high na euv 文章進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)

ASML堵了EUV光刻機(jī)的路，但國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)有3大新方向

眾所周知，當(dāng)前全球只有ASML一家能夠生產(chǎn)EUV光刻機(jī)，甚至可以說(shuō)很長(zhǎng)一段時(shí)間內(nèi)，全球也只有ASML能夠生產(chǎn)光刻機(jī)，不會(huì)有第二家。原因在于ASML把EUV光刻機(jī)的路堵住了，這條路別人是走不通的。ASML與全球眾多的供應(yīng)鏈，形成了捆綁關(guān)系，像蔡司等與ASML形成了利益共同體，EUV光刻機(jī)中，蔡司等廠商至關(guān)重要，掌握核心科技，缺少這些供應(yīng)鏈，其它廠商不可能制造出EUV光刻機(jī)。所以，目前眾多的其它光刻機(jī)企業(yè)，并不打算走EUV光刻機(jī)這條路，在另尋它路。同樣的，國(guó)產(chǎn)光刻機(jī)基本上也走不通EUV這條路，只能另尋他路，而
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美國(guó)發(fā)起的對(duì)華聯(lián)合出口限制留下漏洞？

據(jù)報(bào)道，荷蘭和日本已與美國(guó)達(dá)成協(xié)議，共同限制向中國(guó)出口芯片制造工具，這將進(jìn)一步削弱中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展，因?yàn)槌讼拗浦袊?guó)制造商使用 EUV 光刻機(jī)外，進(jìn)一步限制其使用浸沒(méi)式 DUV 光刻機(jī)。但在美國(guó)對(duì)中國(guó)發(fā)起的嚴(yán)格出口限制中，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)是否可以利用任何關(guān)鍵漏洞來(lái)緩沖沖擊？這似乎是一個(gè)值得仔細(xì)研究的問(wèn)題。近年來(lái)，美國(guó)加大了對(duì)中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的打壓力度。不僅設(shè)計(jì)了各種策略和行動(dòng)，還動(dòng)員了盟友的參與。在 2022 年 10 月對(duì)向中國(guó)出口先進(jìn)芯片制造工具和技術(shù)實(shí)施全面出口限制后，美國(guó)急于讓擁有 ASML
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EUV光刻機(jī)開(kāi)始“落幕”了

說(shuō)到光刻機(jī)大家難免會(huì)想到三個(gè)廠商，荷蘭的ASML公司、尼康和佳能。而光刻機(jī)就是制造芯片的核心裝備?，F(xiàn)如今光刻機(jī)領(lǐng)域的核心地位就是荷蘭的ASML，他與臺(tái)積電合作，共同突破了沉浸式DUV光刻機(jī)，也正因?yàn)榇藙?dòng)作，才奠定了ASML在光刻機(jī)領(lǐng)域的核心地位。后續(xù)ASML又推出了更加高端的EUV光刻機(jī)，而且還是獨(dú)家壟斷生產(chǎn)。這就進(jìn)一步使得ASML成為行業(yè)的巨頭。隨著科技的不斷發(fā)展，市場(chǎng)就要越來(lái)越追求高性能以及高要求，ASLM造成的長(zhǎng)時(shí)間壟斷，導(dǎo)致其他同行沒(méi)有辦法發(fā)展。在他自身無(wú)法突破的前提下，他的路是越走越窄。在全球范
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三星擬新設(shè)至少10臺(tái)EUV光刻機(jī)：展露要當(dāng)世界第一的野心

最新消息顯示，盡管全球經(jīng)濟(jì)將放緩，但三星仍計(jì)劃擴(kuò)大DRAM與晶圓代工的晶圓產(chǎn)能，明年在其P3晶圓廠新設(shè)至少10臺(tái)極紫外光刻設(shè)備（EUV），用于生產(chǎn)最新的12nm級(jí)內(nèi)存芯片，而三星目前僅有40臺(tái)EUV光刻機(jī)。
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三星首次采用韓國(guó)本土EUV光刻膠打破日企壟斷

據(jù)報(bào)道，三星首次引入韓國(guó)本土公司東進(jìn)世美肯（Dongjin Semichem）研發(fā)的EUV光刻膠（EUV PR）進(jìn)入其量產(chǎn)線，這也是三星進(jìn)行光刻膠本土量產(chǎn)的首次嘗試。在2019年經(jīng)歷與日本的光刻膠等關(guān)鍵原料的供應(yīng)風(fēng)波之后，三星就在嘗試將關(guān)鍵原料的供應(yīng)本土化，經(jīng)過(guò)三年的努力，韓國(guó)實(shí)現(xiàn)了光刻膠本地化生產(chǎn)。在日本限制出口、三星嘗試重構(gòu)EUV光刻膠的供應(yīng)鏈之后，東進(jìn)世美肯就已開(kāi)始研發(fā)EUV光刻膠，并在去年通過(guò)了三星的可靠性測(cè)試，隨后不到一年就被應(yīng)用于三星的大規(guī)模生產(chǎn)線。不過(guò)，EUV光刻膠可用于3-50道程序，目前
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有多貴？ASML新EUV光刻機(jī)單臺(tái)硬件造價(jià)2500億：可買三臺(tái)頂級(jí)航母

