globalfoundries(格芯) 文章 進(jìn)入globalfoundries(格芯)技術(shù)社區(qū)
雙工藝并進(jìn)、7nm已有客戶,格芯分享最新技術(shù)與洞察
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- 據(jù)Digitimes Research的數(shù)據(jù)顯示,2017年全球IC代工增長6%,達(dá)到557億美元,到2022年將達(dá)到746.6億美元的市場規(guī)模,年復(fù)合增長率6%。而據(jù)IC Insights等市場研究結(jié)構(gòu)的報告,2017年全球集成電路晶圓代工市場較2016年增長7%左右,有可能上沖到550億美元,同比增長10%左右。從2017年集成電路晶圓代工市場發(fā)展來看,晶圓代工前十大企業(yè)占到整體代工市場95%~96%的份額。“我期待在中國半導(dǎo)體行業(yè)的黃金發(fā)展期與各位共筑行業(yè)美好未來。格芯希望能夠成為中
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格芯推出新型汽車半導(dǎo)體平臺,助力未來互聯(lián)汽車發(fā)展
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)于今日推出全新平臺AutoPro?,旨在為汽車客戶提供廣泛的技術(shù)解決方案及制造服務(wù),從而簡化認(rèn)證流程,縮短上市時間。從信息化先進(jìn)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)到自動化汽車高性能實時處理器,公司為全系列駕駛系統(tǒng)應(yīng)用提供行業(yè)最廣泛的解決方案?! ∪缃?,汽車半導(dǎo)體市場市值接近350億美元,預(yù)計到2023年將增長至540億美元左右。究其原因是對提高駕駛體驗新技術(shù)的需求日益增強(qiáng),比如導(dǎo)航、遠(yuǎn)程道路救援及能將多個傳感器的數(shù)據(jù)與進(jìn)行決策控制的高性能處理器相結(jié)合的先進(jìn)系統(tǒng)?! 半S著汽
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格芯公布針對下一代5G應(yīng)用的愿景和路線圖
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天公布了針對一系列技術(shù)平臺而制訂的愿景和路線圖,這些技術(shù)平臺旨在幫助客戶過渡到下一代5G無線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應(yīng)用領(lǐng)域提供業(yè)內(nèi)范圍最廣的技術(shù)解決方案,所針對的應(yīng)用包括集成毫米波前端模塊(FEM)、收發(fā)器、基帶芯片、以及用于移動和網(wǎng)絡(luò)的高性能應(yīng)用處理器?! ‰S著全球?qū)?shù)字信息的依賴程度越來越高,互聯(lián)技術(shù)有望推動市場迅猛發(fā)展,預(yù)計到2020年,互聯(lián)設(shè)備數(shù)量會達(dá)到84億。5G技術(shù)將成為推動網(wǎng)絡(luò)發(fā)展,實現(xiàn)人與聯(lián)網(wǎng)機(jī)器零距離連通的關(guān)鍵因素。5G技術(shù)無處不在的連通,令人難
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格芯推出面向下一代移動和5G應(yīng)用的8SW RF-SOI技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今天宣布推出業(yè)內(nèi)首個基于300毫米晶圓的RF SOI代工解決方案。8SW SOI技術(shù)是格芯最先進(jìn)的RF SOI技術(shù),可以為4G LTE以及6GHz以下5G移動和無線通信應(yīng)用的前端模塊(FEM)帶來顯著的性能、集成和面積優(yōu)勢?! 「裥救碌牡统杀?、低功耗、高度靈活8SW的解決方案可以在300毫米生產(chǎn)線上制造具有出色開關(guān)性能、低噪聲放大器(LNA)和邏輯處理能力的產(chǎn)品。與上一代產(chǎn)品相比,該技術(shù)可以將功耗降低至70%,實現(xiàn)更高的電
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格芯CEO:FD-SOI是中國需要的技術(shù)
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- 5G時代將對半導(dǎo)體的移動性與對物聯(lián)網(wǎng)時代的適應(yīng)性有著越來越高的要求。此時,F(xiàn)D-SOI與RF-SOI技術(shù)的優(yōu)勢日漸凸顯,人們對SOI技術(shù)的關(guān)注也與日俱增?! ?月26日,第五屆上海FD-SOI論壇成功舉辦。格芯CEO 桑杰·賈(Sanjay Jha)親臨現(xiàn)場,發(fā)表主題為「以SOI技術(shù)制勝(Winning with SOI)」的演講,闡述了格芯如何利用FDX?平臺推進(jìn)SOI技術(shù)的發(fā)展,介紹公司最新技術(shù)成果的同時也總結(jié)了SOI技術(shù)的現(xiàn)狀,并暢想了產(chǎn)業(yè)的未來?! £P(guān)于
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格芯發(fā)布基于領(lǐng)先的FDX? FD-SOI技術(shù)平臺的毫米波和射頻/模擬解決方案
