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          GaN功率半導(dǎo)體市場將迅速增長,2013年市場規(guī)模達(dá)1.8億

          •   美國iSuppli公布了關(guān)于GaN(氮化鎵)功率半導(dǎo)體市場將迅速增長的調(diào)查報(bào)告)。報(bào)告顯示,2010年的市場規(guī)模近乎為零,但3年后到2013年將猛增至1.836億美元。各廠商將以替代現(xiàn)有功率MOSFET的方式,不斷擴(kuò)大市場規(guī)模。iSuppli預(yù)測,該產(chǎn)品在高性能服務(wù)器、筆記本電腦、手機(jī)及有線通信設(shè)備等方面的應(yīng)用將取得進(jìn)展。   目前,GaN功率半導(dǎo)體正處于在研究室評(píng)測階段,或者剛開始商用化的階段。不過,GaN功率半導(dǎo)體與采用Si(硅)的功率MOSFET相比,具有導(dǎo)通電阻較低等優(yōu)點(diǎn),可提高電源電路的轉(zhuǎn)
          • 關(guān)鍵字: GaN  MOSFET  

          SiC襯底X波段GaN MMIC的研究

          • 使用國產(chǎn)6H―SiC襯底的GaN HEMT外延材料研制出高工作電壓、高輸出功率的A1GaN/GaN HEMT。利用ICCAP軟件建立器件大信號(hào)模型,利用ADS軟件仿真優(yōu)化了雙級(jí)GaNMMIC,研制出具有通孔結(jié)構(gòu)的GaN MMIC芯片,連續(xù)波測試顯示,頻率為9.1~10.1 GHz時(shí)連續(xù)波輸出功率大于10W,帶內(nèi)增益大于12 dB,增益平坦度為±0.2 dB。該功率單片為第一個(gè)采用國產(chǎn)SiC襯底的GaN MMIC。
          • 關(guān)鍵字: MMIC  SiC  GaN  襯底    

          IR推出革命性氮化鎵基功率器件技術(shù)平臺(tái)

          •   國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 宣布,成功開發(fā)出一種革命性的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)。與此前最先進(jìn)的硅基技術(shù)平臺(tái)相比,該技術(shù)平臺(tái)可將關(guān)鍵特定設(shè)備的品質(zhì)因子 (FOM) 提高1/10,顯著提高計(jì)算和通信、汽車和電器等終端設(shè)備的性能,并降低能耗。   開拓性GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)是IR基于該公司的GaN器件專利技術(shù),歷經(jīng)5年研發(fā)而成的成果。   IR的GaN功率器件技術(shù)平臺(tái)有助于實(shí)現(xiàn)電源轉(zhuǎn)換解決方案的革命性進(jìn)步。通過有效利用公司60年來在電源轉(zhuǎn)換專業(yè)知識(shí)方面
          • 關(guān)鍵字: IR  功率器件  GaN  終端  

          測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話技術(shù)問題

          • 要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值...
          • 關(guān)鍵字: GAN  蜂窩  話音質(zhì)量  

          Cree推出用于5GHzWiMAX的GaN HEMT三極管

          •   Cree發(fā)布了兩款突破性的GaN HEMT三極管,用于覆蓋4.9-5.8GHz頻帶的WiMAX。新款三極管CGH55015F與CGH55030F是首次發(fā)布的特定工作在5.8GHz的GaN HEMT WiMAX產(chǎn)品,其性能級(jí)別進(jìn)一步證實(shí)了Cree在GaN技術(shù)上的的領(lǐng)導(dǎo)地位。   新款15-watt與30-watt器件的重要潛在特性包括:   1. 相比于類似功率級(jí)的GaAs MOSFET器件,效率增加四倍      2. 相比于商業(yè)可用硅LDMOS,提高了工作頻率   3. 在免授權(quán)的5.8G
          • 關(guān)鍵字: 三極管  WiMAX  Cree  GaN  

          研究人員公布低成本GaN功率器件重大進(jìn)展

          •   研究人員介紹,他們第一次在200mm硅(111)晶圓上沉積了無裂縫的AlGaN/GaN結(jié)構(gòu)。高清晰XRD測量顯示出很高的晶體質(zhì)量,并且研究人員還報(bào)告了“出色的”表面形貌和均勻性。AlGaN和GaN薄膜是在Aixtron應(yīng)用實(shí)驗(yàn)室的300mmCRIUS金屬-有機(jī)化學(xué)氣相外延(MOVPE)反應(yīng)腔中生長的。???????   “對實(shí)現(xiàn)在大尺寸硅晶圓上制作GaN器件的目標(biāo)來說,在200mm硅晶圓上生長出
          • 關(guān)鍵字: 硅晶圓  GaN  200mm  MEMC  

          如何測試具備UMA/GAN功能的移動(dòng)電話

          •   要預(yù)測客戶對一款手機(jī)性能的接受程度,從而預(yù)測手機(jī)設(shè)計(jì)的品質(zhì),需要進(jìn)行實(shí)際使用測試。使用測試是一種很有價(jià)值的工具,本文將介紹如何進(jìn)行此類測試。   UMA/GAN是一種能讓移動(dòng)電話在傳輸話音、數(shù)據(jù)、既有話音也有數(shù)據(jù)或既無話音也無數(shù)據(jù)時(shí)在蜂窩網(wǎng)絡(luò)(例如 GERAN--GSM/EDGE 無線接入網(wǎng))和IP接入網(wǎng)絡(luò)(例如無線 LAN)之間無縫切換的系統(tǒng)。作為網(wǎng)絡(luò)融合發(fā)展過程中一項(xiàng)里程碑式的技術(shù),UMA/GAN能讓手機(jī)用戶得以享受固定寬帶網(wǎng)提供的服務(wù)。UMA/GAN最初叫做免許可移動(dòng)接入(UMA)網(wǎng),之后被3
          • 關(guān)鍵字: 移動(dòng)電話  UMA  GAN  SEGW  WLAN  

          中國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)MOCVD設(shè)備問世

          •   由青島杰生電氣有限公司承擔(dān)的國家863半導(dǎo)體照明工程重點(diǎn)項(xiàng)目“氮化鎵-MOCVD深紫外”LED材料生長設(shè)備研制取得突破,我國首臺(tái)具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的并能同時(shí)生長6片外延片的MOCVD設(shè)備研制成功。      該設(shè)備在高亮度的藍(lán)光發(fā)光二極管(LED)、激光器(LD)、紫外光電探測器、高效率太陽能電池、高頻大功率電子器件領(lǐng)域具有廣泛應(yīng)用。MOCVD是半導(dǎo)體照明上游關(guān)鍵設(shè)備,目前國內(nèi)半導(dǎo)體照明產(chǎn)業(yè)的研發(fā)和生產(chǎn)所需設(shè)備全部依賴進(jìn)口。在此之前,杰生電氣已先后研發(fā)出2英寸單片和2英寸3片的
          • 關(guān)鍵字: 青島杰生電氣  MOCVD  LED  LD  GaN  

          藍(lán)色激光的應(yīng)用

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          gan介紹

           GaN   即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料。 [ 查看詳細(xì) ]

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