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gan-on-sapphire器件 文章 進(jìn)入gan-on-sapphire器件技術(shù)社區(qū)
日研究團(tuán)隊(duì)制作了高質(zhì)量2英寸GaN芯片和MOSFET
- 日本三菱化學(xué)及富士電機(jī)、豐田中央研究所、京都大學(xué)、產(chǎn)業(yè)技術(shù)綜合研究所的聯(lián)合團(tuán)隊(duì)成功解決了在氮化鎵(GaN)芯片上形成GaN元件功率半導(dǎo)體關(guān)鍵技術(shù)。GaN功率半導(dǎo)體是碳化硅功率半導(dǎo)體的下一代技術(shù)。日本通過發(fā)光二極管的開發(fā)積累了GaN元件技術(shù)，GaN芯片生產(chǎn)量占據(jù)世界最高份額。若做到現(xiàn)有技術(shù)的實(shí)用化，將處于世界優(yōu)勢(shì)地位。 功率半導(dǎo)體有利于家電、汽車、電車等的節(jié)能，產(chǎn)業(yè)需求很大。GaN功率半導(dǎo)體中，硅基板上形成橫型GaN系的高電子遷移率晶體管等設(shè)備已經(jīng)量產(chǎn)，但是，GaN基板上形成GaN的金屬-氧化物半
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2017誰(shuí)將成為功率器件市場(chǎng)亮點(diǎn)？
- 通信、汽車驅(qū)動(dòng)市場(chǎng)增長(zhǎng)，國(guó)有品牌競(jìng)爭(zhēng)力提升 市場(chǎng)規(guī)模繼續(xù)擴(kuò)大，增速較2015年有所回升 2016年，中國(guó)電子信息制造業(yè)生產(chǎn)總體平穩(wěn)，增速有所加快，受此影響，中國(guó)功率器件市場(chǎng)規(guī)模持續(xù)擴(kuò)大，市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)達(dá)到1496.1億元，同比增長(zhǎng)7.2%，增速較2015年有所回升。 通信、汽車成為2016年市場(chǎng)增長(zhǎng)亮點(diǎn) 從下游應(yīng)用產(chǎn)品的需求來看，通信和汽車領(lǐng)域是推動(dòng)功率器件市場(chǎng)增長(zhǎng)的主要驅(qū)動(dòng)力。 從通信主要產(chǎn)品產(chǎn)量來看，1-10月，我國(guó)生產(chǎn)手機(jī)17億部，同比增長(zhǎng)19.9%，其中智能手機(jī)12
- 關(guān)鍵字： 功率器件 GaN
技術(shù)路線圖指導(dǎo) 做強(qiáng)中國(guó)功率半導(dǎo)體
- 在我國(guó)綠色能源產(chǎn)業(yè)發(fā)展的推動(dòng)下，功率半導(dǎo)體已經(jīng)成為建設(shè)節(jié)約型社會(huì)、促進(jìn)國(guó)民經(jīng)濟(jì)發(fā)展、踐行創(chuàng)新驅(qū)動(dòng)發(fā)展戰(zhàn)略的重要支撐。
- 關(guān)鍵字： 功率半導(dǎo)體 GaN
“十三五”期間，功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)應(yīng)有怎樣的路線圖？
- 如果說中央處理器(CPU)是一臺(tái)計(jì)算機(jī)的心臟，功率半導(dǎo)體就是電機(jī)的心臟，它可以實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效產(chǎn)生、傳輸、轉(zhuǎn)換、存儲(chǔ)和控制。我國(guó)發(fā)布《中國(guó)制造2025》，勾勒出未來十年產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)的整體方向與發(fā)展規(guī)劃，在此過程中，功率半導(dǎo)體發(fā)揮的作用不可替代。 然而，與集成電路產(chǎn)業(yè)相似，我國(guó)功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展水平與國(guó)際先進(jìn)水平也存在著巨大差距。人們常拿我國(guó)每年集成電路進(jìn)口額與石油進(jìn)行比較，其實(shí)如果按比例計(jì)算，我國(guó)功率半導(dǎo)體的進(jìn)口替代能力可能更弱。隨著“節(jié)能減排”、“開發(fā)綠色
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手機(jī)及可穿戴產(chǎn)品需要快速充電及小體積適配器
- 充電和電池管理對(duì)智能手機(jī)來說，仍是關(guān)鍵的功能，未來多年將持續(xù)有創(chuàng)新。有線和無(wú)線充電的改進(jìn)可能大大擴(kuò)展便攜式產(chǎn)品的使用，我們不斷提升此功能的極限。充電系統(tǒng)要求供電產(chǎn)品(如壁式適配器)或無(wú)線充電發(fā)射器和接收器(如智能手機(jī)和平板電腦)的設(shè)計(jì)都具高能效。安森美半導(dǎo)體專注于這兩大應(yīng)用，提供完整、優(yōu)化和高能效的充電方案，以滿足所有這些產(chǎn)品的功率要求?！ ∈袌?chǎng)對(duì)于更快充電時(shí)間、更大電池容量和更小適配器的要求，把智能手機(jī)和平板電腦的供電能力推到傳統(tǒng)半導(dǎo)體器件不可行的地步。新一代系統(tǒng)將需要氮化鎵(GaN)方案取代傳統(tǒng)M
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【功率器件心得分享】MACOM GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用
