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1200V CoolSiCTM MOSFET兼具高性能與高可靠性
- SiC在電源轉(zhuǎn)換器的尺寸、重量和/或能效等方面具有優(yōu)勢。當(dāng)然，要進(jìn)行大批量生產(chǎn)，逆變器除了靜態(tài)和動態(tài)性能之外，還必須具備適當(dāng)?shù)目煽啃裕约白銐虻拈撝惦妷汉鸵詰?yīng)用為導(dǎo)向的短路耐受能力等。可與IGBT兼容的VGS=15V導(dǎo)通驅(qū)動電壓，以便從IGBT輕松改用SiC MOSFET解決方案。英飛凌的1200V CoolSiCTM MOSFET可滿足這些要求。
- 關(guān)鍵字： 電源轉(zhuǎn)換器 SiC MOSFET 逆變器 201707
2021年全球MOCVD市場將突破11億美元
- 什么是MOCVD? MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機(jī)化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料，以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進(jìn)行氣相外延，生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。 MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長，是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。 根據(jù)Technavio統(tǒng)計，全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%，市場規(guī)模將從201
- 關(guān)鍵字： MOCVD GaN
趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng)，紫外LED要做弄潮兒
- 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
- 關(guān)鍵字： 照明 紫外LED GaN 第三代半導(dǎo)體
第三代半導(dǎo)體材料盛行，GaN與SiC如何撬動新型功率器件
- GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料，由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點，與剛石等半導(dǎo)體材料一起，被譽(yù)為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
- 關(guān)鍵字： GaN SiC 第三代半導(dǎo)體材料
ROHM全SiC功率模塊的產(chǎn)品陣容更強(qiáng)大！支持1200V 400A（BSM400D12P3G002）、600A（BSM600D12P3G001），有助于大功率應(yīng)用的高效化與小型化
- <概要> 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM面向工業(yè)設(shè)備用的電源、太陽能發(fā)電功率調(diào)節(jié)器及UPS等的逆變器、轉(zhuǎn)換器，開發(fā)出額定1200V 400A、600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002”、“BSM600D12P3G001”?！ ”井a(chǎn)品通過ROHM獨有的模塊內(nèi)部結(jié)構(gòu)及散熱設(shè)計優(yōu)化，實現(xiàn)了600A額定電流，由此，在工業(yè)設(shè)備用大容量電源等更大功率產(chǎn)品中的應(yīng)用成為可能。另外，與普通的同等額定電流的IGBT模塊相比，開關(guān)損耗降低了64%(芯片溫度150℃時)，這非常有助于應(yīng)
- 關(guān)鍵字： ROHM SiC
MACOM：硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢
- MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè)，在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中，公司敢于采用大膽的技術(shù)手段，為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值，致力于構(gòu)筑更加美好的世界。 在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中，MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率，讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量，讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。 日前在上海舉辦的EDICON展會上，MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品，根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
- 關(guān)鍵字： MACOM GaN
汽車功率元器件市場前景廣闊
- 汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件，是支撐新型電動汽車?yán)m(xù)航里程達(dá)到至少200英里的核心部件。 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
前瞻性技術(shù)：加速GaN技術(shù)應(yīng)用
- 相較于過去所使用的硅晶體管，氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下，以更高的切換頻率運(yùn)作。 這代表在相同條件下，GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實現(xiàn)更高的效率。 電源供應(yīng)設(shè)計 德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型，讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計至電源解決方案中，進(jìn)而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗，TI針對GaN進(jìn)行了數(shù)百萬小時的加速測試，并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。 GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手，它能夠在保持或提
- 關(guān)鍵字： 德州儀器 GaN
汽車功率元器件市場前景廣闊
- 雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1]，汽車銷量為8,800萬輛[2])，但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長，2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力，2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示，該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片。 與遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同，功率元器件FET通常運(yùn)用更老的技術(shù)節(jié)點，使用200毫米(和
- 關(guān)鍵字： SiC GaN
功率半導(dǎo)體：自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升
- 與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認(rèn)為功率半導(dǎo)體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認(rèn)為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長期低估,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 SiC
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