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          EEPW首頁 >> 主題列表 >> gan system

          硅襯底上GaN基LED的研制進(jìn)展

          • Ⅲ族氮化物半導(dǎo)體材料廣泛用于紫、藍(lán)、綠和白光發(fā)光二極管,高密度光學(xué)存儲(chǔ)用的紫光激光器,紫外光探測器,...
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  LED芯片    

          基于CPLD和Embedded System的LED點(diǎn)陣顯示

          • 基于CPLD和Embedded System的LED點(diǎn)陣顯示,摘要:采用自頂向下的設(shè)計(jì)思想,綜合運(yùn)用EDA 技術(shù)、CPLD技術(shù)和共享式雙口RAM,解決了大屏幕LED點(diǎn)陣顯示屏無閃爍顯示的技術(shù)難題。給出了系統(tǒng)設(shè)計(jì)方法及實(shí)際電路。LED點(diǎn)陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端,其中
          • 關(guān)鍵字: 點(diǎn)陣  顯示  LED  System  CPLD  Embedded  基于  

          一種S波段寬帶GaN放大器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:氮化鎵功率管的寬帶隙、高擊穿電場等特點(diǎn),使其具有帶寬寬,高效特性等優(yōu)點(diǎn)。為了研究GaN功率放大器的特點(diǎn),使用了Agilent ADS等仿真軟件,進(jìn)行電路仿真設(shè)計(jì),設(shè)計(jì)制作了一種S波段寬帶GaN功率放大器。詳述了電
          • 關(guān)鍵字: GaN  S波段  寬帶  放大器    

          GaN基量子阱紅外探測器的設(shè)計(jì)

          • 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  探測器  紅外  量子  GaN  

          System C特點(diǎn)及FPGA設(shè)計(jì)

          • System C特點(diǎn)及FPGA設(shè)計(jì),一、概述   

            SYSTEM C 是由 Synospy Inc. 提出的,目前最新的版本為V2.0。它提出的目的就是以一種系統(tǒng)設(shè)計(jì)的思想進(jìn)行系統(tǒng)設(shè)計(jì)。它將軟件算法與硬件實(shí)現(xiàn)很好的結(jié)合在一起,提高了整個(gè)系統(tǒng)設(shè)計(jì)的效率和正確性。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  FPGA  特點(diǎn)  System  

          一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)

          • 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說明了設(shè)計(jì)步驟并對放大器進(jìn)行了測試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過15W,附加效率超過67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
          • 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì)  功率放大器  GaN  一種  

          基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術(shù)

          • 目前國際上商品化的GaN基LED均是在藍(lán)寶石襯底或SiC襯底上制造的。但藍(lán)寶石由于硬度高、導(dǎo)電性和導(dǎo)熱性差等原因,對后期器件加工和應(yīng)用帶來很多不便,SiC同樣存在硬度高且成本昂貴的不足之處,而價(jià)格相對便宜的Si襯底由于有著優(yōu)良的導(dǎo)熱導(dǎo)電性能和成熟的器件加工工藝等優(yōu)勢,因此Si襯底GaN基LED制造技術(shù)受到業(yè)界的普遍關(guān)注。
          • 關(guān)鍵字: GaN  LED  襯底  功率型    

          GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長,2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

          •   美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示,2010年的市場規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測,該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。   目前,GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評測階段,或者剛開始商用化的階段。不過,GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn),可提高電源電路的轉(zhuǎn)
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          深入了解賽靈思System Generator中的時(shí)間參數(shù)

          •  基于模型的設(shè)計(jì)(MBD)因其在縮小實(shí)時(shí)系統(tǒng)抽象的數(shù)學(xué)建模和物理實(shí)現(xiàn)之間差距方面的光明前景而備受關(guān)注。通過使用相同的源代碼進(jìn)行算法分析、架構(gòu)探討、行為模擬和硬/軟件設(shè)計(jì),MBD有望縮短系統(tǒng)設(shè)計(jì)周期。   無需通
          • 關(guān)鍵字: Generator  System  賽靈思  參數(shù)    

          基于CPLD和Embedded System的LED點(diǎn)陣顯示系統(tǒng)的實(shí)

          •  LED點(diǎn)陣顯示屏是顯示公共信息的一種重要顯示終端,其中大屏幕LED點(diǎn)陣顯示屏在許多場合得以應(yīng)用。大屏幕顯示所采用的技術(shù)比中小屏幕顯示難度更大,因?yàn)槠淦聊淮?、LED點(diǎn)數(shù)多,要求在極短的時(shí)間內(nèi)刷新每個(gè)點(diǎn),使得其掃
          • 關(guān)鍵字: Embedded  System  CPLD  LED    

          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
          • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

          一種用于嵌入式系統(tǒng)的液晶顯示單元設(shè)計(jì)

          • 在自動(dòng)化儀器儀表、工業(yè)測控裝置等嵌入式計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中,圖形液晶顯示模塊(點(diǎn)陣LCD)以顯示靈活、信息量大、可實(shí)現(xiàn)圖形界面等優(yōu)點(diǎn)而被廣泛的用做顯示終端。這些模塊大多提供并行數(shù)據(jù)接口,少量提供串行接口的模塊也要
          • 關(guān)鍵字: 單元  設(shè)計(jì)  液晶顯示  系統(tǒng)  嵌入式  用于  LCD  Embedded-system  RS-232  GUI  

          IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比,該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
          • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

          測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問題

          • 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值...
          • 關(guān)鍵字: GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

          GPS接收機(jī)中高頻通道的仿真

          •   目前,GPS系統(tǒng)已被廣泛地應(yīng)用到人們生活的各個(gè)領(lǐng)域。隨著GPS定位理論研究的不斷深入以及硬件的不斷改進(jìn),GPS定位系統(tǒng)也日益完善。本文將從軟件實(shí)驗(yàn)的角度分析GPS接收機(jī)高頻通道的工作原理;在此基礎(chǔ)上,設(shè)計(jì)一個(gè)增益分配方案,分析下變頻電路的噪聲特性,同時(shí)給出高頻通道電路在System View平臺(tái)上的系統(tǒng)仿真結(jié)果。   1 接收機(jī)的天線和傳輸損耗   GPS信號由于使用了碼元速率fb1=1.023MHz的擴(kuò)頻碼(C/A碼),調(diào)制后信號將占用2.046MHz帶寬。L1波段(1575.42MHz)信
          • 關(guān)鍵字: GPS  System View  系統(tǒng)仿真  接收機(jī)  
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          gan system介紹

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