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          5G推動RF PA技術(shù)改朝換代 GaN逐漸取代LDMOS

          • 展望未來,采用GaN制程的RF PA將成為輸出功率3W以上的RF PA所采用的主流制程技術(shù),LDMOS制程的市場份額則會明顯萎縮。
          • 關(guān)鍵字: 5G  GaN  

          2021年全球MOCVD市場將突破11億美元

          •   什么是MOCVD?   MOCVD是在氣相外延生長(VPE)的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種新型氣相外延生長技術(shù)。主要以Ⅲ族、Ⅱ族元素的有機化合物和V、Ⅵ族元素的氫化物等作為晶體生長源材料,以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。   MOCVD設(shè)備主要用于半導(dǎo)體材料襯底的外延生長,是LED以及半導(dǎo)體器件的關(guān)鍵設(shè)備。   根據(jù)Technavio統(tǒng)計,全球MOCVD市場的復(fù)合年平均增長率將在2021年之前增長到14%,市場規(guī)模將從201
          • 關(guān)鍵字: MOCVD  GaN  

          第三代半導(dǎo)體材料盛行,GaN與SiC如何撬動新型功率器件

          • GaN 功率管的發(fā)展微波功率器件近年來已經(jīng)從硅雙極型晶體管、場效應(yīng)管以及在移動通信領(lǐng)域被廣泛應(yīng)用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮鎵 ( GaN ) 為代表的寬禁帶功率管過渡。SiC、GaN 材料,由于具有寬帶隙、高飽和漂移速度、高臨界擊穿電場等突出優(yōu)點,與剛石等半導(dǎo)體材料一起,被譽為是繼第一代 Ge、Si 半導(dǎo)體材料、第二代
          • 關(guān)鍵字: GaN  SiC  第三代半導(dǎo)體材料  

          趁著第三代半導(dǎo)體的東風(fēng),紫外LED要做弄潮兒

          • 本文主要介紹了第三代半導(dǎo)體固態(tài)紫外光源材料及器件關(guān)鍵技術(shù)的研究目的、意義和社會影響力。
          • 關(guān)鍵字: 照明  紫外LED  GaN  第三代半導(dǎo)體  

          GaN組件和AMO技術(shù)實現(xiàn)更高效率與寬帶

          • 隨著無線通信的帶寬、用戶數(shù)目以及地理覆蓋范圍擴展,基地臺收發(fā)器的功率放大器(PA) 部份對于更高效率的需求也不斷成長。無線功率放大器所消耗的功率超過了基地臺運作所需功率的一半。透過提高效率來減少功耗具有多項優(yōu)勢,首先,最明顯的好 處是降低運營成本;同時,更少的熱意味著更低的設(shè)備冷卻需求以及更高的可靠性。
          • 關(guān)鍵字: GaN  AMO  放率放大器  LINC  DPDm  

          MACOM:硅基GaN產(chǎn)品更適應(yīng)5G未來的發(fā)展趨勢

          •   MACOM是半導(dǎo)體行業(yè)的支柱型企業(yè),在60多年的蓬勃發(fā)展歷程中,公司敢于采用大膽的技術(shù)手段,為客戶提供真正的競爭優(yōu)勢并為投資者帶來卓越的價值,致力于構(gòu)筑更加美好的世界。   在基礎(chǔ)設(shè)施的建設(shè)領(lǐng)域中,MACOM的技術(shù)提高了移動互聯(lián)網(wǎng)的速度和覆蓋率,讓光纖網(wǎng)絡(luò)得以向企業(yè)、家庭和數(shù)據(jù)中心傳輸以前無法想象的巨大通信量,讓數(shù)百萬人在生活中每時每刻方便地交流溝通。   日前在上海舉辦的EDICON展會上,MACOM展出了一系列應(yīng)用在基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域中的射頻功率晶體管產(chǎn)品,根據(jù)客戶的需求及痛點提供一站式解決方案。
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          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   汽車功率電子產(chǎn)品正成為半導(dǎo)體行業(yè)的關(guān)鍵驅(qū)動因素之一。這些電子產(chǎn)品包括功率元器件,是支撐新型電動汽車續(xù)航里程達到至少200英里的核心部件。   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015-2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          前瞻性技術(shù):加速GaN技術(shù)應(yīng)用

          •   相較于過去所使用的硅晶體管,氮化鎵(GaN)能夠讓新的電源應(yīng)用在同等電壓條件下,以更高的切換頻率運作。 這代表在相同條件下,GaN能夠較以硅為基礎(chǔ)的解決方案實現(xiàn)更高的效率。   電源供應(yīng)設(shè)計   德州儀器(TI)的LMG5200全整合式原型,讓工程師能夠輕松地將GaN技術(shù)設(shè)計至電源解決方案中,進而超越傳統(tǒng)上功率密度限制。 基于數(shù)十年的電源測試專業(yè)經(jīng)驗,TI針對GaN進行了數(shù)百萬小時的加速測試,并建立了能夠?qū)崿F(xiàn)基于GaN電源設(shè)計的生態(tài)系統(tǒng)。   GaN將在功率密集的應(yīng)用中大展身手,它能夠在保持或提
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  

