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基于Toshiba TB9062FNG 的3相Sensor-less BLDC Motor Pre-Driver 之廚房抽油煙機(jī)方案

隨著馬達(dá)(電動(dòng)機(jī))發(fā)展日新月異, 相對(duì)也提升家庭應(yīng)用需求, 現(xiàn)階段家用抽油煙機(jī)要求聲音越變?cè)叫? 也要求變頻省電, 更隨著環(huán)保意識(shí)抬頭, 抽油煙機(jī)的抽風(fēng)效率更顯重要!排油煙機(jī)是煮飯時(shí)最重要的工具，如果沒有的話，你再煎魚或是炒菜的時(shí)候，會(huì)導(dǎo)致全廚房都是油煙味，如果沒有防治好的話，還會(huì)飄到客廳房間，除了油煙味很重外，對(duì)身體也不好！經(jīng)過(guò)研究顯示這些油煙含有多種致癌物，因此為了自己的健康著想，一臺(tái)好的排油煙機(jī)可以給一個(gè)好的煮飯環(huán)境，可以替你帶走大量廚房油煙, 可以避免吸入致癌物, 同時(shí)又能降低噪音讓廚房靜悄悄,
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基于安森美半導(dǎo)體NCP1342驅(qū)動(dòng)GAN--65W 1A1C -超小尺寸PD快充電源方案

此電源設(shè)計(jì)最大輸出功率為65W，配備1A1C雙口輸出，單USB-C口輸出65W（20V/3.25A），單USB-A口輸出；雙口同時(shí)輸出時(shí)，C+A同降為5V方案全系列采用雙面板、最簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)理念,尺寸才51X51X31mm！上下兩片1.0mm左右厚銅散熱既滿足EMI又導(dǎo)熱好！通標(biāo)變壓器設(shè)計(jì)，21V效率最高達(dá)到93%,驅(qū)動(dòng)與MOS均采用美國(guó)安森美半導(dǎo)體技術(shù)！?場(chǎng)景應(yīng)用圖?展示板照片?方案方塊圖?C口支持協(xié)議?核心技術(shù)優(yōu)勢(shì)1.51.5*51.5*31 超小體積功率密度：1.26cm3/W2. QR架構(gòu)，COST
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RS瑞森半導(dǎo)體高壓MOS在開關(guān)電源中的應(yīng)用

開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。開關(guān)電源（Switch Mode Power Supply，簡(jiǎn)稱SMPS），又稱交換式電源、開關(guān)變換器，是電源供應(yīng)器的一種高頻化電能轉(zhuǎn)換裝置，也是一種以半導(dǎo)體功率器件為開關(guān)管，控制其關(guān)斷開啟時(shí)間比率，來(lái)保證穩(wěn)定輸出直流電壓的電源。在目前電子產(chǎn)品的飛速增長(zhǎng)中，開關(guān)電源憑借其70%~
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TP4054 TP4056 TP4057專業(yè)電源管理IC MOS

極限TP4057充電模塊TP4057是一款單節(jié)鋰電池專用的恒流/恒壓線性充電IC,其內(nèi)部帶有電池反接保護(hù)及防倒充電路。該充電IC的工作電壓范圍為4～6V,靜態(tài)工作電流僅有40μA模塊尺寸8x10mm。集成鋰電保護(hù)和指示燈?？勺鳛镾MT貼片模塊使用貼裝在其他主板上
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基于英飛凌數(shù)位半橋返馳式(XDPS2201)+賽普拉斯通訊協(xié)議(CYPD3174) 之 65W PD充電器方案

隨著USB PD產(chǎn)品的廣泛應(yīng)用與普及化，Infineon推出全新數(shù)位共振返馳式PWM電源控制芯片，此一架構(gòu)除較現(xiàn)行客戶常使用之ACF架構(gòu)更具競(jìng)爭(zhēng)力，在電路設(shè)計(jì)上相對(duì)容易，還可減少元件數(shù)量，且數(shù)位化的設(shè)計(jì)界面可滿足不同輸出瓦數(shù)的產(chǎn)品應(yīng)用，提高在設(shè)計(jì)上的靈活度與可靠性。同時(shí)搭配Cypress PD控制芯片，借由數(shù)位控制與參數(shù)設(shè)定功能來(lái)改變輸出電壓，藉以符合各種不同產(chǎn)品的應(yīng)用。同時(shí)Infineon共振返馳式電源芯片在與Cypress PD控制芯片，可大幅度提高效率與功率密度的表現(xiàn)，更可以減少客戶的產(chǎn)品設(shè)計(jì)與開發(fā)
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格芯獲得3000萬(wàn)美元政府基金研發(fā)GaN芯片

據(jù)外媒《NBC》報(bào)道，近日，晶圓代工廠商格芯（GlobalFoundries）獲得3000萬(wàn)美元政府基金，在其佛蒙特州EssexJunction工廠研發(fā)和生產(chǎn)GaN芯片。該資金是2022年綜合撥款法案的一部分。這些芯片被用于智能手機(jī)、射頻無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施、電動(dòng)汽車、電網(wǎng)等領(lǐng)域。格芯稱，電動(dòng)汽車的普及、電網(wǎng)升級(jí)改造以及5G、6G智能手機(jī)上更快的數(shù)據(jù)傳輸給下一代半導(dǎo)體帶來(lái)需求。格芯總裁兼首席執(zhí)行官Thomas Caulfield表示，GaN芯片將比前幾代芯片能更好地處理高熱量和電力需求。Caulfield在一份聲
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GaN IC縮小電機(jī)驅(qū)動(dòng)器并加快eMobility、電動(dòng)工具、機(jī)器人和無(wú)人機(jī)的上市時(shí)間

