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EUV微影前進(jìn)7nm制程，5nm仍存在挑戰(zhàn)
- EUV微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的ISS 2018上所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑仍存在挑戰(zhàn)。 極紫外光(extreme ultraviolet;EUV)微影技術(shù)將在未來幾年內(nèi)導(dǎo)入10奈米(nm)和7nm制程節(jié)點(diǎn)。 不過，根據(jù)日前在美國(guó)加州舉辦的年度產(chǎn)業(yè)策略研討會(huì)(Industry Strategy Symposium;ISS 2018)所發(fā)布的分析顯示，實(shí)現(xiàn)5nm芯片所需的光阻劑(photoresist)仍存在挑戰(zhàn)。
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4nm大戰(zhàn),三星搶先導(dǎo)入將EUV,研發(fā)GAAFET
- 晶圓代工之戰(zhàn)，7nm制程預(yù)料由臺(tái)積電勝出，4nm之戰(zhàn)仍在激烈廝殺。 Android Authority報(bào)道稱，三星電子搶先使用極紫外光(EUV)微影設(shè)備，又投入研發(fā)能取代「鰭式場(chǎng)效晶體管」(FinFET)的新技術(shù)，目前看來似乎較占上風(fēng)。 Android Authority報(bào)導(dǎo)，制程不斷微縮，傳統(tǒng)微影技術(shù)來到極限，無法解決更精密的曝光顯像需求，必須改用波長(zhǎng)更短的EUV， 才能準(zhǔn)確刻蝕電路圖。 5nm以下制程，EUV是必備工具。 三星明年生產(chǎn)7nm時(shí)，就會(huì)率先采用EUV，這有如讓三星在6nm以下的競(jìng)
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EUV或?qū)Q定半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)方向，通快加緊布局
- 近日，TRUMPF公司CTO及股東Peter Leibinger在談到令人著迷的激光創(chuàng)新時(shí)重點(diǎn)提及極紫外光刻，也就是我們常說的EUV。他認(rèn)為，EUV令人著迷的原因是其極富挑戰(zhàn)性及對(duì)世界的重要影響。 Peter Leibinger “如果我們無法實(shí)現(xiàn)EUV突破，摩爾定律將失效” Peter Leibinger表示：“其影響范圍不僅僅是芯片行業(yè)，智能手機(jī)產(chǎn)業(yè)乃至整個(gè)電子裝備產(chǎn)業(yè)都將改變運(yùn)作方式。” 什么是EUV? 極紫外光刻(Ex
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EUV面臨的問題和權(quán)衡
- 新的光刻工具將在5nm需要，但薄膜，阻抗和正常運(yùn)行時(shí)間仍然存在問題。 Momentum正在應(yīng)用于極紫外(EUV)光刻技術(shù)，但這個(gè)談及很久的技術(shù)可以用于批量生產(chǎn)之前，仍然有一些主要的挑戰(zhàn)要解決。 EUV光刻技術(shù) - 即將在芯片上繪制微小特征的下一代技術(shù) – 原來是預(yù)計(jì)在2012年左右投產(chǎn)。但是幾年過去了，EUV已經(jīng)遇到了一些延遲，將技術(shù)從一個(gè)節(jié)點(diǎn)推向下一個(gè)階段。 如今，GlobalFoundries，英特爾，三星和臺(tái)積電相互競(jìng)爭(zhēng)，將EUV光刻插入到7nm和/或5nm的大容量
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Brewer Science 為領(lǐng)先制造廠商提供關(guān)鍵性的半導(dǎo)體材料
- Brewer Science, Inc. 很榮幸宣布參加 2017 年的 SEMICON Taiwan。公司將與業(yè)界同仁交流臺(tái)灣半導(dǎo)體制造趨勢(shì)的見解，內(nèi)容涵蓋前端和后端的材料，以及次世代制造的流程步驟?！ 〗袢盏南M(fèi)性電子產(chǎn)品、網(wǎng)絡(luò)、高效能運(yùn)算 (HPC) 和汽車應(yīng)用皆依賴封裝為小型尺寸的半導(dǎo)體裝置，其提供更多效能與功能，同時(shí)產(chǎn)熱更少且操作時(shí)更省電。透過摩爾定律推動(dòng)前端流程開發(fā)，領(lǐng)先的代工和整合組件制造商(IDM
