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東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點(diǎn)

和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比，GaN（氮化鎵）和 SiC（碳化硅）有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性，簡(jiǎn)單來說，GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快，SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小，開關(guān)速度極高，比較適合高頻應(yīng)用，例如：電動(dòng)汽車的 DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換電路、OBC（車載充電）、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
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Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品，擴(kuò)大SuperGaN平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)

高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布，新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET)，典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD，豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
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東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點(diǎn)

受訪人：黃文源東芝電子元件（上海）有限公司半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部技術(shù)企劃部高級(jí)經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　　回答：自從半導(dǎo)體產(chǎn)品面世以來，硅一直是半導(dǎo)體世界的代名詞。但是，近些年，隨著化合物半導(dǎo)體的出現(xiàn)，這種情況正在被逐漸改變。通常，半導(dǎo)體業(yè)界將硅（Si）作為第一代半導(dǎo)體的代表，將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導(dǎo)體的
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第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的“互補(bǔ)共生”

　　受訪人：Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營(yíng)銷組的應(yīng)用經(jīng)理，負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì)，并在過去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI，大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體，在材料特性上有什么相似之處和不同之處？根據(jù)其不同的特性，分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域？貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品？　
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GaN是否具有可靠性？或者說我們能否如此提問？

鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸，其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前，您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是，沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世，電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上，GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對(duì)于硅可靠性方面的問題措辭則不同，比如“這是否通過了鑒定？”盡管GaN器件也通過了硅鑒定，但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀點(diǎn)，因
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破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性，能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時(shí)，SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測(cè)量的挑戰(zhàn)，稍有不慎就無法獲得正確的波形，從而嚴(yán)重影響到器件評(píng)估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測(cè)量中，最難的部分就是對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量，包括兩個(gè)部分：開關(guān)過程和Crosstalk。此時(shí)是無法使用無源探頭進(jìn)行測(cè)量的，這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn)，同時(shí)還會(huì)由
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GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板在貿(mào)澤開售

提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強(qiáng)模式 (e-mode) 半橋評(píng)估板性能優(yōu)異，同時(shí)減少了組件總數(shù)，節(jié)省了寶貴的電路板空間。貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動(dòng)器和兩
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Qorvo 助力簡(jiǎn)化 GaN PA 偏置

移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布推出 ACT41000-104-REF1，這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計(jì)，可加強(qiáng) Qorvo GaN PA 的設(shè)計(jì)與測(cè)試。GaN 器件是耗盡型 FET，運(yùn)行時(shí)需要施加負(fù)柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中，需要以特定的順序進(jìn)行偏置：提高漏極偏置電壓之前，必須施加負(fù)柵極電壓，以保護(hù)器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
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學(xué)貫中西(8)：從GAN領(lǐng)悟人機(jī)協(xié)同創(chuàng)新之道

1 回顧：GAN里的兩個(gè)角色在上一期里，詳細(xì)介紹了 GAN( 生成對(duì)抗網(wǎng) ) 里的兩個(gè)角色：生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。其中的生成者，又稱為創(chuàng)新者，而判別者又稱為鑒賞者。在常見的圖像繪畫領(lǐng)域，其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是： G( 創(chuàng)新者 ) 負(fù)責(zé)創(chuàng)作圖片；而 D( 鑒賞者 ) 負(fù)責(zé)辨別一張圖像的真或假，然后引領(lǐng) G 逐步改進(jìn)，止于完美逼近目標(biāo)。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式，屬于 AI 機(jī)器與機(jī)器之間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而，在 AI 科技不斷
關(guān)鍵字： 202206 GAN 人機(jī)協(xié)同

EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)

宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）新推線上論壇，為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採(cǎi)用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇"，為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持，從而了解氮化鎵（GaN）技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè)，為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺(tái)。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外，用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外，
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毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

5G 通信正在改變我們的生活，同時(shí)也在促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型，為工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子等行業(yè)提供了巨大的應(yīng)用想象空間與市場(chǎng)機(jī)會(huì)，例如實(shí)現(xiàn)創(chuàng)建人與機(jī)器人和諧共存的環(huán)境，高質(zhì)量醫(yī)療，并且加速實(shí)現(xiàn)安全的自動(dòng)駕駛汽車，等等?！?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡(luò)可以幫助工廠實(shí)現(xiàn)更高的可靠性，例如縮短延遲時(shí)間、提高生產(chǎn)效率。在人與機(jī)器人共存的世界里，更強(qiáng)的連接可以改善人機(jī)互動(dòng)，并降低事故風(fēng)險(xiǎn)。● 提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對(duì)患者實(shí)施遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè)，進(jìn)行生命體征檢測(cè)，并將信息傳輸給基于云的診斷
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第三代半導(dǎo)體引領(lǐng)5G基站技術(shù)全面升級(jí)

