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          市場規(guī)模節(jié)節(jié)攀升,第三代半導(dǎo)體成收購的熱門賽道

          • 以碳化硅與氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體市場正如火如荼地發(fā)展著,而“圍墻”之外的企業(yè)亦對此賽道十分看重。近日,中瓷電子資產(chǎn)重組重新恢復(fù)審核,其對第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)的開拓有了新的進展。3月6日,中瓷電子發(fā)布了《發(fā)行股份購買資產(chǎn)并募集配套資金暨關(guān)聯(lián)交易報告書(草案)(修訂稿)》。根據(jù)該修訂稿,中瓷電子擬以發(fā)行股份的方式,購買博威公司73.00%股權(quán)、氮化鎵通信基站射頻芯片業(yè)務(wù)資產(chǎn)及負債、國聯(lián)萬眾94.6029%股權(quán)。事實上,除中瓷電子外,近來還有許多企業(yè)選擇以收購的方式,布局或擴大第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)。2023年3月2
          • 關(guān)鍵字: 第三代半導(dǎo)體  收購  SiC  GaN  

          新能源汽車時代的半導(dǎo)體材料寵兒——SiC(碳化硅)

          •   前  言  1824年,一種全新的材料被瑞典科學家,貝采里烏斯合成出來,這是一種名為碳化硅的黑色粉末,平平無奇的樣子,仿佛是隨處可見的灰燼,也許誰也沒能想到,就是這一小撮雜質(zhì)般的黑色顆粒,將會在近200年后,在其之上長出絢爛的花朵,幫助人類突破半導(dǎo)體的瓶頸。在人類半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的起步初期,基于硅(Si)芯片的技術(shù)發(fā)展速度卓越,無論是成本還是性能都達到了完美的平衡,自然對于碳化硅(SiC)沒有過多的注意。直到20世紀90年代,Si基電力電子裝置出現(xiàn)了性能瓶頸,再次激發(fā)
          • 關(guān)鍵字: SiC  新能源汽車  汽車電子  

          GaN 時代來了?

          • 隨著特斯拉宣布其下一代 EV 動力總成系統(tǒng)的 SiC 組件使用量減少 75%,預(yù)計第三代化合物半導(dǎo)體市場狀況將發(fā)生變化,GaN 被認為會產(chǎn)生后續(xù)替代效應(yīng)。據(jù)業(yè)內(nèi)消息人士透露,這有望使臺積電、世界先進半導(dǎo)體 (VIS) 和聯(lián)華電子受益,它們已經(jīng)進行了早期部署,并繼續(xù)擴大其 8 英寸加工 GaN 器件的產(chǎn)能。GaN 和 SiC 的比較GaN 和 SiC 滿足市場上不同的功率需求。SiC 器件可提供高達 1200V 的電壓等級,并具備高載流能力,因此非常適合汽車和機車牽引逆變器、高功率太陽能發(fā)電場和大型三相電網(wǎng)
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          碳化硅快充時代來臨,800V高壓超充開始普及!

          • 一直以來,“里程焦慮”、“充電緩慢”都是卡住新能源汽車脖子的關(guān)鍵問題,是車企和車主共同的焦慮;但隨著高壓電氣技術(shù)的不斷進步和快充時代的到來,將SiC(碳化硅)一詞推向了市場的風口浪尖。繼2019年4月保時捷Taycan Turbo S 全球首發(fā)三年后,800V高壓超充終于開始了普及。相比于400V,800V帶來了更高的功效,大幅提升功率,實現(xiàn)了15分鐘的快充補能。而構(gòu)建800V超充平臺的靈魂就是材料的革新,基于碳化硅的新型控制器,便引領(lǐng)著這一輪高壓技術(shù)的革命。小鵬發(fā)布的800V高壓SiC平臺Si(硅)早已
          • 關(guān)鍵字: 碳化硅  SiC  

          用于 GaN HEMT 的超快分立式短路保護

          • 當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅(qū)動等高功率應(yīng)用中實施。實現(xiàn)這一壯舉的方法是提高電子設(shè)備的功率密度。硅基MOSFET具有較低的開關(guān)速度和熱效率;因此,如果不增加尺寸并因此影響功率密度,它們就不能用于高功率應(yīng)用。這就是基于氮化鎵 (GaN) 的高電子遷移率晶體管 (HEMT) 用于制造高功率密度電子產(chǎn)品的地方,適用于各行各業(yè)的不同應(yīng)用。當今的行業(yè)需要緊湊且速度更快的電子電路,這些電路可以在高性能計算機、電動汽車、數(shù)據(jù)中心和高功率電機驅(qū)動等高功
          • 關(guān)鍵字: GaN  HEMT  短路保護  

          英飛凌將收購氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)