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張忠謀：臺(tái)積電南京廠明年下半量產(chǎn)
- 臺(tái)積電(2330)南京廠今日上午正式舉行進(jìn)機(jī)典禮，由董事長(zhǎng)張忠謀親自主持，大陸中央及地方貴賓云集，顯示對(duì)臺(tái)積電南京投資案重視。 海思及聯(lián)發(fā)科將是首批客戶 張忠謀表示，大陸集成電路在中國(guó)制造，臺(tái)積電可助一臂之力。 南京廠預(yù)計(jì)2018年下半年量產(chǎn)，陸媒預(yù)估中國(guó)海思及聯(lián)發(fā)科(2454)將是首批客戶。 工程師已陸續(xù)由臺(tái)灣進(jìn)駐 今年上半年臺(tái)積電工程師已經(jīng)陸續(xù)由臺(tái)灣進(jìn)駐南京廠協(xié)助建廠事宜，8月16奈米大型機(jī)臺(tái)陸續(xù)透過華航包機(jī)，由臺(tái)灣運(yùn)往南京祿口機(jī)場(chǎng)，而南京市政府為了迎接重量級(jí)貴賓，加快浦口
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臺(tái)積30周年：半導(dǎo)體八巨頭將同臺(tái)，庫克沒來
- 晶圓代工龍頭臺(tái)積電將在今年10月23日盛大舉辦「臺(tái)積公司30周年慶」論壇，以及于國(guó)家音樂廳舉辦音樂會(huì)。 臺(tái)積電30周年慶活動(dòng)將由當(dāng)天下午舉行的半導(dǎo)體論壇揭開序幕，由董事長(zhǎng)張忠謀親自主持，將邀請(qǐng)包括高通、博通、輝達(dá)(NVIDIA)、ADI、ASML、ARM、蘋果等重量級(jí)客戶及合作伙伴， 與張忠謀一起暢談半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)未來10年展望。 臺(tái)積電今年歡度30周年，活動(dòng)當(dāng)天將盛大舉辦「臺(tái)積公司30周年慶」論壇，由董事長(zhǎng)張忠謀親自主持，與談人包括了NVIDIA執(zhí)行長(zhǎng)黃仁勛、高通執(zhí)行長(zhǎng)Steve Mollenko
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KLA-Tencor宣布推出針對(duì)光學(xué)和EUV 空白光罩的全新FlashScanTM產(chǎn)品線
- 今天，KLA-Tencor公司宣布推出全新的FlashScanTM空白光罩*檢測(cè)產(chǎn)品線。自從1978年公司推出第一臺(tái)檢測(cè)系統(tǒng)以來，KLA-Tencor一直是圖案光罩檢測(cè)的主要供應(yīng)商，新的FlashScan產(chǎn)品線宣告公司進(jìn)入專用空白光罩的檢驗(yàn)市場(chǎng)。光罩坯件制造商需要針對(duì)空白光罩的檢測(cè)系統(tǒng)，用于工藝開發(fā)和批量生產(chǎn)過程中的缺陷檢測(cè)，此外，光罩制造商(“光罩廠”)為了進(jìn)行光罩原料檢測(cè)，設(shè)備監(jiān)控和進(jìn)程控制也需要購(gòu)買該檢測(cè)系統(tǒng)。 FlashScan系統(tǒng)可以檢查針對(duì)光學(xué)或極紫外(EUV)光刻的空白光罩?！?/li>
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首先采用EUV光刻工藝 三星半導(dǎo)體代工優(yōu)劣勢(shì)分析
- 張忠謀曾比喻說：“三星是一只700磅的大猩猩”，表示它十分強(qiáng)悍。然而在現(xiàn)階段的代工業(yè)中三星尚是“新進(jìn)者”，需要時(shí)間的積累。 01、引言 據(jù)IC Insight公布的今年Q2數(shù)據(jù)，三星半導(dǎo)體依158億美元，同比增長(zhǎng)46.5%，超過英特爾而居首。 全球半導(dǎo)體三足鼎立，英特爾、臺(tái)積電、三星各霸一方，近期內(nèi)此種態(tài)勢(shì)恐怕難以有大的改變，但是一定會(huì)此消彼長(zhǎng)，無論哪家在各自領(lǐng)域內(nèi)都面臨成長(zhǎng)的煩惱。 然而在三家之中三星謀求改變的勢(shì)頭最猛，而臺(tái)積電
