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gan 文章 進(jìn)入gan技術(shù)社區(qū)
臺(tái)達(dá)電子與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,瞄準(zhǔn)GaN
- 6月21日,臺(tái)達(dá)電子宣布與全球半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)廠商德州儀器(TI)成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室。臺(tái)達(dá)表示,此舉不僅深化雙方長(zhǎng)期合作關(guān)系,亦可憑借TI在數(shù)字控制及氮化鎵(GaN)等半導(dǎo)體相關(guān)領(lǐng)域多年的豐富經(jīng)驗(yàn)及創(chuàng)新技術(shù),強(qiáng)化新一代電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能等優(yōu)勢(shì),增強(qiáng)臺(tái)達(dá)在電動(dòng)車領(lǐng)域的核心競(jìng)爭(zhēng)力。臺(tái)達(dá)交通事業(yè)范疇執(zhí)行副總裁及電動(dòng)車方案事業(yè)群總經(jīng)理唐修平表示:“透過(guò)與TI成立創(chuàng)新聯(lián)合實(shí)驗(yàn)室,運(yùn)用TI在數(shù)位控制及GaN領(lǐng)域豐富經(jīng)驗(yàn)與技術(shù)優(yōu)勢(shì),提升電動(dòng)車電源系統(tǒng)的功率密度和效能,期盼雙方達(dá)到更緊密的技術(shù)交流及合作,以更具前瞻
- 關(guān)鍵字: 臺(tái)達(dá)電子 TI GaN
GaN“上車”進(jìn)程加速,車用功率器件市場(chǎng)格局將改寫
- 根據(jù)Yole機(jī)構(gòu)2024 Q1的預(yù)測(cè),氮化鎵 (GaN) 功率半導(dǎo)體器件市場(chǎng)2023至2029年平均復(fù)合年增長(zhǎng) (CAGR) 將高于45%,其中表現(xiàn)最為搶眼的是汽車與出行市場(chǎng)(automotive & mobility),“從無(wú)到有”,五年后即有望占據(jù)三分之一的GaN應(yīng)用市場(chǎng)(圖1)。而相比之下,碳化硅(SiC)應(yīng)用市場(chǎng)成長(zhǎng)則顯得比較溫和,CAGR遠(yuǎn)低于GaN(圖1)。隨著GaN“上車”進(jìn)程加速,功率器件器件市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)格局或?qū)⒈桓膶?。圖1:在GaN市場(chǎng)份額變化中,汽車與出行市場(chǎng) “從無(wú)到有”,五年后
- 關(guān)鍵字: GaN 車用功率器件 Transphorm SiC
德州儀器推出先進(jìn)的GaN IPM,助力打造尺寸更小、能效更高的高壓電機(jī)
- ●? ?650V 智能電源模塊 (IPM)集成了德州儀器的氮化鎵 (GaN) 技術(shù),助力家電和暖通空調(diào)(HVAC)系統(tǒng)逆變器達(dá)到99%以上效率?!? ?得益于 IPM 的高集成度和高效率,省去了對(duì)外部散熱器的需求,工程師可以將解決方案尺寸縮減多達(dá) 55%。德州儀器 (TI)近日推出了適用于 250W 電機(jī)驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用的先進(jìn) 650V 三相 GaN IPM。這款全新的 GaN IPM 解決了工程師在設(shè)計(jì)大型家用電器及加熱、通風(fēng)和空調(diào) (HVAC) 系統(tǒng)時(shí)通常面臨的許多設(shè)
- 關(guān)鍵字: 德州儀器 GaN IPM 高壓電機(jī)
漲知識(shí)!氮化鎵(GaN)器件結(jié)構(gòu)與制造工藝
- 氮化鎵功率器件與硅基功率器件的特性不同本質(zhì)是外延結(jié)構(gòu)的不同,本文通過(guò)深入對(duì)比氮化鎵HEMT與硅基MOS管的外延結(jié)構(gòu),再對(duì)增強(qiáng)型和耗盡型的氮化鎵HEMT結(jié)構(gòu)進(jìn)行對(duì)比,總結(jié)結(jié)構(gòu)不同決定的部分特性。此外,對(duì)氮化鎵功率器件的外延工藝以及功率器件的工藝進(jìn)行描述,加深對(duì)氮化鎵功率器件的工藝技術(shù)理解。在理解氮化鎵功率器件結(jié)構(gòu)和工藝的基礎(chǔ)上,對(duì)不同半導(dǎo)體材料的特性、不同襯底材料的氮化鎵HEMT進(jìn)行對(duì)比說(shuō)明。一、器件結(jié)構(gòu)與制造工藝(一)器件結(jié)構(gòu)對(duì)比GaN HEMT是基于AlGaN/GaN異質(zhì)結(jié),目前市面上還未出現(xiàn)G
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵 GaN 結(jié)構(gòu) 制造工藝
純化合物半導(dǎo)體代工廠推出全新RF GaN技術(shù)
