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ROHM SiC在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用

近年來，SiC(碳化硅)因其優(yōu)異的節(jié)能效果和對(duì)產(chǎn)品小型化、輕量化的貢獻(xiàn)，在新能源汽車、城市基礎(chǔ)設(shè)施、環(huán)境/能源，以及工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。與同等額定電流的IGBT產(chǎn)品相比，SiC產(chǎn)品憑借更低的開關(guān)損耗，可實(shí)現(xiàn)設(shè)備中冷卻機(jī)構(gòu)的小型化。同時(shí)，通過更高頻率的開關(guān)動(dòng)作，還可實(shí)現(xiàn)線圈和電容器等周邊元器件的小型化?？梢姡琒iC是可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)設(shè)備節(jié)能化、小型化和輕量化的“理想的元器件”。
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GaN器件開路 5G將重塑RF產(chǎn)業(yè)

　　未來五年，通信產(chǎn)業(yè)向5G時(shí)代的革命性轉(zhuǎn)變正在深刻重塑RF(射頻)技術(shù)產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀。這不僅是針對(duì)智能手機(jī)市場(chǎng)，還包括3W應(yīng)用RF通信基礎(chǔ)設(shè)施應(yīng)用，并且，5G將為RF功率市場(chǎng)的化合物半導(dǎo)體技術(shù)帶來重大市場(chǎng)機(jī)遇。　　未來幾年，據(jù)Yole最新發(fā)布的《RF功率市場(chǎng)和技術(shù)趨勢(shì)-2017版》報(bào)告預(yù)計(jì)，隨著電信基站升級(jí)和小型基站部署的需求增長(zhǎng)，RF功率市場(chǎng)將獲得強(qiáng)勁增長(zhǎng)。2016~2022年期間，整體RF功率市場(chǎng)營(yíng)收或?qū)⒃鲩L(zhǎng)75%，帶來9.8%的復(fù)合年增長(zhǎng)率。這意味著市場(chǎng)營(yíng)收規(guī)模將從2016年的15億美元增長(zhǎng)至202
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5G推動(dòng)RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

展望未來，采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù)，LDMOS制程的市場(chǎng)份額則會(huì)明顯萎縮。
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走過疑慮 SiC器件終迎春天

在經(jīng)過多年的疑慮和猶豫之后，SiC器件終于迎來了春天。
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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性

SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢(shì)。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動(dòng)態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃?，以及足夠的閾值電壓和以?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等?？膳cIGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動(dòng)電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
關(guān)鍵字：電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707

2021年全球MOCVD市場(chǎng)將突破11億美元

　　什么是MOCVD? 　　MOCVD是在氣相外延生長(zhǎng)(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長(zhǎng)技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長(zhǎng)源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長(zhǎng)各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。　　MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長(zhǎng)，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。　　根據(jù)Technavio統(tǒng)計(jì)，全球MOCVD市場(chǎng)的復(fù)合年平均增長(zhǎng)率將在2021年之前增長(zhǎng)到14%，市場(chǎng)規(guī)模將從201
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SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案設(shè)計(jì)

人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了.
關(guān)鍵字： SiC 集成技術(shù) 生物電信號(hào) 采集方案

基于SiC集成技術(shù)的生物電信號(hào)采集方案

人體信息監(jiān)控是一個(gè)新興的領(lǐng)域，人們?cè)O(shè)想開發(fā)無線腦電圖(EEG)監(jiān)控設(shè)備來診斷癲癇病人，可穿戴的無線EEG能夠極大地改善病人的活動(dòng)空間，并最終通過因特網(wǎng)實(shí)現(xiàn)家庭監(jiān)護(hù)。這樣的無線EEG系統(tǒng)已經(jīng)有了，但如何
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趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒

本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會(huì)影響力。
關(guān)鍵字：照明紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體

GaN組件和AMO技術(shù)實(shí)現(xiàn)更高效率與寬帶

隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴(kuò)展，基地臺(tái)收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對(duì)于更高效率的需求也不斷成長(zhǎng)。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺(tái)運(yùn)作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項(xiàng)優(yōu)勢(shì)，首先，最明顯的好處是降低運(yùn)營(yíng)成本；同時(shí)，更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
關(guān)鍵字： GaN AMO 放率放大器 LINC DPDm

第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動(dòng)新型功率器件

GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場(chǎng)效應(yīng)管以及在移動(dòng)通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場(chǎng)等突出優(yōu)點(diǎn)，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料

ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化

　　<概要>　　全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?！　”井a(chǎn)品通過ROHM獨(dú)有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計(jì)優(yōu)化，實(shí)現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時(shí))，這非常有助于應(yīng)
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MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢(shì)

　　MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶提供真正的競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)并為投資者帶來卓越的價(jià)值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。　　在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬人在生活中每時(shí)每刻方便地交流溝通。　　日前在上海舉辦的EDICON展會(huì)上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶的需求及痛點(diǎn)提供一站式解決方案。
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汽車功率元器件市場(chǎng)前景廣闊

　　汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動(dòng)因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動(dòng)汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。　　雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長(zhǎng)，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長(zhǎng)率預(yù)計(jì)將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動(dòng)的電動(dòng)汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長(zhǎng)推動(dòng)力，2015年5月Teardown.com針對(duì)寶馬i3電動(dòng)車的報(bào)告顯示，該車型物料清單中包含100多個(gè)電源
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前瞻性技術(shù)：加速GaN技術(shù)應(yīng)用

　　相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運(yùn)作。這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實(shí)現(xiàn)更高的效率。　　電源供應(yīng)設(shè)計(jì) 　　德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計(jì)至電源解決方案中，進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。基于數(shù)十年的電源測(cè)試專業(yè)經(jīng)驗(yàn)，TI針對(duì)GaN進(jìn)行了數(shù)百萬小時(shí)的加速測(cè)試，并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計(jì)的生態(tài)系統(tǒng)。　　GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手，它能夠在保持或提
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