high na euv 文章 進(jìn)入high na euv技術(shù)社區(qū)
三星5nm EUV研發(fā)完成：功耗降低20%
- 在芯片代工領(lǐng)域，臺積電和三星是實(shí)力最強(qiáng)勁的兩大巨頭。不過，最近幾年，臺積電的實(shí)力要更勝一籌，通過7nm工藝，臺積電拿到了蘋果、高通、AMD、比特大陸等多家的大訂單。而三星自家最新的Exynos 9820處理器，采用的則還是8nm工藝。今天，三星在官網(wǎng)上帶來了一個(gè)新消息，5nm EUV成功開發(fā)完成。這對三星而言，算是一個(gè)里程碑式的成就。三星表示，與7nm相比，5nm FinFET工藝功耗降低了20％，性能提高了10％。需要說明的是，三星的7nm工藝去年10月開始宣布并初步生產(chǎn)，今年年初實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。最近三星曝光
- 關(guān)鍵字： 三星 EUV 5nm
英特爾巨資升級美國D1X晶圓廠，上馬7nm EUV工藝
- 12月中旬英特爾宣布擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)能。英特爾這次的產(chǎn)能擴(kuò)張計(jì)劃有對應(yīng)14nm的，但是并不是應(yīng)急用的，也有面向未來工藝的，其中俄勒岡州的D1X晶圓廠第三期工程就是其中之一，未來英特爾的7nm EUV處理器會在這里生產(chǎn)?！ ?018年下半年英特爾忽然出現(xiàn)了14nm產(chǎn)能不足的危機(jī)，這件事已經(jīng)影響了CPU、主板甚至整個(gè)PC行業(yè)的增長，官方也承認(rèn)了14nm產(chǎn)能供應(yīng)短缺，并表示已經(jīng)增加了額外的15億美元支出擴(kuò)建產(chǎn)能。12月中旬英特爾宣布擴(kuò)建美國俄勒岡州以及以色列、愛爾蘭的晶圓廠產(chǎn)
- 關(guān)鍵字： 英特爾 晶圓 EUV
EUV需求巨大！ASML最新財(cái)報(bào)顯示今年將出貨30臺
- 荷蘭當(dāng)?shù)貢r(shí)間1月23日，ASML發(fā)布了去(2018)年第四季度及全年的業(yè)績報(bào)告?！ ?bào)告指出，去年第四季度凈銷售額為31億歐元，凈收入為7.88億歐元，毛利率為44.3%?！ 【唧w來看，ASML指出，DUV光刻業(yè)務(wù)中，存儲客戶的需求使得TWINSCAN NXT:2000i保持著持續(xù)增長。同時(shí)ASML也提高了該產(chǎn)品的可靠性，據(jù)了解，上一代產(chǎn)品需要六個(gè)月才能達(dá)到高可靠性，而該產(chǎn)品僅用了兩個(gè)月。 去年全年，ASML凈銷售額為109億歐元，凈收入為26億歐元?！ ≈档米⒁獾氖?，ASML已與尼康簽署了諒解
- 關(guān)鍵字： EUV ASML
全面起底ASML的EUV光刻技術(shù)
- 用于高端邏輯半導(dǎo)體量產(chǎn)的EUV(Extreme Ultra-Violet，極紫外線光刻)曝光技術(shù)的未來藍(lán)圖逐漸“步入”我們的視野，從7nm階段的技術(shù)節(jié)點(diǎn)到今年(2019年，也是從今年開始)，每2年~3年一個(gè)階段向新的技術(shù)節(jié)點(diǎn)發(fā)展?！ 「叨诉壿嫲雽?dǎo)體的技術(shù)節(jié)點(diǎn)和對應(yīng)的EUV曝光技術(shù)的藍(lán)圖。 也就是說，在EUV曝光技術(shù)的開發(fā)比較順利的情況下，5nm的量產(chǎn)日程時(shí)間會大約在2021年，3nm的量產(chǎn)時(shí)間大約在2023年。關(guān)于更先進(jìn)的2nm的技術(shù)節(jié)點(diǎn)，還處于模糊階段，據(jù)預(yù)測，其量產(chǎn)時(shí)間最快也是在2026
- 關(guān)鍵字： ASML EUV
Imec與ASML聯(lián)手，EUV成主流技術(shù)工具