5G 受到追捧是有充足的理由的。根據(jù)CCS Insight 的預(yù)測(cè)，到2023 年，5G 用戶數(shù)量將達(dá)10 億；2022 年底，5G蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施將承載近15％的全球手機(jī)流量。高能效、尺寸緊湊、低成本、高功率密度和高線性度是5G 基礎(chǔ)設(shè)施對(duì)射頻半導(dǎo)體器件的硬性要求。對(duì)于整個(gè)第三代半導(dǎo)體技術(shù)，尤其是氮化鎵（GaN），5G 開始商用是一大利好。與硅、砷化鎵、鍺、甚至碳化硅器件相比，GaN 器件的開關(guān)頻率、輸出功率和工作溫度更高，適合1-110 GHz的高頻通信應(yīng)用，涵蓋移動(dòng)通信、無線網(wǎng)絡(luò)、點(diǎn)對(duì)點(diǎn)和點(diǎn)對(duì)多點(diǎn)微波通
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TI：運(yùn)用GaN技術(shù)可提升數(shù)據(jù)中心的能源效率

德州儀器(TI)副總裁暨臺(tái)灣、韓國(guó)與南亞總裁李原榮，26日于2022 COMPUTEX Taipei論壇中表示，TI將協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵（GaN）技術(shù)的潛力，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。李原榮今日以「數(shù)據(jù)中心正在擴(kuò)建 – 以氮化鎵技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率」為題，分享設(shè)計(jì)工程師如何利用TI 氮化鎵技術(shù)為數(shù)據(jù)中心達(dá)成體積更小、更高功率密度的解決方案。李原榮表示，隨著各產(chǎn)業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者期盼透過數(shù)據(jù)中心實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新，從而也提高了運(yùn)算能力的需求，TI希望協(xié)助客戶充分發(fā)揮氮化鎵技術(shù)的潛力，以實(shí)現(xiàn)更高的功率密度和效率。他也強(qiáng)調(diào)，
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學(xué)貫中西(7):介紹生成對(duì)抗網(wǎng)路(GAN)

1? ?GAN與NFT的結(jié)合在上一期里，我們說明了天字第一號(hào)模型：分類器。接著本期就來看看它的一項(xiàng)有趣應(yīng)用：GAN(generative adversarial networks，生成對(duì)抗網(wǎng)絡(luò))。自從2014 年問世以來，GAN 在電腦生成藝術(shù)(generative art) 領(lǐng)域，就開始涌現(xiàn)了許多極具吸引力的創(chuàng)作和貢獻(xiàn)。GAN 如同生成藝術(shù)的科技畫筆，使用GAN 進(jìn)行創(chuàng)作特別令人振奮，常常創(chuàng)作出很特別的效果，給人們?cè)S多驚喜的感覺，例如圖1。?圖1近年來，非同質(zhì)化代幣NFT(
關(guān)鍵字： 202205 生成對(duì)抗網(wǎng)路 GAN

場(chǎng)效應(yīng)管常用的三大作用：放大作用、恒流輸出、開關(guān)導(dǎo)通

1、放大電路場(chǎng)效應(yīng)管具有輸入阻抗高、低噪聲等特點(diǎn)，因此經(jīng)常作為多級(jí)放大電流的輸入級(jí)，與三極管一樣，根據(jù)輸入、輸出回路公共端選擇不同，將場(chǎng)效應(yīng)管放電電路分為共源、公漏、共柵三種狀態(tài)，如下圖是場(chǎng)效應(yīng)管共源放大電路，其中：Rg是柵極電阻，將Rs壓降加至柵極；Rd是漏極電阻，將漏極電流轉(zhuǎn)換成漏極電壓，并影響放大倍數(shù)Au；Rs是源極電阻，為柵極提供偏壓；C3是旁路電容，消除Rs對(duì)交流信號(hào)的衰減。2、電流源電路恒流源在計(jì)量測(cè)試應(yīng)用很廣泛，如下圖是主要是由場(chǎng)效應(yīng)管組成的恒流源電路，這是可作為磁電式儀表調(diào)標(biāo)尺工序。由于場(chǎng)
關(guān)鍵字： MOSFET MOS 場(chǎng)效應(yīng)管