          • 【2023 年 03 月 03日,德國慕尼黑和加拿大渥太華訊】英飛凌科技股份公司(FSE 代碼:IFX / OTCQX 代碼:IFNNY)和氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN Systems)聯(lián)合宣布,雙方已簽署最終協(xié)議。根據(jù)該協(xié)議,英飛凌將斥資 8.3 億美元收購氮化鎵系統(tǒng)公司。氮化鎵系統(tǒng)公司是全球領(lǐng)先的科技公司,致力于為功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用開發(fā)基于氮化鎵的解決方案。該公司總部位于加拿大渥太華,擁有 200 多名員工。  英飛凌科技首席執(zhí)行官 Jochen Hanebeck 表示:“氮化鎵技術(shù)為打造更加
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌將  氮化鎵系統(tǒng)公司  GaN Systems  氮化鎵產(chǎn)品  

          幾個氮化鎵GaN驅(qū)動器PCB設(shè)計必須掌握的要點

          • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”)功率開關(guān)。之前我們簡單介紹過氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要,本文將為大家重點說明利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路必須考慮的 PCB 設(shè)計注意事項。本設(shè)計文檔其余部分引用的布線示例將使用含有源極開爾文連接引腳的 GaNFET 封裝。VDD 電容VDD 引腳應(yīng)有兩個盡可能靠近 VDD 引腳放置的陶瓷電容。如圖 7 所示,較低值的高頻旁路電
          • 關(guān)鍵字: 安森美  GaN  驅(qū)動器  PCB  

          5大重要技巧讓您利用 SiC 實現(xiàn)高能效電力電子產(chǎn)品!

          • 當您設(shè)計新電力電子產(chǎn)品時,您的目標任務(wù)一年比一年更艱巨。高效率是首要要求,但以更小的尺寸和更低的成本提供更高的功率是另一個必須實現(xiàn)的特性。SiC MOSFET 是一種能夠滿足這些目標的解決方案。以下重要技巧旨在幫助您創(chuàng)建基于 SiC 半導(dǎo)體的開關(guān)電源,其應(yīng)用領(lǐng)域包括光伏系統(tǒng)、儲能系統(tǒng)、電動汽車 (EV) 充電站等。為何選擇 SiC?為了證明您選擇 SiC 作為開關(guān)模式設(shè)計的首選功率半導(dǎo)體是正確的,請考慮以下突出的特性。與標準或超級結(jié) MOSFET 甚至 IGBT 相比,SiC 器件可以在更高的電壓、更高的
          • 關(guān)鍵字: 安森美  SiC  

          氮化鎵GaN驅(qū)動器的PCB設(shè)計策略概要

          • NCP51820 是一款 650 V、高速、半橋驅(qū)動器,能夠以高達 200 V/ns 的 dV/dt 速率驅(qū)動氮化鎵(以下簡稱“GaN”) 功率開關(guān)。只有合理設(shè)計能夠支持這種功率開關(guān)轉(zhuǎn)換的印刷電路板 (PCB) ,才能實現(xiàn)實現(xiàn)高電壓、高頻率、快速dV/dt邊沿速率開關(guān)的全部性能優(yōu)勢。本文將簡單介紹NCP51820及利用 NCP51820 設(shè)計高性能 GaN 半橋柵極驅(qū)動電路的 PCB 設(shè)計要點。NCP51820 是一款全功能專用驅(qū)動器,為充分發(fā)揮高電子遷移率晶體管 (HEMT) GaNFET 的開關(guān)性能而
          • 關(guān)鍵字: 安森美  GaN  PCB  

          納芯微新品,專門用于驅(qū)動E?mode(增強型)GaN 開關(guān)管的半橋芯片NSD2621

          • 前言現(xiàn)階段的大多數(shù) GaN 電源系統(tǒng)都是由多個芯片組成。GaN 器件在電路板上組裝前采用分立式的元件組裝會產(chǎn)生寄生電感,從而影響器件的性能。例如驅(qū)動器會在單獨的芯片上帶有驅(qū)動器的分立晶體管,受到驅(qū)動器輸出級和晶體管輸入之間以及半橋開關(guān)節(jié)點之間的寄生電感的影響,同時GaN HEMT 具有非常高的開關(guān)速度,如果寄生電感未被抑制,將會導(dǎo)致信號傳輸?shù)牟▌印=?,納芯微推出了兩款全新的GaN相關(guān)產(chǎn)品,分別是GaN驅(qū)動NSD2621,一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片,專門用于驅(qū)動E?mode(增強型)GaN 開關(guān)管;集成化的
          • 關(guān)鍵字: GaN  納芯微  半橋驅(qū)動芯片  