- 6月14日,純化合物半導(dǎo)體代工廠穩(wěn)懋半導(dǎo)體(WIN Semiconductors Corp)宣布,公司擴(kuò)大了其RF GaN技術(shù)組合,推出了基于碳化硅(SiC)的毫米波氮化鎵(GaN)技術(shù)測(cè)試版NP12-0B平臺(tái)。目前,NP12-0B鑒定測(cè)試已經(jīng)完成,最終建模/PDK生成預(yù)計(jì)將于2024年8月完成,并計(jì)劃于2024年第三季度末發(fā)布完整的生產(chǎn)版本。據(jù)穩(wěn)懋半導(dǎo)體介紹,該平臺(tái)的核心是0.12μm柵極RF GaN HEMT技術(shù),該技術(shù)結(jié)合了多項(xiàng)改進(jìn),以增強(qiáng)直流和射頻的耐用性,并增加芯片級(jí)防潮性。NP12-0
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CGD為電機(jī)控制帶來(lái)GaN優(yōu)勢(shì)
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效氮化鎵(GaN) 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 正在與全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克股票代碼:QRVO)合作開發(fā) GaN 在電機(jī)控制應(yīng)用中的參考設(shè)計(jì)和評(píng)估套件(EVK)。CGD 旨在加快 GaN 功率 IC 在無(wú)刷直流電機(jī)(BLDC)和永磁同步電機(jī)(PMSM)應(yīng)用中的使用,打造更高功率、高效、緊湊和可靠的系統(tǒng)。Qorvo在為其PAC5556A高性能 BLD
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CGD為數(shù)據(jù)中心、逆變器等更多應(yīng)用推出新款低熱阻GaN功率IC封裝
- 無(wú)晶圓廠環(huán)??萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices (CGD) 開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 今日推出兩款新型 ICeGaN? 產(chǎn)品系列 GaN 功率 IC 封裝,它們具有低熱阻并便于光學(xué)檢查。這兩種封裝均采用經(jīng)過(guò)充分驗(yàn)證的 DFN 封裝,堅(jiān)固可靠。DHDFN-9-1(雙散熱器DFN)是一種薄的雙面冷卻封裝,外形尺寸僅為10x10 mm,并采用側(cè)邊可濕焊盤技術(shù),便于光學(xué)檢查。它具有低熱阻(Rth(JC)),可采用底部、頂部和雙側(cè)冷卻方式運(yùn)行,
- 關(guān)鍵字: CGD 數(shù)據(jù)中心 逆變器 GaN 功率IC
CGD與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院簽署GaN電源開發(fā)諒解備忘錄
- Cambridge GaN Devices (CGD) 是一家無(wú)晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司,開發(fā)了一系列高能效 GaN 功率器件,致力于打造更環(huán)保的電子器件。CGD 與與中國(guó)臺(tái)灣工業(yè)技術(shù)研究院(ITRI)簽署了諒解備忘錄,以鞏固為USB-PD適配器開發(fā)高性能GaN解決方案的合作伙伴關(guān)系、并共享市場(chǎng)信息、實(shí)現(xiàn)對(duì)潛在客戶的聯(lián)合訪問(wèn)和推廣。Andrea Bricconi | CGD 首席商務(wù)官“我們很高興能與ITRI合作,ITRI擁有一個(gè)電力解決方案研究團(tuán)隊(duì),在開發(fā)電力解決方案方面有著非常豐富的經(jīng)驗(yàn)
- 關(guān)鍵字: CGD GaN 電源開發(fā)
Power Integrations收購(gòu)Odyssey Semiconductor資產(chǎn)
- 深耕于高壓集成電路高能效功率變換領(lǐng)域的知名公司Power Integrations近日宣布達(dá)成協(xié)議,收購(gòu)垂直氮化鎵(GaN)晶體管技術(shù)開發(fā)商Odyssey Semiconductor Technologies的資產(chǎn)。這項(xiàng)交易預(yù)計(jì)將于2024年7月完成,屆時(shí)Odyssey的所有關(guān)鍵員工都將加入Power Integrations的技術(shù)部門。此次收購(gòu)將為該公司專有的PowiGaN?技術(shù)的持續(xù)開發(fā)提供有力支持。PowiGaN技術(shù)已廣泛應(yīng)用于該公司的眾多產(chǎn)品系列,包括InnoSwitch? IC、HiperPFS
- 關(guān)鍵字: Power Integrations Odyssey 氮化鎵 GaN
Transphorm與偉詮電子合作推出新款GaN器件
