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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan mos driver

          對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)憑啥入選MIT2018十大突破性技術(shù)

          •   日前,《麻省理工科技評論》刊文評出了2018年十大突破性技術(shù),“對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)”(GAN)赫然在列。   什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克?        中國自動化學(xué)會混合智能專委會副主任、中國人工智能學(xué)會機器學(xué)習(xí)專委會常委、復(fù)旦大學(xué)博士生導(dǎo)師張軍平教授在接受科技日報記者采訪時做了深入淺出的解釋。   故事中的GAN
          • 關(guān)鍵字: 對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)  GAN  

          AI版“雙手互搏”有多牛?

          • 什么是對抗性神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)?為什么它能入選MIT十大突破性技術(shù)?它的發(fā)展脈絡(luò)如何?與我們此前耳熟能詳?shù)纳窠?jīng)網(wǎng)絡(luò)有什么區(qū)別?能夠應(yīng)用在人工智能的哪些場景?還有哪些關(guān)鍵問題有待攻克?
          • 關(guān)鍵字: AI  GAN  

          GaN是5G最好選擇 手機端應(yīng)用現(xiàn)實嗎?

          •   超密集組網(wǎng)通過增加基站部署密度,可實現(xiàn)頻率復(fù)用效率的巨大提升,并且?guī)砜捎^的容量增長,未來隨著基站數(shù)量的增加,基站內(nèi)射頻器件的需求也將隨之大幅提升。高通預(yù)測,射頻前端的市場規(guī)模預(yù)估到2020年將達到180億美元。Small Cell Forum預(yù)測,全球小基站市場空間有望在2020年超過60億美元。   Qorvo亞太區(qū)FAE高級經(jīng)理楊嘉   有業(yè)內(nèi)分析師就表示,3.5GHz以上所有宏基站部署將看到GaN逐步取代LDMOS,同時,GaAs也將從小型基站網(wǎng)絡(luò)的需求增長中受益。Qorvo亞太區(qū)FA
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          慕展:功率電子、微波通信、阻容感、材料、結(jié)構(gòu)件領(lǐng)域的最新產(chǎn)品 都在世強

          •   慕尼黑上海電子展舉辦,作為亞洲第一電子大展,展會吸引了數(shù)萬名電子行業(yè)的觀眾到場參觀學(xué)習(xí)。而全球先進的元件分銷商——世強元件電商,則攜物聯(lián)網(wǎng)、汽車、微波通信、功率電子、工業(yè)控制及自動化、結(jié)構(gòu)件、阻容感、材料、測試測量等九大領(lǐng)域的最新產(chǎn)品及方案亮相?! {借集成電路、元件、材料、部件、儀器、阻容感等全品類的電子元器件展示,以及NB-IOT、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、無線充電與快充、工業(yè)4.0、人工智能、樓宇照明、智能網(wǎng)聯(lián)汽車、新能源汽車、5G通信、藍牙Mesh等眾多熱門市場的最新產(chǎn)品的展示,世強元件電商吸引了大批工程師
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          TI推出業(yè)內(nèi)最小、最快的GaN驅(qū)動器,擴展其GaN電源產(chǎn)品組合

          •   德州儀器(TI)(NASDAQ: TXN) 近日宣布推出兩款新型高速氮化鎵(GaN)場效應(yīng)晶體管(FET)驅(qū)動器,進一步擴展了其業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的GaN電源產(chǎn)品組合,可在激光雷達(LIDAR)以及5G射頻(RF)包絡(luò)追蹤等速度關(guān)鍵應(yīng)用中實現(xiàn)更高效、性能更高的設(shè)計。LMG1020和LMG1210可在提供50 MHz的開關(guān)頻率的同時提高效率,并可實現(xiàn)以往硅MOSFET無法實現(xiàn)的5倍更小尺寸解決方案。欲了解更多信息,請訪問www.ti.com.cn/lmg1020-pr-cn和www.
          • 關(guān)鍵字: TI  GaN  

          2018年全球十大突破性技術(shù)是如何產(chǎn)生的?