都知道光刻機(jī)單臺(tái)成本非常的貴，但是你知道有多貴嗎？一臺(tái)數(shù)億美元的光刻機(jī)讓我們看到了一款硬件設(shè)備的價(jià)格極限，然而，ASML CEO Peter Wennink最新接受媒體采訪時(shí)透露，他們正在全力研制劃時(shí)代的新光刻機(jī)high-NA EUV設(shè)備，而高NA EUV光刻機(jī)系統(tǒng)的單臺(tái)造價(jià)將在300億到350億歐元之間，約合人民幣2195到2561億元。這個(gè)價(jià)格什么概念，一搜頂級(jí)航母的價(jià)格差不多在100億美元左右，而這臺(tái)硬件設(shè)備可以買三艘頂級(jí)航母，而ASML目前在售的雙工件臺(tái)EUV光刻機(jī)不過(guò)數(shù)億美元，作為下一代產(chǎn)品身價(jià)
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事關(guān)EUV光刻技術(shù)，中國(guó)廠商公布新專利

近日，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)消息，華為技術(shù)有限公司于11月15日公布了一項(xiàng)于光刻技術(shù)相關(guān)的專利，專利申請(qǐng)?zhí)枮?02110524685X。集成電路制造中，光刻覆蓋了微納圖形的轉(zhuǎn)移、加工和形成環(huán)節(jié)，決定著集成電路晶圓上電路的特征尺寸和芯片內(nèi)晶體管的數(shù)量，是集成電路制造的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著半導(dǎo)體工藝向7nm及以下節(jié)點(diǎn)的推進(jìn)，極紫外(extreme ultraviolet，EUV)光刻成為首選的光刻技術(shù)。相關(guān)技術(shù)的EUV光刻機(jī)中采用強(qiáng)相干光源在進(jìn)行光刻時(shí)，相干光經(jīng)照明系統(tǒng)分割成的多個(gè)子光束具有固定的相位關(guān)系，當(dāng)
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SK海力士引領(lǐng)High-k/Metal Gate工藝變革

由于傳統(tǒng)微縮(scaling)技術(shù)系統(tǒng)的限制，DRAM的性能被要求不斷提高，而HKMG(High-k/Metal Gate)則成為突破這一困局的解決方案。SK海力士通過(guò)采用該新技術(shù)，并將其應(yīng)用于全新的1anm LPDDR5X DRAM, 即便在低功率設(shè)置下也實(shí)現(xiàn)了晶體管性能的顯著提高。本文針對(duì)HKMG及其使用益處進(jìn)行探討。厚度挑戰(zhàn): 需要全新的解決方案組成DRAM的晶體管(Transistor)包括存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的單元晶體管(Cell Transistor)、恢復(fù)數(shù)據(jù)的核心晶體管(Core Tr
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美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

本周美光宣布，采用全球先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備。1β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)。一個(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）。這意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目前通過(guò)不斷縮小電路
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芯片巨頭美光：成功繞過(guò)了EUV光刻技術(shù)

　　本周美光宣布，采用全球最先進(jìn)1β(1-beta)制造工藝的DRAM內(nèi)存芯片已經(jīng)送樣給部分手機(jī)制造商、芯片平臺(tái)合作伙伴進(jìn)行驗(yàn)證，并做好了量產(chǎn)準(zhǔn)備?！　?β工藝可將能效提高約15％，存儲(chǔ)密度提升35％以上，單顆裸片(Die)容量高達(dá)16Gb(2GB)?！　∫粋€(gè)值得關(guān)注的點(diǎn)是，美光稱，1β繞過(guò)了EUV（極紫外光刻）工具，而依然采用的是DUV（深紫外光刻）?！　∵@意味著相較于三星、SK海力士，美光需要更復(fù)雜的設(shè)計(jì)方案。畢竟，DRAM的先進(jìn)性很大程度上取決于每平方毫米晶圓面積上集成更多更快半導(dǎo)體的能力，各公司目
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ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)