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出面向下一代無線和物聯(lián)網(wǎng)芯片的射頻/模擬PDK(22FDX?-rfa)解決方案,以及面向5G、汽車?yán)走_(dá)、WiGig、衛(wèi)星通信以及無線回傳等新興高容量應(yīng)用的毫米波PDK(22FDX?-mmWave)解決方案。 該兩種解決方案都基于格芯的22納米FD-SOI平臺,該平臺將高性能射頻、毫米波和高密度數(shù)字技術(shù)結(jié)合,為集成單芯片系統(tǒng)解決方案提供支持。該技術(shù)在低電流密度和高電流密度的應(yīng)用中都可以實現(xiàn)最高特征頻率和最高振蕩頻率,適用于對性能和功耗都有超高要求的應(yīng)用,
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格芯發(fā)布為IBM系統(tǒng)定制的14納米FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)正在提供其為IBM的下一代服務(wù)器系統(tǒng)處理器定制的量產(chǎn)14納米高性能(HP)技術(shù)。這項雙方共同開發(fā)的工藝專為IBM提供所需的超高性能和數(shù)據(jù)處理能力,從而在大數(shù)據(jù)和認(rèn)知計算的時代為IBM的云、商業(yè)和企業(yè)解決方案提供支持。IBM在9月13日宣布推出IBM Z產(chǎn)品?! ?4HP是業(yè)內(nèi)唯一將三維FinFET晶體管架構(gòu)結(jié)合在SOI襯底上的技術(shù)。該技術(shù)采用了17層金屬層結(jié)構(gòu),每個芯片上有80多億個晶體管,通過嵌入式動態(tài)隨機(jī)存儲器(DRAM)以及其它創(chuàng)新功能,達(dá)到比前代
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格芯宣布推出基于行業(yè)領(lǐng)先的22FDX? FD-SOI 平臺的嵌入式磁性隨機(jī)存儲器
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布推出基于公司22納米 FD-SOI (22FDX?)平臺的可微縮嵌入式磁性隨機(jī)存儲器(eMRAM)技術(shù)。作為業(yè)界最先進(jìn)的嵌入式內(nèi)存解決方案,格芯22FDX eMRAM,為消費領(lǐng)域、工業(yè)控制器、數(shù)據(jù)中心、物聯(lián)網(wǎng)及汽車等廣泛應(yīng)用提供優(yōu)越的性能和卓越可靠性?! ≌缃谠诿绹故镜模裥?2FDX eMRAM具有業(yè)界領(lǐng)先的存儲單元尺寸,擁有在260°C回流焊中保留數(shù)據(jù)的能力,同時能使數(shù)據(jù)在125°C環(huán)境下保留10年以上。
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格芯為高性能應(yīng)用推出全新12納米 FinFET技術(shù)
- 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布計劃推出全新12納米領(lǐng)先性能(12LP)的FinFET半導(dǎo)體制造工藝。該技術(shù)預(yù)計將提高當(dāng)前代14納米 FinFET產(chǎn)品的密度和性能,同時滿足從人工智能、虛擬現(xiàn)實到高端智能手機(jī)、網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施等最具計算密集型處理需求的應(yīng)用?! ∵@項全新的12LP技術(shù)與當(dāng)前市場上的16 /14納米 FinFET解決方案相比,電路密度提高了15%,性能提升超過10%。這表明12LP完全可與其它晶圓廠的12納米 FinFET產(chǎn)品競爭。這項技術(shù)
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GlobalFoundries要求歐盟對臺積電展開反壟斷調(diào)查
- 北京時間9月21日晚間消息,路透社今日援引知情人士的消息稱,美國半導(dǎo)體制造公司GlobalFoundries(格羅方德半導(dǎo)體股份有限公司)已要求歐盟對臺積電展開反壟斷調(diào)查。 GlobalFoundries由AMD拆分而來、與阿聯(lián)酋阿布扎比先進(jìn)技術(shù)投資公司(ATIC)和穆巴達(dá)拉發(fā)展公司(Mubadala)聯(lián)合投資成立的半導(dǎo)體制造企業(yè)。在芯片代工市場,GlobalFoundries是臺積電的最大競爭對手之一。該市場的其他競爭廠商還包括臺聯(lián)電和中芯國際等。 調(diào)研公司IC Insights數(shù)據(jù)顯示
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格芯與芯原聯(lián)袂實現(xiàn)適合次世代物聯(lián)網(wǎng)的單芯片解決方案
- 今日,格芯(GLOBALFOUNDRIES,原名格羅方德)與芯原微電子(VeriSilicon)共同宣布,將攜手為下一代低功耗廣域網(wǎng)(LPWA)推出業(yè)界首款單芯片物聯(lián)網(wǎng)解決方案。雙方計劃采用格芯的22FDX? FD-SOI 技術(shù)開發(fā)可支持完整蜂巢式調(diào)制解調(diào)器模塊的單芯片專利,包括集成基帶、電源管理、射頻以及結(jié)合窄帶物聯(lián)網(wǎng)(NB-IoT)與LTE-M 功能的前端模塊。相較于現(xiàn)有產(chǎn)品,該全新方案可望大幅改善功耗、面積及成本?! ‰S著智慧城市、家居與工業(yè)應(yīng)用中互聯(lián)設(shè)備的數(shù)量日益
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