          汽車功率元器件市場前景廣闊

          •   雖然智能手機的出貨量遠高于汽車(2015年為14億部[1],汽車銷量為8,800萬輛[2]),但汽車的半導(dǎo)體零件含量卻高得多。汽車功率IC穩(wěn)健增長,2015 - 2020年該行業(yè)的年復(fù)合增長率預(yù)計將達8%[3]。尤其是電池驅(qū)動的電動汽車在該行業(yè)成為強勁增長推動力,2015年5月Teardown.com針對寶馬i3電動車的報告顯示,該車型物料清單中包含100多個電源相關(guān)芯片?! ∨c遵循摩爾定律不斷縮小尺寸的先進邏輯晶體管不同,功率元器件FET通常運用更老的技術(shù)節(jié)點,使用200毫米(和
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          電源設(shè)計控必須了解的2017三大趨勢

          •   2017電源市場需求和技術(shù)趨勢風(fēng)向如何?來e星球,與超六萬的專業(yè)人士一起把握潮流!  需求往往是推動創(chuàng)新的源泉,無論是時尚、金融亦或是我們熟悉的電源領(lǐng)域都存在這樣的現(xiàn)象。抓住了用戶需求,潛在的創(chuàng)新動力才會被激發(fā),也只有適應(yīng)需求的創(chuàng)新才是最具生命周期的。2017年電源需求在哪?創(chuàng)新著力點在哪?帶著疑問與期盼請來亞洲第一大電子展——2017年慕尼黑上海電子展一探究竟吧!3月14日-16日將有超過6萬多名的專業(yè)觀眾以及眾多的國內(nèi)外領(lǐng)先電源廠商集聚上海新國際博覽中心,深度探討2017年中國電源市場需求與走勢,
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  

          下一波功率轉(zhuǎn)換浪潮—專為實現(xiàn)太陽能光伏逆變器的安全、速度和成本效益而設(shè)計

          •   引言  太陽能不再是一項新興技術(shù),而是正在經(jīng)歷重大技術(shù)變革的技術(shù),日趨成熟。我們朝著電網(wǎng)平價(太陽能成本與傳統(tǒng)能源發(fā)電類型的成本相當(dāng)),并且改進傳統(tǒng)能源發(fā)電類型構(gòu)成的目標前進,因為將面板中的直流電轉(zhuǎn)換為可用交流電的過程變得更加高效且經(jīng)濟實惠?! 〉牵m然太陽能面板在近幾年價格顯著降低,但下一波太陽能發(fā)展浪潮將由功率轉(zhuǎn)換器系統(tǒng)的新技術(shù)推動。先進復(fù)雜的多級功率開關(guān)拓撲的興起將基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)材料,加上更高的工作電壓(最高1600 VDC),實現(xiàn)更加快速的功率開關(guān),與傳統(tǒng)系
          • 關(guān)鍵字: 光伏逆變器  GaN  

          日研究團隊制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET

          •   日本三菱化學(xué)及富士電機、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團隊成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù),GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實用化,將處于世界優(yōu)勢地位。   功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能,產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中,硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn),但是,GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          2017誰將成為功率器件市場亮點?

          •   通信、汽車驅(qū)動市場增長,國有品牌競爭力提升   市場規(guī)模繼續(xù)擴大,增速較2015年有所回升   2016年,中國電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn),增速有所加快,受此影響,中國功率器件市場規(guī)模持續(xù)擴大,市場規(guī)模預(yù)計達到1496.1億元,同比增長7.2%,增速較2015年有所回升。   通信、汽車成為2016年市場增長亮點   從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來看,通信和汽車領(lǐng)域是推動功率器件市場增長的主要驅(qū)動力。   從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看,1-10月,我國生產(chǎn)手機17億部,同比增長19.9%,其中智能手機12
          • 關(guān)鍵字: 功率器件  GaN  

          技術(shù)路線圖指導(dǎo) 做強中國功率半導(dǎo)體

          • 在我國綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動下,功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會、促進國民經(jīng)濟發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
          • 關(guān)鍵字: 功率半導(dǎo)體  GaN  

          “十三五”期間,功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖?

          •   如果說中央處理器(CPU)是一臺計算機的心臟,功率半導(dǎo)體就是電機的心臟,它可以實現(xiàn)對電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲和控制。我國發(fā)布《中國制造2025》,勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級的整體方向與發(fā)展規(guī)劃,在此過程中,功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。   然而,與集成電路產(chǎn)業(yè)相似,我國功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國際先進水平也存在著巨大差距。人們常拿我國每年集成電路進口額與石油進行比較,其實如果按比例計算,我國功率半導(dǎo)體的進口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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