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【功率器件心得分享】MACOM GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用

　　MACOM GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用　　用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來(lái)的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無(wú)線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營(yíng)成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(shì)(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為L(zhǎng)DMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過(guò)高，但是MACOM公司
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第三代半導(dǎo)體技術(shù)、應(yīng)用、市場(chǎng)全解析

第一代半導(dǎo)體材料是元素半導(dǎo)體的天下，第一代半導(dǎo)體材料是化合物半導(dǎo)體材料，然而隨著半導(dǎo)體器件應(yīng)用領(lǐng)域的不斷擴(kuò)大，特別是特殊場(chǎng)合要求半導(dǎo)體能夠在高溫、強(qiáng)輻射、大功率等環(huán)境下依然堅(jiān)挺，第一、二代半導(dǎo)體材料便無(wú)能為力，于是賦予使命的第三代半導(dǎo)體材料——寬禁帶半導(dǎo)體材料誕生了。
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無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng)　碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)

　　有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢(shì)，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。　　可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過(guò)矽元件。　　臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
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松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關(guān)器件X-GaN效率更高

　　松下被動(dòng)元件展區(qū)，松下位于德國(guó)的器件解決方案部門被動(dòng)元件團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問(wèn)世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！　K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場(chǎng)合。　　松下集團(tuán)汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
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11月8日：ROHM為汽車推出新一代SiC、LED方案

　　ROHM新聞發(fā)布會(huì)上，首先宣布最新的第三代SiC技術(shù)，包括SiC MOSFET、SiC SBD(肖特基勢(shì)壘二極管)、SiC模塊，提供更高的功率密度可靠性和更高的能效。據(jù)悉，相比平面(planar)柵型SiC MOSFET，新一代SiC MOSFET在整個(gè)溫度范圍內(nèi)減少Rdson 50%，在同樣芯片尺寸下減少35%輸入電容器。　　ROHM的德國(guó)發(fā)言人(左1)介紹了車用外部LED燈,ROHM方案精度更高，用于車前燈。還有LED矩陣控制器，使電路配置更容易、
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世界各國(guó)第三代半導(dǎo)體材料發(fā)展情況

技術(shù)創(chuàng)新是推動(dòng)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的永恒動(dòng)力，以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料憑借著其優(yōu)異的特性得到了世界各國(guó)的高度重視，從國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)角度看，美、日、歐等發(fā)達(dá)國(guó)家已將第三代半導(dǎo)體材料列入國(guó)家計(jì)劃，并展開全面戰(zhàn)略部署，欲搶占戰(zhàn)略制高點(diǎn)。
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半導(dǎo)體大佬撐腰之下 GaN功率半導(dǎo)體能取代MOSFET？

2010年，供應(yīng)商發(fā)布了第一波基于GaN技術(shù)的功率半導(dǎo)體。但直到最近，這種產(chǎn)品的可用性依然不高，價(jià)格也高昂不下，GaN技術(shù)一直在尋找理想的應(yīng)用空間。隨著時(shí)間的推移，這些器件預(yù)計(jì)將逐步應(yīng)用到電動(dòng)汽車、移動(dòng)設(shè)備的快速充電適配器、無(wú)線充電和其他系統(tǒng)中，GaN基功率半導(dǎo)體器件正在電源市場(chǎng)上攻城拔寨。
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如何應(yīng)對(duì)GaN測(cè)量挑戰(zhàn)

功耗是當(dāng)今電子設(shè)計(jì)以及測(cè)試中最熱門也是競(jìng)爭(zhēng)最激烈的領(lǐng)域之一。這是因?yàn)槿藗儗?duì)高能效有強(qiáng)烈需求，希望能充分利用電池能量，幫助消減能源帳單，或者支持空間敏感或熱量敏感型應(yīng)用。在經(jīng)過(guò)30年的發(fā)展之后，硅MOSFET發(fā)
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技術(shù)講座：用氧化鎵能制造出比SiC性價(jià)比更高的功率元件

