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          大聯(lián)大友尚集團(tuán)推出基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案

          • 2022年9月20日,致力于亞太地區(qū)市場(chǎng)的領(lǐng)先半導(dǎo)體元器件分銷商---大聯(lián)大控股宣布,其旗下友尚推出基于安森美(onsemi)NCP1623和NCP1343產(chǎn)品以及氮化鎵系統(tǒng)公司(GaN System)GS-065-011-2-L功率晶體管的PD快充電源方案。 圖示1-大聯(lián)大友尚基于onsemi和GaN System產(chǎn)品的PD快充電源方案的展示板圖 以手機(jī)、電腦為代表的移動(dòng)智能設(shè)備已經(jīng)成為人們?nèi)粘I畹闹匾ぞ?,然而隨著這些設(shè)備所覆蓋的功能越來越多,設(shè)備有限的續(xù)航能力已經(jīng)無法滿足用戶對(duì)
          • 關(guān)鍵字: 大聯(lián)大友尚  onsemi  GaN System  PD快充電源  

          使用集成GaN解決方案提高功率密度

          • 氮化鎵 (GaN) 是電力電子行業(yè)的熱門話題,因?yàn)樗梢允沟?80Plus 鈦電源、3.8kW/L 電動(dòng)汽車 (EV) 車載充電器和 EV 充電站等設(shè)計(jì)得以實(shí)現(xiàn)。在許多應(yīng)用中, GaN 能夠提高功率密度和效率,因此它取代了傳統(tǒng)的硅金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET)。但由于 GaN 的電氣特性和它所能實(shí)現(xiàn)的性能,使用 GaN 進(jìn)行設(shè)計(jì)面臨與硅不同的一系列挑戰(zhàn)。不同類型的 GaN FET 具有不同的器件結(jié)構(gòu)。GaN FET 包括耗盡型 (d-mode)、增強(qiáng)型 (e-mode)、共源共柵型 (ca
          • 關(guān)鍵字: 德州儀器  GaN  功率密度  

          GaN將在數(shù)據(jù)服務(wù)器中挑起效率大梁

          • 雖然增加可再生能源是全球的大趨勢(shì),但這還不夠,能源效率是另一個(gè)重點(diǎn)領(lǐng)域,這是因?yàn)榉?wù)器及其冷卻系統(tǒng)對(duì)能源消耗,占據(jù)了數(shù)據(jù)中心將近40%的運(yùn)營(yíng)成本。GaN具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),提供卓越的性能和效率,并徹底改變數(shù)據(jù)中心的配電和轉(zhuǎn)換、節(jié)能、減少對(duì)冷卻系統(tǒng)的需求,并最終使數(shù)據(jù)中心更具成本效益和可擴(kuò)展性。數(shù)字化和云端服務(wù)的快速建置推動(dòng)了全球數(shù)據(jù)服務(wù)器的產(chǎn)業(yè)規(guī)模的成長(zhǎng)。今天,數(shù)據(jù)服務(wù)器消耗了全球近1%的電力,這個(gè)數(shù)字預(yù)計(jì)會(huì)不斷的成長(zhǎng)下去。次世代的產(chǎn)業(yè)趨勢(shì),例如虛擬世界、增強(qiáng)實(shí)境和虛擬現(xiàn)實(shí),所消耗大量電力將遠(yuǎn)超現(xiàn)今地球上所能
          • 關(guān)鍵字: GaN  數(shù)據(jù)服務(wù)器  效率  

          殺入新能源汽車市場(chǎng)的GaN,勝算幾何?

