gan mos driver 文章進(jìn)入gan mos driver技術(shù)社區(qū)

慕展：功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品都在世強(qiáng)

　　慕尼黑上海電子展舉辦，作為亞洲第一電子大展，展會(huì)吸引了數(shù)萬(wàn)名電子行業(yè)的觀眾到場(chǎng)參觀學(xué)習(xí)。而全球先進(jìn)的元件分銷(xiāo)商——世強(qiáng)元件電商，則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動(dòng)化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測(cè)試測(cè)量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相。　　憑借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類(lèi)的電子元器件展示，以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無(wú)線(xiàn)充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)、新能源汽車(chē)、5G通信、藍(lán)牙Mesh等眾多熱門(mén)市場(chǎng)的最新產(chǎn)品的展示，世強(qiáng)元件電商吸引了大批工程師
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新工廠，新起點(diǎn)：安世半導(dǎo)體駛?cè)肟燔?chē)道！

　　2018年3月6日，Nexperia(安世半導(dǎo)體)公司廣東分立器件封裝和測(cè)試新工廠正式投產(chǎn)，該工廠將重點(diǎn)解決產(chǎn)能問(wèn)題，用于支持Nexperia后續(xù)業(yè)務(wù)發(fā)展規(guī)劃。　　【安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司廣東后道工廠】　　據(jù)Nexperia首席運(yùn)營(yíng)官Sean Hunkler介紹，新工廠投產(chǎn)之后，Nexperia全年總產(chǎn)量將超過(guò)1千億件。除了提供SOT23、SOD323和523、SOT223、SOT143、MCD、Ucsp、Flip Chip等封裝外，還提供安世半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司開(kāi)發(fā)的最新封裝，包括
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TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動(dòng)器，擴(kuò)展其GaN電源產(chǎn)品組合

　　德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動(dòng)器，進(jìn)一步擴(kuò)展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合，可在激光雷達(dá)(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實(shí)現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計(jì)。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開(kāi)關(guān)頻率的同時(shí)提高效率，并可實(shí)現(xiàn)以往硅MOSFET無(wú)法實(shí)現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息，請(qǐng)?jiān)L問(wèn)www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
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2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的？

　　《麻省理工科技評(píng)論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”，這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。　　1、給所有人的人工智能 AI for everyone 　　入選理由：將機(jī)器學(xué)習(xí)工具搬上云端，將有助于人工智能更廣泛的傳播　　重大意義：目前，人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合，那它將可以對(duì)許多人變得觸手可及，從而實(shí)現(xiàn)經(jīng)濟(jì)的爆發(fā)式增長(zhǎng)。　　主要研究者：Google,亞馬遜，阿里云，騰訊云，百度云，金山云，京東云
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氮化鎵襯底晶片實(shí)現(xiàn)“中國(guó)造”

　　一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片，卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長(zhǎng)壽命的器件，是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個(gè)“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片，是蘇州納維科技有限公司(以下簡(jiǎn)稱(chēng)蘇州納維)的主打產(chǎn)品。　　“不會(huì)游泳的時(shí)候就跳下了水” 　　蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國(guó)首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商，團(tuán)隊(duì)從氮化鎵單晶材料氣相生長(zhǎng)的設(shè)備開(kāi)始研發(fā)，逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
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宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無(wú)線(xiàn)電源及高分辨率激光雷達(dá)應(yīng)用

　　EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國(guó)拉斯維加斯舉行的國(guó)際消費(fèi)電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實(shí)現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費(fèi)電子應(yīng)用 -- 分別是無(wú)線(xiàn)充電及自動(dòng)駕駛汽車(chē)的激光雷達(dá)應(yīng)用。　　EPC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無(wú)線(xiàn)充電系統(tǒng)，可以在桌面上任何位置對(duì)多種設(shè)備同時(shí)充電，可傳送高達(dá)300 W功率?？蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時(shí)對(duì)電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
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如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？

如何設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路？-利用MOS管的開(kāi)關(guān)特性，控制電路的導(dǎo)通和斷開(kāi)來(lái)設(shè)計(jì)防反接保護(hù)電路，由于功率MOS管的內(nèi)阻很小，解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過(guò)大的問(wèn)題。
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揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當(dāng)今的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備中，MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會(huì)對(duì)MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對(duì)電源設(shè)計(jì)工程師至關(guān)重要。
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制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開(kāi)始

　　接近62%的能源被白白浪費(fèi) 　　美國(guó)制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱(chēng)為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國(guó)制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點(diǎn)在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說(shuō)，而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車(chē)減重設(shè)計(jì)，本身也是為了降低能源消耗的問(wèn)題。在美國(guó)第二個(gè)創(chuàng)新研究院“美國(guó)電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點(diǎn)同樣在于能源的問(wèn)題。這是一個(gè)關(guān)于巨大的能源市場(chǎng)的創(chuàng)新中心。　　　　圖1：整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
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GaN器件開(kāi)路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

　　未來(lái)五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來(lái)重大市場(chǎng)機(jī)遇。　　未來(lái)幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來(lái)9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

展望未來(lái)，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
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MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展，為了提高集成電路的集成度，同時(shí)提升器件的工作速度和降低它的功耗，MOS器件的特征尺寸不斷縮小，MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
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2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
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拯救EMI輻射超標(biāo)，開(kāi)關(guān)電源能做點(diǎn)啥？

作為工作于開(kāi)關(guān)狀態(tài)的能量轉(zhuǎn)換裝置，開(kāi)關(guān)電源的電壓、電流變化率很高，產(chǎn)生的干擾強(qiáng)度較大；干擾源主要集中在功率開(kāi)關(guān)期間以及與之相連的散熱器和高平變壓器，相對(duì)于數(shù)字電路干擾源的位置較為清楚；開(kāi)關(guān)頻率不高（從幾十千赫和數(shù)兆赫茲），主要的干擾形式是傳導(dǎo)干擾和近場(chǎng)干擾；而印刷線(xiàn)路板（PCB）走線(xiàn)通常采用手工布線(xiàn)，具有更大的隨意性，這增加了PCB分布
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