與SiC和GaN相比，beta;-Ga2O3有望以低成本制造出高耐壓且低損失的功率半導(dǎo)體元件，因而引起了極大關(guān)注。契機(jī)源于日本信息通信研究機(jī)構(gòu)等的研究小組開發(fā)出的beta;-Ga2O3晶體管。下面請(qǐng)這些研究小組的技術(shù)人員，以論
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中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞

　　中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)在東莞召開。國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì)主任曹健林，廣東省副省長(zhǎng)袁寶成、省科技廳廳長(zhǎng)黃寧生，市委副書記、市長(zhǎng)梁維東，國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)并見證簽約儀式。　　副市長(zhǎng)楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會(huì)主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。　　為廣東實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
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Dialog加入功率元件市場(chǎng)戰(zhàn)局 GaN應(yīng)用成長(zhǎng)可期

　　隨著去年Dialog取得了臺(tái)灣敦宏科技40%的股份后，國(guó)際Fabless業(yè)者Dialog于今日又有重要?jiǎng)幼?。此次的重大發(fā)布是與晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSMC)在GaN(氮化鎵)元件的合作。　　　　Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall 　　透過(guò)臺(tái)積電以六寸晶圓廠的技術(shù)，Dialog推出了DA8801，Dialog企業(yè)發(fā)展及策略資深副總裁Mark Tyndall在會(huì)后接受CTIMES采訪時(shí)表示，該款元件為目前產(chǎn)業(yè)界首款將邏輯元件與GaN FET整合為單一
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以GaN打造的功率放大器為5G鋪路

　　德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer IAF)近日開發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的建構(gòu)模組：以氮化鎵(GaN)技術(shù)制造的高功率放大器電晶體... 　　下一代行動(dòng)無(wú)線網(wǎng)路——5G，將為需要極低延遲的間和/或高達(dá)10Gbps資料傳輸速率的創(chuàng)新應(yīng)用提供平臺(tái)。德國(guó)弗勞恩霍夫應(yīng)用固體物理研究所(Fraunhofer Institute for Applied Solid State Physics，F(xiàn)raunhofer IAF)近日開發(fā)出實(shí)現(xiàn)5G網(wǎng)路不可或缺的一種建構(gòu)模組
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GaN、SiC功率元件帶來(lái)更輕巧的世界

　　眾人皆知，由于半導(dǎo)體制程的不斷精進(jìn)，數(shù)位邏輯晶片的電晶體密度不斷增高，運(yùn)算力不斷增強(qiáng)，使運(yùn)算的取得愈來(lái)愈便宜，也愈來(lái)愈輕便，運(yùn)算力便宜的代表是微電腦、個(gè)人電腦，而輕便的成功代表則是筆電、智慧型手機(jī)、平板。　　 ? 　　GaN、SiC、Si電源配接電路比較圖 (source：www.nedo.go.jp) 　　不過(guò)，姑且不論摩爾定律(Moors’ Law)能否持續(xù)下去，有些電子系統(tǒng)的輕便度仍待改進(jìn)提升，例如筆電出門經(jīng)常要帶著一個(gè)厚重占體積的電源配接器(Power Ad
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諾貝爾獎(jiǎng)后日本GaN產(chǎn)學(xué)應(yīng)用新動(dòng)態(tài)

　　當(dāng)諾貝爾獎(jiǎng)委員會(huì)在2014年宣布物理獎(jiǎng)得主是發(fā)明藍(lán)光LED而得獎(jiǎng)的日本學(xué)者赤崎勇、天野浩與中村修二三位學(xué)者后，掀起日本人對(duì)LED及氮化鎵(GaN)注意，也讓相關(guān)研究單位及研究計(jì)劃獲得更多的支持與關(guān)注。　　比方2015年以諾貝爾獎(jiǎng)得主天野浩帶頭的新單位─名古屋大學(xué)GaN聯(lián)盟，便有29家企業(yè)、14所大學(xué)、與2個(gè)技術(shù)研發(fā)基金會(huì)加入;日本產(chǎn)業(yè)技術(shù)總和研究所(AIST)與名古屋大學(xué)(NagoyaUniversity)合作，在2016年成立產(chǎn)總研名大氮化鎵半導(dǎo)體先進(jìn)零組件開創(chuàng)研究實(shí)驗(yàn)室(GaN-OIL)，都是
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