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          【功率器件心得分享】MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用

          •   MACOM GaN在無線基站中的應(yīng)用  用于無線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場重大的變革,特別是功率放大器(PA)市場。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動,這將對無線基站的系統(tǒng)性能和運營成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為LDMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站,尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價格過高,但是MACOM公司
          • 關(guān)鍵字: GaN  MACOM  

          無畏氮化鎵角逐中功率市場 碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

          •   有鑒于全球環(huán)保意識抬頭,碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中,碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢,其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域,商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場的氮化鎵,則將緩步進(jìn)軍中功率市場。   可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備,為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面,近期豐田汽車(Toyota)在電動車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測試結(jié)果也已出爐,其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果,明顯勝過矽元件。   臺達(dá)電技術(shù)長暨總
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          松下:力推阻容元件與開發(fā)工具,開關(guān)器件X-GaN效率更高

          •   松下被動元件展區(qū),松下位于德國的器件解決方案部門被動元件團(tuán)隊產(chǎn)品市場經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu),例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?! K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC,可用于LED、汽車、電力電子、電信等場合?! ∷上录瘓F(tuán)汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator,可加速
          • 關(guān)鍵字: 松下  X-GaN  

          IPM門極驅(qū)動隔離電路

          • IPM門極驅(qū)動隔離電路見圖3,它實現(xiàn)對80C196MC的6路WM信號與IPM的光電隔離,并實現(xiàn)驅(qū)動和電平轉(zhuǎn)換功能。光藉采用6N137,這是一種快速光耦,三極管N為9014,供電電壓為15V,該三極管將來自光藉的TTL電平轉(zhuǎn)換為IPM的門極驅(qū)動信...
          • 關(guān)鍵字: IPM  門極驅(qū)動  隔離電路  

          最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動器

          •   實現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42,新產(chǎn)品的高頻性能更出色,噪聲更低,這對先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。   該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz,支持芯片級設(shè)計,通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
          • 關(guān)鍵字: Qorvo  GaN  

          半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET?

          • 2010年,供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近,這種產(chǎn)品的可用性依然不高,價格也高昂不下,GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時間的推移,這些器件預(yù)計將逐步應(yīng)用到電動汽車、移動設(shè)備的快速充電適配器、無線充電和其他系統(tǒng)中,GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場上攻城拔寨。
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          如何應(yīng)對GaN測量挑戰(zhàn)

          • 功耗是當(dāng)今電子設(shè)計以及測試中最熱門也是競爭最激烈的領(lǐng)域之一。這是因為人們對高能效有強(qiáng)烈需求,希望能充分利用電池能量,幫助消減能源帳單,或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過30年的發(fā)展之后,硅MOSFET發(fā)
          • 關(guān)鍵字: GaN    測試  

          中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

          •   中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日,中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會在東莞召開。國家科技部原副部長、國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會主任曹健林,廣東省副省長袁寶成、省科技廳廳長黃寧生,市委副書記、市長梁維東,國家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項目啟動發(fā)布會并見證簽約儀式。   副市長楊曉棠,市政府黨組成員、松山湖管委會主任殷煥明等參加了啟動儀式。   為廣東實現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
          • 關(guān)鍵字: 半導(dǎo)體  GaN  

          Dialog加入功率元件市場戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長可期

          •   隨著去年Dialog取得了臺灣敦宏科技40%的股份后,國際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要動作。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。        Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall   透過臺積電以六寸晶圓廠的技術(shù),Dialog推出了DA8801,Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會后接受CTIMES采訪時表示,該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
          • 關(guān)鍵字: Dialog  GaN  

          以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

          •   德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組:以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體...   下一代行動無線網(wǎng)路——5G,將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺。德國弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics,F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          GaN、SiC功率元件帶來更輕巧的世界

          •   眾人皆知,由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn),數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高,運算力不斷增強(qiáng),使運算的取得愈來愈便宜,也愈來愈輕便,運算力便宜的代表是微電腦、個人電腦,而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。    ?   GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source:www.nedo.go.jp)   不過,姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去,有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升,例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個厚重占體積的電源配接器(Power Ad
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)

          •   當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。   比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL),都是
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  

          諾貝爾獎后 日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動態(tài)

          •   當(dāng)諾貝爾獎委員會在2014年宣布物理獎得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后,掀起日本人對LED及氮化鎵(GaN)注意,也讓相關(guān)研究單位及研究計劃獲得更多的支持與關(guān)注。   比方2015年以諾貝爾獎得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟,便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個技術(shù)研發(fā)基金會加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(Nagoya University)合作,在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實驗室(GaN-OIL),都
          • 關(guān)鍵字: GaN  藍(lán)光LED  

          我國發(fā)展化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正當(dāng)時

          • 當(dāng)前,全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)正處于深度變革,化合物半導(dǎo)體成為產(chǎn)業(yè)發(fā)展新的關(guān)注點,我國應(yīng)加緊產(chǎn)業(yè)布局,搶占發(fā)展的主動權(quán)。
          • 關(guān)鍵字: GaAs  GaN  

          臺積電發(fā)力“硅基氮化鎵”元件受托業(yè)務(wù)

          •   臺灣臺積電(TSMC)在“ISPSD 2016”上公開了受托生產(chǎn)服務(wù)的藍(lán)圖及試制元件的特性等。該公司將采用在直徑150mm(6英寸)的硅基板上形成GaN層的“硅基氮化鎵”(GaN on Si)技術(shù)生產(chǎn)GaN晶體管。   臺積電打算開展受托生產(chǎn)的GaN晶體管有三種類型:(1)常開型(Normal On)MISFET、(2)常開型HEMT、(3)常關(guān)型(Normal Off)。按耐壓高低來分有40V、100V和650V產(chǎn)品。   其中,耐壓650V的常關(guān)
          • 關(guān)鍵字: 臺積電  GaN  
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