          • 在電力電子應(yīng)用中,為了滿足更高能效和更高開關(guān)頻率的要求,功率密度正在成為關(guān)鍵的指標(biāo)之一。基于硅(Si)的技術(shù)日趨接近發(fā)展極限,高頻性能和能量密度不斷下降,功率半導(dǎo)體材料也在從第一代的硅基材料發(fā)展到第二代的砷化鎵后,正式開啟了第三代寬禁帶技術(shù)如碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的應(yīng)用之門。SiC的耐高壓能力是硅的10倍,耐高溫能力是硅的2倍,高頻能力是硅的2倍。相同電氣參數(shù)產(chǎn)品,采用SiC材料可縮小體積50%,降低能量損耗80%。同樣,GaN也有著許多出色的性能,它的帶隙為3.2eV,幾乎比硅的1.1eV帶
          • 關(guān)鍵字: 貿(mào)澤電子  GaN  

          東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決 GaN 應(yīng)用的痛點(diǎn)

          • 和傳統(tǒng)的硅功率半導(dǎo)體相比,GaN(氮化鎵)和 SiC(碳化硅)有著更高的電壓能力、更快的開關(guān)速度、更高的工作溫度、更低導(dǎo)通電阻、功率耗散小、能效高等共同的優(yōu)異的性能 , 是近幾年來新興的半導(dǎo)體材料。但他們也存在著各自不同的特性,簡(jiǎn)單來說,GaN 的開關(guān)速度比 SiC 快,SiC 工作電壓比 GaN 更高。GaN 的寄生參數(shù)極小,開關(guān)速度極高,比較適合高頻應(yīng)用,例如:電動(dòng)汽車的 DC-DC(直流 - 直流)轉(zhuǎn)換電路、OBC(車載充電)、低功率開關(guān)電源以及蜂窩基站功率放大器、雷達(dá)、衛(wèi)星發(fā)射器和通用射頻放大
          • 關(guān)鍵字: 202207  東芝    共源共柵  GaN  

          Transphorm的表面貼裝封裝產(chǎn)品系列增加行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)TO-263 (D2PAK)封裝產(chǎn)品,擴(kuò)大SuperGaN平臺(tái)的優(yōu)勢(shì)

          • 高可靠性、高性能氮化鎵(GaN)電源轉(zhuǎn)換產(chǎn)品的先鋒和全球供應(yīng)商Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN) 今天宣布,新增的TP65H050G4BS器件擴(kuò)充了其表面貼裝封裝產(chǎn)品系列。這款全新高功率表面貼裝器件(SMD)是一款采用TO-263 (D2PAK) 封裝的650V SuperGaN?場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET),典型導(dǎo)通阻抗為50mOhm。TP65H050G4BS是Transphorm的第七款SMD,豐富了目前面向中低功率應(yīng)用的PQFN器件。TP65H050G4BS通過了J
          • 關(guān)鍵字: Transphorm  GaN  

          東芝級(jí)聯(lián)共源共柵技術(shù)解決GaN應(yīng)用痛點(diǎn)

          • 受訪人:黃文源  東芝電子元件(上海)有限公司半導(dǎo)體技術(shù)統(tǒng)括部技術(shù)企劃部高級(jí)經(jīng)理1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據(jù)其不同的特性,分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品?  回答:自從半導(dǎo)體產(chǎn)品面世以來,硅一直是半導(dǎo)體世界的代名詞。但是,近些年,隨著化合物半導(dǎo)體的出現(xiàn),這種情況正在被逐漸改變。通常,半導(dǎo)體業(yè)界將硅(Si)作為第一代半導(dǎo)體的代表,將砷化鎵(GaAs)、銻化銦(InSb)作為第二代半導(dǎo)體的
          • 關(guān)鍵字: 東芝  GaN  級(jí)聯(lián)共源共柵  

          第三代半導(dǎo)體市場(chǎng)的“互補(bǔ)共生”

          •   受訪人:Robert Taylor是德州儀器(TI)系統(tǒng)工程營(yíng)銷組的應(yīng)用經(jīng)理,負(fù)責(zé)工業(yè)和個(gè)人電子市場(chǎng)的定制電源設(shè)計(jì)。他的團(tuán)隊(duì)每年負(fù)責(zé)500項(xiàng)設(shè)計(jì),并在過去20年中設(shè)計(jì)了15000個(gè)電源。Robert于2002年加入TI,大部分時(shí)間都在擔(dān)任各種應(yīng)用的電源設(shè)計(jì)師。Robert擁有佛羅里達(dá)大學(xué)的電氣工程學(xué)士學(xué)位和碩士學(xué)位。1.氮化鎵和碳化硅同屬第三代半導(dǎo)體,在材料特性上有什么相似之處和不同之處?根據(jù)其不同的特性,分別適用在哪些應(yīng)用領(lǐng)域?貴公司目前在SiC和GaN兩種材料的半導(dǎo)體器件方面都有哪些主要的產(chǎn)品? 
          • 關(guān)鍵字: TI  第三代半導(dǎo)體  GaN  SiC  

          GaN是否具有可靠性?或者說我們能否如此提問?