          •   《麻省理工科技評論》于近日揭曉2018 年“全球十大突破性技術(shù)”,這份全球新興科技領(lǐng)域的權(quán)威榜單至今已經(jīng)有 17 年的歷史。   1、給所有人的人工智能 AI for everyone   入選理由:將機器學(xué)習(xí)工具搬上云端,將有助于人工智能更廣泛的傳播   重大意義:目前,人工智能的應(yīng)用是受到少數(shù)幾家公司統(tǒng)治的。但其一旦與云技術(shù)相結(jié)合,那它將可以對許多人變得觸手可及,從而實現(xiàn)經(jīng)濟的爆發(fā)式增長。   主要研究者:Google,亞馬遜,阿里云,騰訊云,百度云,金山云,京東云
          • 關(guān)鍵字: 機器學(xué)習(xí)  GAN  

          氮化鎵襯底晶片實現(xiàn)“中國造”

          •   一枚看似不起眼、“又輕又薄”的晶片,卻能做出高功率密度、高效率、寬頻譜、長壽命的器件,是理論上電光、光電轉(zhuǎn)換效率最高的材料體系。這個“小身體大能量”的晶片叫作氮化鎵(GaN)襯底晶片,是蘇州納維科技有限公司(以下簡稱蘇州納維)的主打產(chǎn)品。   “不會游泳的時候就跳下了水”   蘇州納維依托中科院蘇州納米所而建。作為中國首家氮化鎵襯底晶片供應(yīng)商, 團隊從氮化鎵單晶材料氣相生長的設(shè)備開始研發(fā),逐步研發(fā)成功1英寸、2英寸、4英寸、6
          • 關(guān)鍵字: GaN  氮化鎵  

          宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)于CES? 2018展覽展示基于GaN技術(shù)的大面積無線電源及高分辨率激光雷達應(yīng)用

          •   EPC公司將于2018年1月9日至12日在美國拉斯維加斯舉行的國際消費電子展(CES? 2018)展示eGaN?技術(shù)如何實現(xiàn)兩種改變業(yè)界游戲規(guī)則的消費電子應(yīng)用 -- 分別是無線充電及自動駕駛汽車的激光雷達應(yīng)用?! PC將在AirFuel聯(lián)盟于CES 2018展覽攤位攜手合作展示基于氮化鎵器件并嵌入桌面的無線充電系統(tǒng),可以在桌面上任何位置對多種設(shè)備同時充電,可傳送高達300 W功率??蓚魉瓦@么大功率使得我們可以同時對電腦、電腦顯示器、桌燈、掌上型電腦及
          • 關(guān)鍵字: 宜普  GaN  

          如何設(shè)計防反接保護電路?

          • 如何設(shè)計防反接保護電路?-利用MOS管的開關(guān)特性,控制電路的導(dǎo)通和斷開來設(shè)計防反接保護電路,由于功率MOS管的內(nèi)阻很小,解決了現(xiàn)有采用二極管電源防反接方案存在的壓降和功耗過大的問題。
          • 關(guān)鍵字: mos  

          揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管

          • 揭秘高效電源如何選擇合適的MOS管-在當今的開關(guān)電源設(shè)備中,MOS管的特性、寄生參數(shù)和散熱條件都會對MOS管的工作性能產(chǎn)生重大影響。因此深入了解功率MOS管的工作原理和關(guān)鍵參數(shù)對電源設(shè)計工程師至關(guān)重要。
          • 關(guān)鍵字: MOS  電源  

          制造能耗變革從新一代半導(dǎo)體開始

          •   接近62%的能源被白白浪費   美國制造創(chuàng)新網(wǎng)絡(luò)(目前稱為MgfUSA)已經(jīng)闡明了美國制造業(yè)規(guī)劃的聚焦點在材料與能源。清潔能源智能制造CESMII中的清潔能源與能源互聯(lián)網(wǎng)自不必說,而在復(fù)合材料IACMI和輕量化研究院LIFT中都關(guān)注到了汽車減重設(shè)計,本身也是為了降低能源消耗的問題。在美國第二個創(chuàng)新研究院“美國電力創(chuàng)新研究院” Power Amercia(PA)其關(guān)注點同樣在于能源的問題。這是一個關(guān)于巨大的能源市場的創(chuàng)新中心。      圖1:整體的能源轉(zhuǎn)換效率約在38
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

          •   未來五年,通信產(chǎn)業(yè)向5G時代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對智能手機市場,還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用,并且,5G將為RF功率市場的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場機遇。   未來幾年,據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場和技術(shù)趨勢-2017版》報告預(yù)計,隨著電信基站升級和小型基站部署的需求增長,RF功率市場將獲得強勁增長。2016~2022年期間,整體RF功率市場營收或?qū)⒃鲩L75%,帶來9.8%的復(fù)合年增長率。這意味著市場營收規(guī)模將從2016年的15億美元增長至202
          • 關(guān)鍵字: GaN  5G  

          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
          • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

          MOS器件的發(fā)展與面臨的挑戰(zhàn)

          • 隨著集成電路工藝制程技術(shù)的不斷發(fā)展,為了提高集成電路的集成度,同時提升器件的工作速度和降低它的功耗,MOS器件的特征尺寸不斷縮小,MOS器件面臨一系列的挑戰(zhàn)。
          • 關(guān)鍵字: MOS  FinFET  
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          gan mos driver介紹

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