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          深入了解賽靈思System Generator中的時間參數

          •  基于模型的設計(MBD)因其在縮小實時系統抽象的數學建模和物理實現之間差距方面的光明前景而備受關注。通過使用相同的源代碼進行算法分析、架構探討、行為模擬和硬/軟件設計,MBD有望縮短系統設計周期。   無需通
          • 關鍵字: Generator  System  賽靈思  參數    

          基于CPLD和Embedded System的LED點陣顯示系統的實

          •  LED點陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端,其中大屏幕LED點陣顯示屏在許多場合得以應用。大屏幕顯示所采用的技術比中小屏幕顯示難度更大,因為其屏幕大、LED點數多,要求在極短的時間內刷新每個點,使得其掃
          • 關鍵字: Embedded  System  CPLD  LED    

          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

          • 使用國產6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結構的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個采用國產SiC襯底的GaN MMIC。
          • 關鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

          一種用于嵌入式系統的液晶顯示單元設計

          • 在自動化儀器儀表、工業(yè)測控裝置等嵌入式計算機系統中,圖形液晶顯示模塊(點陣LCD)以顯示靈活、信息量大、可實現圖形界面等優(yōu)點而被廣泛的用做顯示終端。這些模塊大多提供并行數據接口,少量提供串行接口的模塊也要
          • 關鍵字: 單元  設計  液晶顯示  系統  嵌入式  用于  LCD  Embedded-system  RS-232  GUI  

          IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術平臺

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術平臺。與此前最先進的硅基技術平臺相比,該技術平臺可將關鍵特定設備的品質因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計算和通信、汽車和電器等終端設備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術平臺是IR基于該公司的GaN器件專利技術,歷經5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術平臺有助于實現電源轉換解決方案的革命性進步。通過有效利用公司60年來在電源轉換專業(yè)知識方面
          • 關鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

          測試具備UMA/GAN功能的移動電話技術問題

          • 要預測客戶對一款手機性能的接受程度,從而預測手機設計的品質,需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值...
          • 關鍵字: GAN  蜂窩  話音質量  

          GPS接收機中高頻通道的仿真

          •   目前,GPS系統已被廣泛地應用到人們生活的各個領域。隨著GPS定位理論研究的不斷深入以及硬件的不斷改進,GPS定位系統也日益完善。本文將從軟件實驗的角度分析GPS接收機高頻通道的工作原理;在此基礎上,設計一個增益分配方案,分析下變頻電路的噪聲特性,同時給出高頻通道電路在System View平臺上的系統仿真結果。   1 接收機的天線和傳輸損耗   GPS信號由于使用了碼元速率fb1=1.023MHz的擴頻碼(C/A碼),調制后信號將占用2.046MHz帶寬。L1波段(1575.42MHz)信
          • 關鍵字: GPS  System View  系統仿真  接收機  

          Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

          •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產品,其性能級別進一步證實了Cree在GaN技術上的的領導地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權的5.8G
          • 關鍵字: 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

          研究人員公布低成本GaN功率器件重大進展

          •   研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結構。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質量,并且研究人員還報告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應用實驗室的300mmCRIUS金屬-有機化學氣相外延(MOVPE)反應腔中生長的。???????   “對實現在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標來說,在200mm硅晶圓上生長出
          • 關鍵字: 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

          如何測試具備UMA/GAN功能的移動電話

          •   要預測客戶對一款手機性能的接受程度,從而預測手機設計的品質,需要進行實際使用測試。使用測試是一種很有價值的工具,本文將介紹如何進行此類測試。   UMA/GAN是一種能讓移動電話在傳輸話音、數據、既有話音也有數據或既無話音也無數據時在蜂窩網絡(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網)和IP接入網絡(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統。作為網絡融合發(fā)展過程中一項里程碑式的技術,UMA/GAN能讓手機用戶得以享受固定寬帶網提供的服務。UMA/GAN最初叫做免許可移動接入(UMA)網,之后被3
          • 關鍵字: 移動電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

          中國首臺具有自主知識產權MOCVD設備問世

          •   由青島杰生電氣有限公司承擔的國家863半導體照明工程重點項目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設備研制取得突破,我國首臺具有自主知識產權的并能同時生長6片外延片的MOCVD設備研制成功。      該設備在高亮度的藍光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領域具有廣泛應用。MOCVD是半導體照明上游關鍵設備,目前國內半導體照明產業(yè)的研發(fā)和生產所需設備全部依賴進口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
          • 關鍵字: 青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN  

          藍色激光的應用

          基于SYSTEM C的FPGA設計方法

          • 一、概述  隨著VLSI的集成度越來越高,設計也越趨復雜。一個系統的設計往往不僅需要硬件設計人員的參與,也需要有軟件設計人員的參與。軟件設計人員與硬件設計人員之間的相互協調就變的格外重要,它直接關系到工作的效率以及整個系統設計的成敗。傳統的設計方法沒有使軟件設計工作與硬件設計工作協調一致,而是將兩者的工作割裂開來。軟件算法的設計人員在系統設計后期不能為硬件設計人員的設計提供任何的幫助。同時現在有些大規(guī)模集成電路設計中往往帶有DSP Core或其它CPU Core。這些都使得單
          • 關鍵字: C  FPGA  SYSTEM  單片機  嵌入式系統  

          On-card power system design

          • It''s no secret that on-card power systems are rapidly increasing in complexity.  Leading edge ICs are demanding lower and lower voltages and multiple voltage rails that must be applied in the correct sequence.  At the same time, the current the
          • 關鍵字: power  system  嵌入式  
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          gan system介紹

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