- MACOM GaN在無(wú)線基站中的應(yīng)用 用于無(wú)線基礎(chǔ)設(shè)施的半導(dǎo)體技術(shù)正在經(jīng)歷一場(chǎng)重大的變革，特別是功率放大器(PA)市場(chǎng)。橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管在功率放大器領(lǐng)域幾十年來的主導(dǎo)地位正在被氮化鎵(GaN)撼動(dòng)，這將對(duì)無(wú)線基站的系統(tǒng)性能和運(yùn)營(yíng)成本產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。氮化鎵顯而易見的技術(shù)優(yōu)勢(shì)(包括能源效率提高、帶寬更寬、功率密度更大、體積更小)使之成為L(zhǎng)DMOS的天然繼承者服務(wù)于下一代基站，尤其是1.8GHz以上的蜂窩頻段。盡管以前氮化鎵與LDMOS相比價(jià)格過高，但是MACOM公司
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無(wú)畏氮化鎵角逐中功率市場(chǎng) 碳化硅功率元件/模組商機(jī)涌現(xiàn)
- 有鑒于全球環(huán)保意識(shí)抬頭，碳化矽(SiC)與氮化鎵(GaN)兩種功率轉(zhuǎn)換材料備受矚目。其中，碳化矽掌握早期開發(fā)優(yōu)勢(shì)，其功率模組在再生能源與車用電子領(lǐng)域，商機(jī)已紛紛涌現(xiàn)。而主要鎖定低功率市場(chǎng)的氮化鎵，則將緩步進(jìn)軍中功率市場(chǎng)。 可以彌補(bǔ)天然能源不足缺口的再生能源設(shè)備，為聚焦于中功率、高功率應(yīng)用的碳化矽創(chuàng)造大量需求。另一方面，近期豐田汽車(Toyota)在電動(dòng)車中導(dǎo)入碳化矽(SiC)元件的測(cè)試結(jié)果也已出爐，其在改善能源效率、縮小電源控制系統(tǒng)(PCU)尺寸上的效果，明顯勝過矽元件。 臺(tái)達(dá)電技術(shù)長(zhǎng)暨總
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松下：力推阻容元件與開發(fā)工具，開關(guān)器件X-GaN效率更高
- 松下被動(dòng)元件展區(qū)，松下位于德國(guó)的器件解決方案部門被動(dòng)元件團(tuán)隊(duì)產(chǎn)品市場(chǎng)經(jīng)理Mustafa Khan介紹了electronica期間剛剛問世的導(dǎo)電性聚合物混合鋁電解電容器--ZK系列。相比之前的ZA和ZC系列性能更優(yōu)，例如比ZC系列更高的容量和高紋波電流?！ K和ZC產(chǎn)品在125C下可工作4000小時(shí)。三種類型產(chǎn)品都有更低的ESR(等效串聯(lián)電阻)和LC，可用于LED、汽車、電力電子、電信等場(chǎng)合?！ ∷上录瘓F(tuán)汽車&工業(yè)系統(tǒng)公司介紹了其網(wǎng)上工具--LC Simulator，可加速
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最新Qorvo技術(shù)支持更高性能的GaN分立式LNA和驅(qū)動(dòng)器
- 實(shí)現(xiàn)互聯(lián)世界的創(chuàng)新RF解決方案提供商Qorvo, Inc.今天發(fā)布了一系列六款全新的氮化鎵(GaN)芯片晶體管---TGF2933-36和TGF2941-42，新產(chǎn)品的高頻性能更出色，噪聲更低，這對(duì)先進(jìn)的通信、雷達(dá)和國(guó)防RF系統(tǒng)應(yīng)用而言甚為關(guān)鍵。 該系列的這六款全新GaN晶體管及其相關(guān)模型的制造工藝采用了業(yè)內(nèi)獨(dú)有的Qorvo 0.15um碳化硅基氮化鎵(SiC)工藝——QGaN15。QGaN15工藝令晶體管工作頻率高達(dá)25 GHz，支持芯片級(jí)設(shè)計(jì)，通過K頻段應(yīng)用提供頻率更
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中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地正式落戶東莞
- 中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地(以下簡(jiǎn)稱“南方基地”)正式落戶東莞。9月30日，中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)在東莞召開。國(guó)家科技部原副部長(zhǎng)、國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)決策委員會(huì)主任曹健林，廣東省副省長(zhǎng)袁寶成、省科技廳廳長(zhǎng)黃寧生，市委副書記、市長(zhǎng)梁維東，國(guó)家第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟理事長(zhǎng)吳玲等領(lǐng)導(dǎo)出席中國(guó)第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)南方基地項(xiàng)目啟動(dòng)發(fā)布會(huì)并見證簽約儀式。 副市長(zhǎng)楊曉棠，市政府黨組成員、松山湖管委會(huì)主任殷煥明等參加了啟動(dòng)儀式。 為廣東實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)化提
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