- 日前，有消息稱，比利時(shí)研究機(jī)構(gòu)Imec和微影設(shè)備制造商ASML計(jì)劃成立一座聯(lián)合研究實(shí)驗(yàn)室，共同探索在后3nm邏輯節(jié)點(diǎn)的奈米級元件制造藍(lán)圖。此次雙方這項(xiàng)合作是一項(xiàng)為期五年計(jì)劃的一部份，分為兩個(gè)階段： 首先是開發(fā)并加速極紫外光(EUV)微影技術(shù)導(dǎo)入量產(chǎn)，包括最新的EUV設(shè)備準(zhǔn)備就緒?！ ∑浯螌⒐餐剿飨乱淮邤?shù)值孔徑(NA)的EUV微影技術(shù)潛力，以便能夠制造出更小型的奈米級元件，從而推動3nm以后的半導(dǎo)體微縮?！ O紫外光(EUV)微影技術(shù) EUV光刻也叫極紫外光刻，它以波長為10-14 nm的極紫外
- 關(guān)鍵字： ASML EUV
三星促使EUV制程技術(shù)走紅，遵循摩爾定律方向發(fā)展
- 繼聯(lián)電在2017年進(jìn)行高階主管大改組，并宣布未來經(jīng)營策略將著重在成熟制程之后，格芯也在新執(zhí)行長Tom Caulfield就任半年多后，于日前宣布無限期暫緩7nm制程研發(fā)，并將資源轉(zhuǎn)而投入在相對成熟的制程服務(wù)上?！ ∫隕UV工藝是半導(dǎo)體7nm工藝的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折點(diǎn) 眾所周知，目前半導(dǎo)體領(lǐng)域，7nm工藝是一個(gè)重要節(jié)點(diǎn)。而7nm工藝是半導(dǎo)體制造工藝引入EUV技術(shù)的關(guān)鍵轉(zhuǎn)折，這是摩爾定律可以延續(xù)到5nm以下的關(guān)鍵，引入EUV工藝可以大幅提升性能，縮減曝光步驟、光罩?jǐn)?shù)量等制造過程，節(jié)省時(shí)間和成本?！ 〔贿^引入EU
- 關(guān)鍵字： 三星 EUV
5nm技術(shù)指日可待，EUV技術(shù)有重磅突破
- 全球一號代工廠臺積電宣布了有關(guān)極紫外光刻(EUV)技術(shù)的兩項(xiàng)重磅突破，一是首次使用7nm EUV工藝完成了客戶芯片的流片工作，二是5nm工藝將在2019年4月開始試產(chǎn)。今年4月開始，臺積電第一代7nm工藝(CLN7FF/N7)投入量產(chǎn)，蘋果A12、華為麒麟980、高通“驍龍855”、AMD下代銳龍/霄龍等處理器都正在或?qū)褂盟圃?，但仍在使用傳統(tǒng)的深紫外光刻(DUV)技術(shù)?！ 《酉聛淼牡诙?nm工藝(CLNFF+/N7+)，臺積電將首次應(yīng)用EUV，不過僅限四個(gè)非關(guān)鍵層，以降低風(fēng)險(xiǎn)、加速投產(chǎn)，也借
- 關(guān)鍵字： 5nm EUV
high na euv介紹
您好，目前還沒有人創(chuàng)建詞條high na euv!
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high na euv的理解，并與今后在此搜索high na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
歡迎您創(chuàng)建該詞條，闡述對high na euv的理解，并與今后在此搜索high na euv的朋友們分享。 創(chuàng)建詞條
high na euv電路
high na euv相關(guān)帖子
high na euv資料下載
high na euv專欄文章
關(guān)于我們 -
廣告服務(wù) -
企業(yè)會員服務(wù) -
網(wǎng)站地圖 -
聯(lián)系我們 -
征稿 -
友情鏈接 -
手機(jī)EEPW
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473
Copyright ?2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《電子產(chǎn)品世界》雜志社 版權(quán)所有 北京東曉國際技術(shù)信息咨詢有限公司
京ICP備12027778號-2 北京市公安局備案：1101082052 京公網(wǎng)安備11010802012473