超密集組網通過增加基站部署密度，可實現頻率復用效率的巨大提升，并且?guī)砜捎^的容量增長，未來隨著基站數量的增加，基站內射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預測，射頻前端的市場規(guī)模預估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預測，全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。
Qorvo亞太區(qū)FAE高級經理楊嘉
有業(yè)內分析師就表示，3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS，同時，GaAs也將從小型基站網絡的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
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GaN 5G
慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會吸引了數萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學習。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商，則攜物聯網、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結構件、阻容感、材料、測試測量等九大領域的最新產品及方案亮相?！ {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯網、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網聯汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產品的展示，世強元件電商吸引了大批工程師
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SiC GaN
2018年3月6日，Nexperia(安世半導體)公司廣東分立器件封裝和測試新工廠正式投產，該工廠將重點解決產能問題，用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務發(fā)展規(guī)劃。
【安世半導體(中國)有限公司廣東后道工廠】
據Nexperia首席運營官Sean Hunkler介紹，新工廠投產之后，Nexperia全年總產量將超過1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導體(中國)有限公司開發(fā)的最新封裝，包括
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安世 GaN
德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應晶體管(FET)驅動器，進一步擴展了其業(yè)內領先的GaN電源產品組合，可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡追蹤等速度關鍵應用中實現更高效、性能更高的設計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關頻率的同時提高效率，并可實現以往硅MOSFET無法實現的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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TI GaN
《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術”，這份全球新興科技領域的權威榜單至今已經有 17 年的歷史。
1、給所有人的人工智能 AI for everyone
入選理由：將機器學習工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播
重大意義：目前，人工智能的應用是受到少數幾家公司統治的。但其一旦與云技術相結合，那它將可以對許多人變得觸手可及，從而實現經濟的爆發(fā)式增長。
主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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機器學習 GAN
一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件，是理論上電光、光電轉換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產品。
“不會游泳的時候就跳下了水”
蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應商， 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設備開始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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GaN 氮化鎵
EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術如何實現兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應用?！ PC將在AirFuel聯盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統，可以在桌面上任何位置對多種設備同時充電，可傳送高達300 W功率?？蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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宜普 GaN
接近62%的能源被白白浪費
美國制造創(chuàng)新網絡(目前稱為MgfUSA)已經闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯網自不必說，而在復合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關注到了汽車減重設計，本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關注點同樣在于能源的問題。這是一個關于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。
圖1：整體的能源轉換效率約在38
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SiC GaN
未來五年，通信產業(yè)向5G時代的革命性轉變正在深刻重塑RF(射頻)技術產業(yè)現狀。這不僅是針對智能手機市場，還包括3W應用RF通信基礎設施應用，并且，5G將為RF功率市場的化合物半導體技術帶來重大市場機遇。
未來幾年，據Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術趨勢-2017版》報告預計，隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長，RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間，整體RF功率市場營收或將增長75%，帶來9.8%的復合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
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GaN 5G
展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術，LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
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5G GaN
意法半導體SLLIMM?-nano系列IPM產品新增五款節(jié)省空間的貼裝智能功率模塊(IPM)，提供IGBT或MOSFET輸出選擇，用于電機內置驅動器或其它的空間受限的驅動器，輸出功率范圍從低功率到最高100W?！ ⌒履K的導通能效和開關能效都很高，特別是在最高20kHz硬開關電路內表現更為出色。通過管理開關電壓和電流上升率?(dV/dt,?di/dt)，內部柵驅動電路能夠將電磁輻射(EMI)抑制到最低。高散熱效率封裝提升產品的可靠性，支持無散熱器設計，同時2.7mm爬電距離和2.0
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意法半導體 IPM
集成的智能功率模塊(IPM)將在汽車功能電子化中發(fā)揮關鍵作用，促成新一代緊湊的、高能效和高可靠性的電機驅動器，實現在內燃機中省去耗能的機械式驅動負荷。IPM的主要促成元素有場截止溝槽IGBT、STEALTH 二極管、HVIC、LVIC和DBC技術等。
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IPM 智能功率模塊 汽車 電機驅動器 內燃機 201707
什么是MOCVD?
MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應方式在襯底上進行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
MOCVD設備主要用于半導體材料襯底的外延生長，是LED以及半導體器件的關鍵設備。
根據Technavio統計，全球MOCVD市場的復合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
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MOCVD GaN
隨著無線通信的帶寬、用戶數目以及地理覆蓋范圍擴展，基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢，首先，最明顯的好 處是降低運營成本；同時，更少的熱意味著更低的設備冷卻需求以及更高的可靠性。
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GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm
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