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電源設計控必須了解的2017三大趨勢

- 2017電源市場需求和技術趨勢風向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流! 需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內外領先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
- 關鍵字: SiC GaN
下一波功率轉換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設計

- 引言 太陽能不再是一項新興技術,而是正在經歷重大技術變革的技術,日趨成熟。我們朝著電網平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當),并且改進傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構成的目標前進,因為將面板中的直流電轉換為可用交流電的過程變得更加高效且經濟實惠。 但是,雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低,但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉換器系統(tǒng)的新技術推動。先進復雜的多級功率開關拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實現(xiàn)更加快速的功率開關,與傳統(tǒng)系
- 關鍵字: 光伏逆變器 GaN
日研究團隊制作了高質量2英寸GaN芯片和MOSFET
- 日本三菱化學及富士電機、豐田中央研究所、京都大學、產業(yè)技術綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導體關鍵技術。GaN功率半導體是碳化硅功率半導體的下一代技術。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術,GaN芯片生產量占據世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術的實用化,將處于世界優(yōu)勢地位。 功率半導體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能,產業(yè)需求很大。GaN功率半導體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設備已經量產,但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
- 關鍵字: GaN MOSFET
新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產率
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- 日本 DISCO 公司的科學家們使用一種稱為關鍵無定形黑色重復吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術,可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產率提升到原來的四倍,并且在提高產量的同時減少材料損耗。該技術適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場中的滲透較慢,主要是因為其產量小、且生產成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產量,并且應該能夠使 SiC 器件作為功率
- 關鍵字: SiC
手機及可穿戴產品需要快速充電及小體積適配器

- 充電和電池管理對智能手機來說,仍是關鍵的功能,未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進可能大大擴展便攜式產品的使用,我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機和平板電腦)的設計都具高能效。安森美半導體專注于這兩大應用,提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案,以滿足所有這些產品的功率要求。 市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求,把智能手機和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
- 關鍵字: 安森美 GaN
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