近期，全球半導(dǎo)體龍頭設(shè)備企業(yè)阿斯麥（ASML）、泛林（LAM）公布了其最新一季度財(cái)報(bào)，阿斯麥方面，最新一季度銷售額和利潤(rùn)均超出市場(chǎng)預(yù)期，其新的凈預(yù)訂額也創(chuàng)下了紀(jì)錄。此外阿斯麥CEO Peter Wennink表示，ASML有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)；泛林方面，當(dāng)季公司營(yíng)收創(chuàng)下歷史新高，官方表示，2023年晶圓廠設(shè)備支出將下滑。ASML：有望繼續(xù)向中國(guó)出貨非EUV光刻機(jī)10月19日，光刻機(jī)大廠阿斯麥公布了2022年第三季度財(cái)報(bào)。數(shù)據(jù)顯示，ASML第三季度凈營(yíng)收同比增長(zhǎng)10%至58億歐元，超出此前業(yè)界預(yù)
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半導(dǎo)體廠倚重EUV 先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求

微影設(shè)備業(yè)者ASML第一季已完成136臺(tái)極紫外光（EUV）曝光機(jī)出貨，累計(jì)超過(guò)7,000萬(wàn)片晶圓完成EUV曝光。隨著EUV微影技術(shù)推進(jìn)，預(yù)期2025年之后新一代EUV曝光機(jī)每小時(shí)曝光產(chǎn)量可達(dá)220片以上，以因應(yīng)客戶端先進(jìn)制程推進(jìn)至埃米（Angstrom）世代對(duì)先進(jìn)微影技術(shù)的強(qiáng)勁需求。雖然2023年半導(dǎo)體市況能見(jiàn)度低且不確定性高，但包括臺(tái)積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等全球前五大半導(dǎo)體廠仍積極投資EUV產(chǎn)能，加上制程推進(jìn)會(huì)帶動(dòng)光罩層數(shù)增加，法人樂(lè)觀看好家登、帆宣、公準(zhǔn)、意德士（等EUV概念股明年?duì)I運(yùn)將
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荷蘭光刻機(jī)巨頭大舉增加在華員工背后有什么深意？

在美國(guó)拼命打壓中國(guó)之際，荷蘭光刻機(jī)巨頭ASML卻相反，根據(jù)該公司透露的消息，ASML今年將在中國(guó)招聘200多名員工，以跟上中國(guó)的增長(zhǎng)步伐，這意味著ASML 在華員工人數(shù)已超過(guò) 1500 人，占ASML公司全球員工的14%。那么，ASML到底想干什么呢？首先，ASML公司是想賺錢，雖然臺(tái)積電、三星等買去了荷蘭ASML公司的大部分EUV光刻機(jī)，但ASML公司可以在中國(guó)銷售DUV等光刻機(jī)。而且，2021年ASML的第一大客戶就是中國(guó)大陸芯片企業(yè)，中國(guó)大陸芯片企業(yè)為ASML貢獻(xiàn)了超過(guò)290億美元，而中國(guó)臺(tái)灣和韓國(guó)
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泛林集團(tuán)、Entegris 和 Gelest 攜手推進(jìn) EUV 干膜光刻膠技術(shù)的生態(tài)系統(tǒng)

泛林集團(tuán) (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 和三菱化學(xué)集團(tuán)旗下公司 Gelest, Inc, 于近日宣布了一項(xiàng)戰(zhàn)略合作，將為全球半導(dǎo)體制造商提供可靠的前體化學(xué)品，用于下一代半導(dǎo)體生產(chǎn)所需的、泛林突破性的極紫外 (EUV)干膜光刻膠創(chuàng)新技術(shù)。三方將合作對(duì)未來(lái)幾代邏輯和 DRAM 器件生產(chǎn)所使用的 EUV 干膜光刻膠技術(shù)進(jìn)行研發(fā)，這將有助于從機(jī)器學(xué)習(xí)和人工智能到移動(dòng)設(shè)備所有這些技術(shù)的實(shí)現(xiàn)。? ? ? ? ? ? ?
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卡脖子也沒(méi)用國(guó)內(nèi)廠商芯片新技術(shù)繞過(guò)EUV光刻機(jī)

毫無(wú)疑問(wèn)，如今國(guó)內(nèi)芯片廠商面前最大的障礙就是EUV光刻機(jī)，不過(guò)EUV光刻機(jī)是研制先進(jìn)芯片的一條路徑，但并非唯一解。對(duì)于國(guó)內(nèi)廠商來(lái)說(shuō)，當(dāng)前在3D NAND閃存的發(fā)展上，就因?yàn)椴恍枰狤UV機(jī)器，從而找到了技術(shù)追趕的機(jī)會(huì)。而在DRAM內(nèi)存芯片領(lǐng)域，盡管三星、美光、SK海力士找到的答案都是EUV，可來(lái)自浙江海寧的芯盟則開(kāi)辟出繞過(guò)EUV光刻的新方案。芯盟科技CEO洪沨宣布基于HITOC技術(shù)的3D 4F2 DRAM架構(gòu)問(wèn)世。他指出，基于HITOC技術(shù)所開(kāi)發(fā)的全新架構(gòu)3D 4F2 DRA
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