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意法半導體發(fā)布靈活可變的隔離式降壓轉換器芯片
- 2023 年 5月 16 日,中國 —— 意法半導體發(fā) L6983i 10W 隔離降壓 (iso-buck) 轉換器芯片具有能效高、尺寸緊湊,以及低靜態(tài)電流、3.5V-38V 寬輸入電壓等優(yōu)勢。L6983i適合需要隔離式 DC-DC 轉換器應用,采用隔離降壓拓撲結構,需要的外部組件比傳統(tǒng)隔離式反激式轉換器少,并且不需要光耦合器,從而節(jié)省了物料清單成本和 PCB面積。 L6983i 的其他優(yōu)勢包括 2μA 關斷電流,集成軟啟動時間可調、內部環(huán)路補償、電源正常指示,以及過流保護、熱關斷等保護功能。擴
- 關鍵字: 意法半導體 隔離式降壓轉換器 功率轉換 IGBT SiC GaN 晶體管柵極驅動
功率MOS管損壞的典型
- 如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。第一種:雪崩破壞如果在漏極-源極間外加超出器件額定VDSS的電涌電壓,而且達到擊穿電壓V(BR)DSS (根據(jù)擊穿電流其值不同),并超出一定的能量后就發(fā)生破壞的現(xiàn)象。在介質負載的開關運行斷開時產生的回掃電壓,或者由漏磁電感產生的尖峰電壓超出功率MOSFET的漏極額定耐壓并進入擊穿區(qū)而導致破壞的模式會引起雪崩破壞。典型電路:第二種:器件發(fā)熱損壞由超出安全區(qū)域引
- 關鍵字: MOS
EPC新推基于GaN FET的150 ARMS電機驅動器參考設計
- 基于氮化鎵器件的EPC9186逆變器參考設計增強了高功率應用的電機系統(tǒng)性能、精度、扭矩和可實現(xiàn)更長的續(xù)航里程。宜普電源轉換公司(EPC)新推EPC9186,這是一款采用EPC2302 eGaN?FET的三相BLDC電機驅動逆變器。EPC9186支持14 V~ 80 V的寬輸入直流電壓。大功率EPC9186支持電動滑板車、小型電動汽車、農業(yè)機械、叉車和大功率無人機等應用。EPC9186在每個開關位置使用四個并聯(lián)的EPC2302,可提供高達200 Apk的最大輸出電流。EPC9186包含所有必要的關鍵功能電路
- 關鍵字: EPC GaN FET ARMS 電機驅動器
Nexperia推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET
- 奈梅亨,2023年5月10日:基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯(lián)型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia豐富的產品組合能為設計人員提供最佳的選擇。 Nexperia的新產品包括五款額定電壓為650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至19
- 關鍵字: Nexperia E-mode GAN FET
高電壓技術是構建更可持續(xù)未來的關鍵
- 隨著世界各地的電力消耗持續(xù)增長,高電壓技術領域的創(chuàng)新讓設計工程師能夠開發(fā)出更高效的解決方案,使電氣化和可再生能源技術更易于使用。?“隨著人均用電量的持續(xù)增長,可持續(xù)能源變得越來越重要,”TI 副總裁及高電壓產品部總經理 Kannan Soundarapandian 表示。“以負責的方式管理能源使用非常重要。我們不能浪費任何一毫焦1的能量。這就是為什么高電壓技術的創(chuàng)新是實現(xiàn)能源可持續(xù)的關鍵。”?隨著電力需求的增加(在 2 秒內將電動汽車 (EV) 從 0mph加速到 60mph?
- 關鍵字: 高電壓技術 電動汽車 GaN IGBT
基于Navitas NV6115的150W電源解決方案
- 傳統(tǒng)的功率半導體被設計用來提升系統(tǒng)的效率以及減少能量損失。可是實際上,出于兩個方面的原因-傳導和開關切換,設備可能會出現(xiàn)能量損失。GaN FET為第三代功率半導體技術,其改善開關切換的延遲時間。納微(Navitas)半導體公司是世界上第一家的氮化鎵( GaN )功率芯片公司。所謂的氮化鎵功率芯片,其中 GaN 驅動器、GaN FET 和 GaN 邏輯單元的單片集成,并全部采用 650V GaN 工藝,從而實現(xiàn)許多軟開關拓撲和應用中的高速、高頻率、高效率操作。該方案采用NV6115 與 NV6117 氮化鎵
- 關鍵字: NAVITAS NV6115 NV6117 GAN
GaN 良率受限,難以取代 IGBT
- GaN 要快速擴散至各應用領域,仍有層層關卡待突破。
- 關鍵字: GaN
市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導體成收購的熱門賽道
- 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導體市場正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產重組重新恢復審核,其對第三代半導體業(yè)務的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產并募集配套資金暨關聯(lián)交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購買博威公司73.00%股權、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務資產及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導體業(yè)務。2023年3月2
- 關鍵字: 第三代半導體 收購 SiC GaN
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