          • 鑒于氮化鎵 (GaN) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 能夠提高效率并縮小電源尺寸,其采用率正在迅速提高。但在投資這項(xiàng)技術(shù)之前,您可能仍然會(huì)好奇GaN是否具有可靠性。令我驚訝的是,沒有人詢問硅是否具有可靠性。畢竟仍然有新的硅產(chǎn)品不斷問世,電源設(shè)計(jì)人員對(duì)硅功率器件的可靠性也很關(guān)心。事實(shí)上,GaN行業(yè)已經(jīng)在可靠性方面投入了大量精力和時(shí)間。而人們對(duì)于硅可靠性方面的問題措辭則不同,比如“這是否通過了鑒定?”盡管GaN器件也通過了硅鑒定,但電源制造商仍不相信采用硅方法可以確保GaN FET的可靠性。這是一個(gè)合理的觀點(diǎn),因
          • 關(guān)鍵字: GaN  FET  電源  可靠性  

          破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒 — 光隔離探頭

          • SiC、GaN 作為最新一代功率半導(dǎo)體器件具有遠(yuǎn)優(yōu)于傳統(tǒng) Si 器件的特性,能夠使得功率變換器獲得更高的效率、更高的功率密度和更低的系統(tǒng)成本。但同時(shí),SiC、GaN極快的開關(guān)速度也給工程師帶來了使用和測(cè)量的挑戰(zhàn),稍有不慎就無法獲得正確的波形,從而嚴(yán)重影響到器件評(píng)估的準(zhǔn)確、電路設(shè)計(jì)的性能和安全、項(xiàng)目完成的速度。SiC、GaN動(dòng)態(tài)特性測(cè)量中,最難的部分就是對(duì)半橋電路中上橋臂器件驅(qū)動(dòng)電壓VGS的測(cè)量,包括兩個(gè)部分:開關(guān)過程和Crosstalk。此時(shí)是無法使用無源探頭進(jìn)行測(cè)量的,這會(huì)導(dǎo)致設(shè)備和人員危險(xiǎn),同時(shí)還會(huì)由
          • 關(guān)鍵字: SiC  GaN  柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試  光隔離探頭  

          GaN Systems HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板在貿(mào)澤開售

          • 提供超豐富半導(dǎo)體和電子元器件?的業(yè)界知名新品引入 (NPI) 分銷商貿(mào)澤電子 (Mouser Electronics, Inc.) 即日起開始分銷GaN Systems的GS-EVB-HB-0650603B-HD半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)評(píng)估板。這種緊湊的氮化鎵 (GaN) 增強(qiáng)模式 (e-mode) 半橋評(píng)估板性能優(yōu)異,同時(shí)減少了組件總數(shù),節(jié)省了寶貴的電路板空間。 貿(mào)澤電子分銷的GaN Systems GS-EVB-HB-0650603B-HD板具有兩個(gè)HEY1011-L12C GaN FET驅(qū)動(dòng)器和兩
          • 關(guān)鍵字: 貿(mào)澤電子  GaN  半橋雙極驅(qū)動(dòng)開關(guān)  

          Qorvo 助力簡(jiǎn)化 GaN PA 偏置

          • 移動(dòng)應(yīng)用、基礎(chǔ)設(shè)施與航空航天、國(guó)防應(yīng)用中 RF 解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商 Qorvo?, Inc.(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布推出 ACT41000-104-REF1,這是一款 GaN 功率放大器 (PA) 偏置參考設(shè)計(jì),可加強(qiáng) Qorvo GaN PA 的設(shè)計(jì)與測(cè)試。GaN 器件是耗盡型 FET,運(yùn)行時(shí)需要施加負(fù)柵極電壓。在使用 GaN PA 的系統(tǒng)中,需要以特定的順序進(jìn)行偏置:提高漏極偏置電壓之前,必須施加負(fù)柵極電壓,以保護(hù)器件免受損壞。Qorvo 的 ACT41000-104-REF1 內(nèi)置可配置
          • 關(guān)鍵字: GAN  PA  