          英飛凌與Resonac擴大合作范圍,簽署多年期碳化硅(SiC)材料供應(yīng)協(xié)議

          • 英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)持續(xù)擴大與碳化硅(SiC)供應(yīng)商的合作。英飛凌是一家總部位于德國的半導(dǎo)體制造商,此次與Resonac Corporation(原昭和電工)簽署了全新的多年期供應(yīng)和合作協(xié)議。早在2021年,雙方就曾簽署合作協(xié)議,此次的合作是在該基礎(chǔ)上的進一步豐富和擴展,將深化雙方在SiC材料領(lǐng)域的長期合作伙伴關(guān)系。協(xié)議顯示,英飛凌未來十年用于生產(chǎn)SiC半導(dǎo)體的SiC材料中,約占兩位數(shù)份額將由Resonac供給。前期,Resonac將主要供應(yīng)6英寸SiC
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  Resonac  碳化硅  SiC  

          是什么使SiC成為組串式逆變器的完美解決方案

          • 與硅技術(shù)相比,SiC MOSFET在光伏和儲能應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢,它解決了能效與成本的迫切需求,特別是在需要雙向功率轉(zhuǎn)換的時候。易于安裝是大功率光伏組串式逆變器的關(guān)鍵特征之一。如果只需要兩個工人來搬運和安裝該系統(tǒng),將會非常利于運維。因此,尺寸和重量非常重要。最新一代的碳化硅半導(dǎo)體使電力轉(zhuǎn)換效率大幅提高。這不僅節(jié)省了能源,而且使設(shè)備更小、更輕,相關(guān)的資本、安裝和維護成本更低。關(guān)鍵的應(yīng)用要求及其挑戰(zhàn)。在光伏和儲能系統(tǒng)中,1500V的高系統(tǒng)電壓要求宇宙輻射引起的故障率非常低,同時要求功率器件具有更高的系統(tǒng)效率
          • 關(guān)鍵字: 英飛凌  SiC  逆變器  

          高壓SiC MOSFET研究現(xiàn)狀與展望

          • 碳化硅(SiC)金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)作為寬禁帶半導(dǎo)體單極型功率 器件,具有頻率高、耐壓高、效率高等優(yōu)勢,在高壓應(yīng)用領(lǐng)域需求廣泛,具有巨大的研究價值。回顧了高壓 SiC MOSFET 器件的發(fā)展歷程和前沿技術(shù)進展,總結(jié)了進一步提高器件品質(zhì)因數(shù)的元胞優(yōu)化結(jié)構(gòu),介紹了針對高壓器件的幾種終端結(jié)構(gòu)及其發(fā)展現(xiàn)狀,對高壓 SiC MOSFET 器件存在的瓶頸和挑戰(zhàn)進行了討論。1 引言電力電子變換已經(jīng)逐步進入高壓、特高壓領(lǐng)域,高壓功率器件是制約變換器體積、功耗和效率的決定性因素。特高壓交直流輸電、
          • 關(guān)鍵字: SiC  MOSFET  

          納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品NSD2621和NSG65N15K

          • 納芯微全新推出GaN相關(guān)產(chǎn)品,包含GaN驅(qū)動NSD2621與集成化的Power Stage產(chǎn)品NSG65N15K,均可廣泛適用于快充、儲能、服務(wù)器電源等多種GaN應(yīng)用場景。其中,NSD2621是一顆高壓半橋柵極驅(qū)動芯片,專門用于驅(qū)動E?mode(增強型)GaN 開關(guān)管;NSG65N15K是一顆集成化的Power Stage產(chǎn)品,內(nèi)部集成了高壓半橋驅(qū)動器和兩顆650V耐壓的GaN開關(guān)管。NSD2621產(chǎn)品特性: 01. SW引腳耐壓±700V 02. 峰值驅(qū)動電流2A/-4A 03.&n
          • 關(guān)鍵字: 納芯微  GaN  

          特斯拉 Model3 搭載 SiC,寬禁帶半導(dǎo)體迎來爆發(fā)

          • 去年 11 月底,特斯拉 Model 3 新款開售,其產(chǎn)品設(shè)計和功能變化都引起了外界關(guān)注。在特斯拉 Model 3 車型中,SiC 得到量產(chǎn)應(yīng)用,這吸引了全球汽車廠商的目光。搭載 SiC 芯片的智能電動汽車,可提高續(xù)航里程,對突破現(xiàn)有電池能耗與控制系統(tǒng)上瓶頸,乃至整個新能源汽車行業(yè)都有重要意義。目前,業(yè)內(nèi)普遍認為以 SiC 為代表的寬禁帶半導(dǎo)體將成為下一代半導(dǎo)體主要材料,那么寬禁帶半導(dǎo)體當前發(fā)展狀況如何?國內(nèi)外發(fā)展寬禁帶半導(dǎo)體有哪些區(qū)別?未來發(fā)展面臨著哪些挑戰(zhàn)?01、特斯拉 Model 3 首批
          • 關(guān)鍵字: 特斯拉  Model 3  SiC  
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