- 近日,Transphorm與偉詮電子宣布推出兩款新型系統(tǒng)級(jí)封裝氮化鎵(GaN)器件(SiP),與去年推出的偉詮電子旗艦GaN SiP一起,組成首個(gè)基于Transphorm SuperGaN平臺(tái)的系統(tǒng)級(jí)封裝GaN產(chǎn)品系列。新推出的兩款SiP器件型號(hào)分別為WT7162RHUG24B和WT7162RHUG24C,集成了偉詮電子的高頻多模(準(zhǔn)諧振/谷底開關(guān))反激式PWM控制器和Transphorm的150 mΩ和480 mΩ SuperGaN FET。與上一款240 mΩ器件(WT7162RHUG24A)相同,兩
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GaN FET讓您實(shí)現(xiàn)高性能D類音頻放大器
- D類音頻放大器參考設(shè)計(jì)(EPC9192)讓模塊化設(shè)計(jì)具有高功率和高效,從而可實(shí)現(xiàn)全定制、高性能的電路設(shè)計(jì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)宣布近日推出EPC9192參考設(shè)計(jì),可實(shí)現(xiàn)優(yōu)越、緊湊型和高效的D類音頻放大器,于接地參考、分離式雙電源單端 (SE)設(shè)計(jì)中發(fā)揮200 V eGaN FET器件(EPC2307)的優(yōu)勢(shì),在4Ω負(fù)載時(shí),每聲道輸出功率達(dá)700 W。EPC9192是可擴(kuò)展的模塊化設(shè)計(jì),其主板配有兩個(gè)PWM調(diào)制器和兩個(gè)半橋功率級(jí)子板,實(shí)現(xiàn)具備輔助管理電源和保護(hù)功能的雙通道放大器。這種設(shè)計(jì)的靈活性高,使
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氮化鎵器件讓您實(shí)現(xiàn)具成本效益的電動(dòng)自行車、無(wú)人機(jī)和機(jī)器人
- 基于氮化鎵器件的逆變器參考設(shè)計(jì)(EPC9193)讓您實(shí)現(xiàn)具有更高性能的電機(jī)系統(tǒng),其續(xù)航里程更長(zhǎng)、精度更高、扭矩更大,而且同時(shí)降低了系統(tǒng)的總成本。宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)近日宣布推出EPC9193,它是使用EPC2619 eGaN?FET的三相BLDC電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變器,具有14V~65V的寬輸入直流電壓范圍和兩種配置,分別為標(biāo)準(zhǔn)和高電流版本:●? ?EPC9193 是標(biāo)準(zhǔn)參考設(shè)計(jì),在每個(gè)開關(guān)位置使用單個(gè)FET,可提供高達(dá)30ARMS 的最大輸出電流?!? ?EPC91
- 關(guān)鍵字: 氮化鎵器件 電動(dòng)自行車 無(wú)人機(jī) 機(jī)器人 EPC GaN 宜普
GaN引領(lǐng)未來(lái)寬帶功率放大器——Qorvo TGA2962
- Qorvo是一家在射頻解決方案領(lǐng)域具有顯著影響力的美國(guó)公司。它通過(guò)提供創(chuàng)新的射頻技術(shù),為移動(dòng)、基礎(chǔ)設(shè)施與國(guó)防/航空航天市場(chǎng)提供核心技術(shù)及解決方案,致力于實(shí)現(xiàn)全球互聯(lián)。Qorvo在射頻前端模塊、濾波器、功率放大器、開關(guān)、調(diào)諧器等領(lǐng)域都展現(xiàn)出了強(qiáng)大的技術(shù)實(shí)力和市場(chǎng)地位。它是全球主要的功頻放大器供貨商,其產(chǎn)品在市場(chǎng)上具有較高的認(rèn)可度和廣泛的應(yīng)用。這使得Qorvo在推動(dòng)5G網(wǎng)絡(luò)、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等新興應(yīng)用市場(chǎng)的發(fā)展方面發(fā)揮了重要作用。在Qorvo所擅長(zhǎng)的寬帶功率放大器領(lǐng)域之中,GaN材料展露出了重要的應(yīng)用潛力。由于
- 關(guān)鍵字: Qorvo GaN 寬帶功率放大器
納微半導(dǎo)體與您相約亞洲充電展,最新GaN+SiC技術(shù)展望快充未來(lái)
- 唯一全面專注的下一代功率半導(dǎo)體公司及氮化鎵和碳化硅功率芯片行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者——納微半導(dǎo)體近日宣布將參加于2024年3月20-22日在深圳福田會(huì)展中心舉辦的亞洲充電展,邀請(qǐng)觀眾造訪由最新氮化鎵和碳化硅技術(shù)打造,象征著全電氣化未來(lái)的“納微芯球”展臺(tái)。納微半導(dǎo)體將展出最新的GaNFast?和GeneSiC?應(yīng)用及解決方案,包括:●? ?功率水平更高、以應(yīng)用為導(dǎo)向的GaNSense? Halfbridge半橋氮化鎵技術(shù)●? ?高性能、速度快的第三代高速碳化硅技術(shù)●? &
- 關(guān)鍵字: 納微半導(dǎo)體 亞洲充電展 GaN+SiC 快充
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