EPC9176是一款基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)，增強(qiáng)了電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的性能、續(xù)航能力、精度和扭矩，同時(shí)簡(jiǎn)化設(shè)計(jì)。該逆變器尺寸極小，可集成到電機(jī)外殼中，從而實(shí)現(xiàn)最低的EMI、最高的功率密度和最輕盈。宜普電源轉(zhuǎn)換公司（EPC）宣布推出EPC9176。這是一款三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器，采用EPC23102 ePower? 功率級(jí)GaN IC，內(nèi)含柵極驅(qū)動(dòng)器功能和兩個(gè)具有5.2 mΩ典型導(dǎo)通電阻的GaN FET。EPC9176在20 V和80 V之間的輸入電源電壓下工作，可提供高達(dá)28 Apk(2
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世平安森美推出新一代GaN氮化鎵/SiC碳化硅MOSFET高壓隔離驅(qū)動(dòng)器NCP51561 應(yīng)用于高頻小型化工業(yè)電源

現(xiàn)階段硅元件的切換頻率極限約為65~95kHz，工作頻率再往上升，將會(huì)導(dǎo)致硅MOSFET耗損、切換損失變大；再者Qg的大小也會(huì)影響關(guān)斷速度，而硅元件也無(wú)法再提升。因此開發(fā)了由兩種或三種材料制成的化合物半導(dǎo)體GaN氮化鎵和SiC碳化硅功率電晶體，雖然它們比硅更難制造及更昂貴，但也具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)和優(yōu)越的特性，使得這些器件可與壽命長(zhǎng)的硅功率LDMOS MOSFET和超結(jié)MOSFET競(jìng)爭(zhēng)。GaN和SiC器件在某些方面相似，可以幫助下一個(gè)產(chǎn)品設(shè)計(jì)做出更適合的決定。?GaN氮化鎵是最接近理想的半導(dǎo)體開關(guān)的器
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功率GaN RF放大器的熱考慮因素

氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作（高 Fmax）、高功率密度和高效率的應(yīng)用的理想選擇。與硅相比，GaN 具有達(dá) 3.4 eV 的 3 倍帶隙，達(dá) 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場(chǎng)擊穿，達(dá) 2,000 cm2/V·s 的 1.3 倍電子遷移率，這意味著與 RDS(ON) 和擊穿電壓相同的硅基器件相比，GaN RF 高電子遷移率晶體管（HEMT）的尺寸要小得多。因此，GaN RF HEMT 的應(yīng)用超出了蜂窩基站和國(guó)防雷達(dá)范疇，在所有 RF 細(xì)分市場(chǎng)中獲得應(yīng)用。其中許多應(yīng)用需要很長(zhǎng)的使用壽
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MOS管的Miller 效應(yīng)

本文對(duì)于 MOS 管工作在開關(guān)狀態(tài)下的 Miller 效應(yīng)的原因與現(xiàn)象進(jìn)行了分析。巧妙的應(yīng)用 Miller 效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)電源的緩啟動(dòng)。01 Miller效應(yīng)一、簡(jiǎn)介MOS管的米勒效應(yīng)會(huì)在高頻開關(guān)電路中，延長(zhǎng)開關(guān)頻率、增加功耗、降低系統(tǒng)穩(wěn)定性，可謂是臭名昭著，各大廠商都在不遺余力的減少米勒電容。下面波形是在博文 ZVS振蕩電路工作原理分析[1] 中觀察到振蕩 MOS 管柵極電壓與漏極電壓波形。可以看到柵極電壓在上升階段具有一個(gè)平坦的小臺(tái)階。這就是彌勒效應(yīng)所帶來(lái)的 MOS 管驅(qū)動(dòng)電壓波
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使用集成 GaN 解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

2022年9月20日，致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布，其旗下友尚推出基于安森美（onsemi）NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司（GaN System）GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖以手機(jī)、電腦為代表的移動(dòng)智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘Ｉ畹闹匾ぞ?，然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來(lái)越多，設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無(wú)法滿足用戶對(duì)
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使用集成GaN解決方案提高功率密度

氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題，因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中， GaN 能夠提高功率密度和效率，因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能，使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
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GaN將在數(shù)據(jù)服務(wù)器中挑起效率大梁

雖然增加可再生能源是全球的大趨勢(shì)，但這還不夠，能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域，這是因?yàn)榉?wù)器及其冷卻系統(tǒng)對(duì)能源消耗，占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運(yùn)營(yíng)成本。GaN具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì)，提供卓越的性能和效率，并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對(duì)冷卻系統(tǒng)的需求，并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴(kuò)展性。數(shù)字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數(shù)據(jù)服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長(zhǎng)。今天，數(shù)據(jù)服務(wù)器消耗了全球近1%的電力，這個(gè)數(shù)字預(yù)計(jì)會(huì)不斷的成長(zhǎng)下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)，例如虛擬世界、增強(qiáng)實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí)，所消耗大量電力將遠(yuǎn)超現(xiàn)今地球上所能
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殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN，勝算幾何？

在電力電子應(yīng)用中，為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求，功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅（Si）的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限，高頻性能和能量密度不斷下降，功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后，正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅（SiC）和氮化鎵（GaN）的應(yīng)用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍，耐高溫能力是硅的2倍，高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品，采用SiC材料可縮小體積50%，降低能量損耗80%。同樣，GaN也有著許多出色的性能，它的帶隙為3.2eV，幾乎比硅的1.1eV帶
關(guān)鍵字：貿(mào)澤電子 GaN