          學(xué)貫中西(8):從GAN領(lǐng)悟人機(jī)協(xié)同創(chuàng)新之道

          • 1 回顧:GAN里的兩個(gè)角色在上一期里,詳細(xì)介紹了 GAN( 生成對(duì)抗網(wǎng) ) 里的 兩個(gè)角色:生成者 (generator) 和判別者 (discriminator)。 其中的生成者,又稱為創(chuàng)新者,而判別者又稱為鑒賞者。 在常見的圖像繪畫領(lǐng)域,其典型的協(xié)同創(chuàng)新模式是: G( 創(chuàng)新者 ) 負(fù)責(zé)創(chuàng)作圖片;而 D( 鑒賞者 ) 負(fù)責(zé)辨別一 張圖像的真或假,然后引領(lǐng) G 逐步改進(jìn),止于完美逼 近目標(biāo)。上述的 GAN 協(xié)同創(chuàng)新模式,屬于 AI 機(jī)器與機(jī)器之 間的協(xié)同合作或創(chuàng)新。然而,在 AI 科技不斷
          • 關(guān)鍵字: 202206  GAN  人機(jī)協(xié)同  

          EPC開拓"GaN Talk支持論壇"平臺(tái)

          • 宜普電源轉(zhuǎn)換公司(EPC)新推線上論壇,為工程師提供產(chǎn)品信息、答疑解難和分享採(cǎi)用氮化鎵技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。宜普電源轉(zhuǎn)換公司宣布新推"GaN Talk支持論壇",為工程師提供產(chǎn)品信息和技術(shù)支持,從而了解氮化鎵(GaN)技術(shù)的應(yīng)用現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢(shì)。該論壇專為工程師、工程專業(yè)學(xué)生和所有氮化鎵技術(shù)愛好者而設(shè),為用戶答疑解難和提供互相交流的平臺(tái)。提問可以用主題類別、熱門話題或最新帖子搜索。除了提問外,用戶還可以在論壇使用帖子中的"分享"鏈接參看所有之前的提問和反饋。此外,
          • 關(guān)鍵字: GaN  宜普  

          毫米波技術(shù)需要高度線性、緊湊和高能效的寬帶產(chǎn)品

          • 5G 通信正在改變我們的生活,同時(shí)也在促進(jìn)產(chǎn)業(yè)數(shù)字化轉(zhuǎn)型,為工業(yè)、汽車和消費(fèi)電子等行業(yè)提供了巨大的應(yīng)用想象空間與市場(chǎng)機(jī)會(huì),例如實(shí)現(xiàn)創(chuàng)建人與機(jī)器人和諧共存的環(huán)境,高質(zhì)量醫(yī)療,并且加速實(shí)現(xiàn)安全的自動(dòng)駕駛汽車,等等?!?打造未來智能工廠——5G 無線網(wǎng)絡(luò)可以幫助工廠實(shí)現(xiàn)更高的可靠性,例如縮短延遲時(shí)間、提高生產(chǎn)效率。在人與機(jī)器人共存的世界里,更強(qiáng)的連接可以改善人機(jī)互動(dòng),并降低事故風(fēng)險(xiǎn)?!?提供高質(zhì)量的醫(yī)療服務(wù)——通用5G 連接可以借助可穿戴生物傳感器對(duì)患者實(shí)施遠(yuǎn)程監(jiān)測(cè),進(jìn)行生命體征檢測(cè),并將信息傳輸給基于云的診斷
          • 關(guān)鍵字: 202206  毫米波  5G  GAN  
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           GaN   即氮化鎵,屬第三代半導(dǎo)體材料。 [ 查看詳細(xì) ]

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