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EUV需求看俏 ASML頻傳捷報(bào)
- 全球最大芯片光刻設(shè)備市場(chǎng)供貨商阿斯麥 (ASML) 公布最新2017第二季財(cái)報(bào)。ASML表示，由于不論邏輯芯片和DRAM客戶都積極準(zhǔn)備將EUV導(dǎo)入芯片量產(chǎn)階段，EUV光刻機(jī)目前第二季已累積27臺(tái)訂單總計(jì)28億歐元。 ASML 第二季營(yíng)收凈額 (net sales)21億歐元，毛利率(gross margin)為45%。在第二季新增8臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單，讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺(tái)，總值高達(dá)28億歐元。 ASML預(yù)估2017第三季營(yíng)收凈額(net sales)約為22億歐元，毛
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EUV在手天下我有 ASML二季度表現(xiàn)亮眼
- 全球最大芯片光刻設(shè)備市場(chǎng)供貨商阿斯麥(ASML)近日公布2017第二季財(cái)報(bào)。ASML第二季營(yíng)收凈額21億歐元，毛利率為45%。在第二季新增8臺(tái)EUV系統(tǒng)訂單，讓EUV光刻系統(tǒng)的未出貨訂單累積到27臺(tái)，總值高達(dá)28億歐元。 預(yù)估2017第三季營(yíng)收凈額約為22億歐元，毛利率約為43%。因?yàn)槭袌?chǎng)需求和第二季的強(qiáng)勁財(cái)務(wù)表現(xiàn)，ASML預(yù)估2017全年?duì)I收成長(zhǎng)可達(dá)25%。 ASML總裁暨執(zhí)行長(zhǎng)溫彼得指出:“ASML今年的主要營(yíng)收貢獻(xiàn)來自內(nèi)存芯片客戶，尤其在DRAM市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下，這部分的
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三星領(lǐng)先臺(tái)積電引入7納米EUV技術(shù)，今年代工市場(chǎng)欲超車聯(lián)電
- 據(jù)日經(jīng)中文網(wǎng)報(bào)道，7月11日，韓國(guó)三星電子在首爾舉行的說明會(huì)上，向客戶等各方介紹了半導(dǎo)體代工業(yè)務(wù)的技術(shù)戰(zhàn)略。新一代7納米半導(dǎo)體將采用最尖端的制造技術(shù)，從2018年開始量產(chǎn)。此次說明會(huì)上，三星展示了發(fā)展藍(lán)圖，記載了決定性能好壞的電路線寬的微細(xì)化進(jìn)程。三星表示，采用“極紫外光刻(EUV光刻)”新技術(shù)的7納米產(chǎn)品計(jì)劃從2018年開始接單，5納米產(chǎn)品和4納米產(chǎn)品分別將從2019年和2020年開始接單。EUV能大幅提高電路形成工序的效率，7納米以下的產(chǎn)品曾被認(rèn)為難以實(shí)現(xiàn)商用化，而EUV是
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延續(xù)摩爾定律 EUV技術(shù)角色關(guān)鍵
- 臺(tái)積電已宣布將在2018年第二代7奈米制程中開始導(dǎo)入EUV微影技術(shù)，以做為5奈米全面采用EUV的先期準(zhǔn)備。 盡管目前EUV設(shè)備曝光速度仍不如期待且價(jià)格極為高昂，但與采用雙重或多重曝光技術(shù)相比，EUV的投資對(duì)解決先進(jìn)制程不斷攀升的成本問題仍是相對(duì)有力的解決方案。 每一季的臺(tái)積電法說會(huì)上，張忠謀董事長(zhǎng)或是共同執(zhí)行長(zhǎng)對(duì)于極紫外光(Extreme Ultraviolet, EUV)的發(fā)展進(jìn)度必會(huì)對(duì)臺(tái)下觀眾做一專門的報(bào)告，法人代表對(duì)于EUV的導(dǎo)入時(shí)程亦表示高度興趣。 到底EUV的發(fā)展對(duì)于臺(tái)積電未來發(fā)展甚至
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