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gan-on-sapphire器件
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GaN基量子阱紅外探測(cè)器的設(shè)計(jì)
- 摘要:為了實(shí)現(xiàn)GaN基量子阱紅外探測(cè)器,利用自洽的薛定諤-泊松方法對(duì)GaN基多量子阱結(jié)構(gòu)的能帶結(jié)構(gòu)進(jìn)行了研究??紤]了GaN基材料中的自發(fā)極化和壓電極化效應(yīng),通過(guò)設(shè)計(jì)適當(dāng)?shù)牧孔于褰Y(jié)構(gòu),利用自發(fā)極化和壓電極化的互補(bǔ)
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 探測(cè)器 紅外 量子 GaN
一種GaN寬禁帶功率放大器的設(shè)計(jì)
- 氮化鎵(GaN)作為第三代半導(dǎo)體材料的典型代表之一,由于其寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度等特點(diǎn),被認(rèn)為是高頻功率半導(dǎo)體器件的理想材料。為研究GaN功率放大器的特點(diǎn),基于Agilent ADS仿真軟件,利用負(fù)載/源牽引方法設(shè)計(jì)制作了一種S波段GaN寬禁帶功率放大器(10W)。詳細(xì)說(shuō)明了設(shè)計(jì)步驟并對(duì)放大器進(jìn)行了測(cè)試,數(shù)據(jù)表明放大器在2.3~2.4 GHz范圍內(nèi)可實(shí)現(xiàn)功率超過(guò)15W,附加效率超過(guò)67%的輸出。實(shí)驗(yàn)結(jié)果證實(shí),GaN功率放大器具有高增益、高效率的特點(diǎn)。
- 關(guān)鍵字: 設(shè)計(jì) 功率放大器 GaN 一種
gan-on-sapphire器件介紹
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