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          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   雖然智能手機(jī)的出貨量遠(yuǎn)高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達(dá)8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強(qiáng)勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進(jìn)邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點,使用200毫米(和
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          功率半導(dǎo)體:自主可控迫在眉睫 產(chǎn)業(yè)地位穩(wěn)步提升

          •   與市場的不同的觀點:傳統(tǒng)觀點認(rèn)為功率半導(dǎo)體競爭格局固定,技術(shù)升級步伐相對緩慢,與集成電路產(chǎn)業(yè)的重要性不可同日而語,中泰電子認(rèn)為隨著新能源車和高端工控對新型功率器件的需求爆發(fā),功率半導(dǎo)體的產(chǎn)業(yè)地位正在逐步提升,其重要性不亞于規(guī)模更大的“集成電路”。大陸半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的崛起需要“兩條腿走路”(集成電路+功率器件),由于功率半導(dǎo)體的重要性被長期低估,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)存在規(guī)模小、技術(shù)落后、品類不全等諸多不足,適逢我國半導(dǎo)體投融資漸入高峰期,行業(yè)龍頭有望率先受益。大
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  

          電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

          •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計

          •   引言  太陽能不再是一項新興技術(shù),而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù),日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當(dāng)),并且改進(jìn)傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構(gòu)成的目標(biāo)前進(jìn),因為將面板中的直流電轉(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟(jì)實惠。  但是,雖然太陽能面板在近幾年價格顯著降低,但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動。先進(jìn)復(fù)雜的多級功率開關(guān)拓?fù)涞呐d起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實現(xiàn)更加快速的功率開關(guān),與傳統(tǒng)系
          • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  GaN  

          ROHM參展“2017慕尼黑上海電子展” 五大解決方案蓄勢待發(fā)

          •   2017年3月14日(周二)~16日(周四),全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM將亮相在"上海新國際展覽中心"舉辦的"2017慕尼黑上海電子展"。屆時ROHM將在E4館設(shè)有展位(展位號:4100),向與會觀眾展示ROHM最新的產(chǎn)品與技術(shù)。來到現(xiàn)場還將有ROHM的專業(yè)技術(shù)人員向您做最詳盡的介紹,期待您的到來?! OHM展位信息  "慕尼黑上海電子展"不僅是亞洲領(lǐng)先的電子行業(yè)展覽,還是行業(yè)內(nèi)最重要的盛會。而作為擁有近60年歷史的綜合性半導(dǎo)體制造商,&
          • 關(guān)鍵字: ROHM  SiC  

          日研究團(tuán)隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

          •   日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù),GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實用化,將處于世界優(yōu)勢地位。   功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能,產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn),但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          2017誰將成為功率器件市場亮點?

          •   通信、汽車驅(qū)動市場增長,國有品牌競爭力提升   市場規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大,增速較2015年有所回升   2016年,中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn),增速有所加快,受此影響,中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大,市場規(guī)模預(yù)計達(dá)到1496.1億元,同比增長7.2%,增速較2015年有所回升。   通信、汽車成為2016年市場增長亮點   從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來看,通信和汽車領(lǐng)域是推動功率器件市場增長的主要驅(qū)動力。   從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看,1-10月,我國生產(chǎn)手機(jī)17億部,同比增長19.9%,其中智能手機(jī)12
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

          新型激光材料加工專利大幅提升SiC生產(chǎn)率

          •   日本 DISCO 公司的科學(xué)家們使用一種稱為關(guān)鍵無定形黑色重復(fù)吸收(key amorphous-black repetitive absorption,KABRA)的專利和正在申請專利的激光材料加工技術(shù),可以將碳化硅(SiC)晶圓的生產(chǎn)率提升到原來的四倍,并且在提高產(chǎn)量的同時減少材料損耗。該技術(shù)適用于單晶和多晶錠,不管晶體層的取向如何。目前,SiC 功率器件在市場中的滲透較慢,主要是因為其產(chǎn)量小、且生產(chǎn)成本高。然而,KABRA 方法能夠顯著提高 SiC 器件的產(chǎn)量,并且應(yīng)該能夠使 SiC 器件作為功率
          • 關(guān)鍵字: SiC  

          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

          •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機(jī)的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  SiC  

          技術(shù)路線圖指導(dǎo) 做強(qiáng)中國功率半導(dǎo)體

          • 在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動下,功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會、促進(jìn)國民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  GaN  

          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

          •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機(jī)的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  GaN  

          手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器

          •   充電和電池管理對智能手機(jī)來說,仍是關(guān)鍵的功能,未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用,我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用,提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案,以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求。  市場對于更快充電時間、更大電池容量和更小適配器的要求,把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
          • 關(guān)鍵字: 安森美  GaN  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】+GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  

          【功率器件心得分享】GaN與SiC新型功率器件

          •   1 GaN 功率管的發(fā)展  微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代 GaAs、InP
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  
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