電機(jī)的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場為例,全球空調(diào)市場的出貨量這兩年約1.5億臺
          • 關(guān)鍵字: IPM  IGBT  

          德州儀器宣布與中車株洲所簽署升級聯(lián)合設(shè)計實(shí)驗(yàn)室合作備忘錄

          • 德州儀器(TI)今日宣布與中國領(lǐng)先的軌道交通設(shè)備制造商中車株洲電力機(jī)車研究所有限公司(后簡稱“株洲所”)簽署諒解備忘錄,升級共同運(yùn)營的聯(lián)合設(shè)計實(shí)驗(yàn)室,實(shí)現(xiàn)更廣泛、更深層次的合作。此次合作旨在幫助中車株洲所運(yùn)用TI廣泛的模擬和嵌入式處理產(chǎn)品和技術(shù),加速包括軌道交通,電動汽車等方面的應(yīng)用設(shè)計以助力中國新基建關(guān)鍵領(lǐng)域建設(shè)。合作還將拓展至太陽能和風(fēng)能等可再生能源方面的應(yīng)用,以響應(yīng)中國在2060年實(shí)現(xiàn)碳中和的宏偉目標(biāo)。德州儀器(TI)與中車株洲電力機(jī)車研究所合作備忘錄簽約儀式“新基建將推動中國城際軌道交通系統(tǒng)的快速
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

          Nexperia第二代650 V氮化鎵場效應(yīng)管使80 PLUS?鈦金級電源可在2 kW或更高功率下運(yùn)行

          • 基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。與之前的技術(shù)和競爭對手器件相比,新款器件具有顯著的性能優(yōu)勢。全新的功率GaN FET具有低至35mΩ(典型值)的RDS(on)性能,適用于2 kW至10 kW的單相AC/DC和DC/DC工業(yè)開關(guān)模式電源(SMPS),特別是必須滿足80 PLUS?鈦金級效率認(rèn)證的服務(wù)器電源和高效率要求的電信電源。該器件也非常適合相同功率范圍內(nèi)的太陽能逆變器和伺服驅(qū)動器。 全新650V H2功率GaN FET采用TO-2
          • 關(guān)鍵字: Nexperia  MOSFET  GaN  

          砥礪前行,推進(jìn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的“芯”潮

          • 南方科技大學(xué)深港微電子學(xué)院擁有未來通信集成電路教育部工程研究中心以及深圳市第三代半導(dǎo)體器件重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室,圍繞中國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈,培養(yǎng)工程專業(yè)人才,搭建跨國跨區(qū)域的校企合作與人才教育平臺,建立以工程創(chuàng)新能力為核心指標(biāo)的多元化機(jī)制,致力于對大灣區(qū)乃至全國的集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展提供強(qiáng)有力的支撐作用。其科研成果、產(chǎn)業(yè)推廣和人才培養(yǎng)成績斐然,在國產(chǎn)芯片發(fā)展浪潮中引人矚目。
          • 關(guān)鍵字: 集成電路  微電子  氮化鎵器件  寬禁帶  IC  GaN  202103  

          電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng):新一代功率解決方案提升能效和可靠性

          • 1? ?電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)的關(guān)鍵是可靠性和能效電機(jī)在現(xiàn)代生活中無處不在, 從氣候控制、電器和商業(yè)制冷到汽車、工廠和基礎(chǔ)設(shè)施。根據(jù)國際能源署 (International Energy Agency) 的數(shù)據(jù),電機(jī)占全球總電力消耗的45%,因此電機(jī)驅(qū)動電子設(shè)備的可靠性和能效會對世界各地的舒適、便利和環(huán)境及各種應(yīng)用產(chǎn)生影響。工業(yè)自動化和機(jī)器人是電機(jī)最重要的應(yīng)用之一,隨著傳統(tǒng)機(jī)器人、協(xié)作機(jī)器人和自主移動機(jī)器人的采用,我們看到工廠和其他設(shè)施變得更加自動化。一種提高電機(jī)驅(qū)動系統(tǒng)能效的方法是,以基于三相
          • 關(guān)鍵字: MOSFET  IPM  202103  
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