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          臺(tái)積電老將再出山 蔣尚義領(lǐng)命戰(zhàn)研發(fā)

          •   不知是否是因?yàn)镚lobal Foundries的步步威脅,臺(tái)積電28日宣布,延聘3年前離職的蔣尚義博士擔(dān)任研究發(fā)展資深副總經(jīng)理,他將直接對(duì)張忠謀董事長(zhǎng)負(fù)責(zé)。   這是繼張忠謀6月重新執(zhí)政臺(tái)積電以來(lái),又一次重大的人事調(diào)整。蔣尚義博士早在1997年即加入臺(tái)積電擔(dān)任研究發(fā)展副總經(jīng)理,帶領(lǐng)研發(fā)團(tuán)隊(duì)一路順利開(kāi)發(fā)完成0.25微米、0.18微米、0.13微米、90納米、65納米等各個(gè)世代的先進(jìn)工藝技術(shù),成果斐然。但是三年多前因?yàn)橐疹櫮赀~生病的父親而暫時(shí)離開(kāi),如今因父親仙逝而能再度回到臺(tái)積,相信蔣資深副總的回任,
          • 關(guān)鍵字: 臺(tái)積電  40納米  HKMG  EUV  

          EUV蓄勢(shì)待發(fā) Carl Zeiss向ASML出貨EUV光學(xué)系統(tǒng)

          •   德國(guó)Carl Zeiss SMT AG已向半導(dǎo)體設(shè)備商ASML出貨首臺(tái)EUV光學(xué)系統(tǒng)。該公司已使EUV光學(xué)系統(tǒng)達(dá)到了生產(chǎn)要求。   光學(xué)系統(tǒng)是EUV設(shè)備的核心模塊,首臺(tái)EUV設(shè)備預(yù)計(jì)將在2010年出貨。幾周前,美國(guó)公司Cymer完成了EUV光源的開(kāi)發(fā),EUV光源是EUV光刻設(shè)備另一個(gè)關(guān)鍵模塊。該技術(shù)將使芯片制造商進(jìn)一步縮小芯片的特征尺寸,提高生產(chǎn)效率。   據(jù)Carl Zeiss 介紹,目前出貨的光學(xué)系統(tǒng)已經(jīng)研發(fā)了約15年。
          • 關(guān)鍵字: ASML  EUV  光刻設(shè)備  

          EUV掩膜版清洗—Intel的解決之道

          •   對(duì)于極紫外(EUV)光刻技術(shù)而言,掩膜版相關(guān)的一系列問(wèn)題是其發(fā)展道路上必須跨越的鴻溝,而在這些之中又以如何解決掩膜版表面多層抗反射膜的污染問(wèn)題最為關(guān)鍵。自然界中普遍存在的碳和氧元素對(duì)于EUV光線(xiàn)具有極強(qiáng)的吸收能力。在Texas州Austin召開(kāi)的表面預(yù)處理和清洗會(huì)議上,針對(duì)EUV掩膜版清洗方面遇到的問(wèn)題和挑戰(zhàn),Intel Corp. (Santa Clara, Calif.)的Ted Liang主持召開(kāi)了一次內(nèi)部討論,并在會(huì)上向與會(huì)的同仁報(bào)告了在這一領(lǐng)域Intel和Dai Nippon Printin
          • 關(guān)鍵字: 光刻  EUV  掩膜  CMOS  

          22納米后EUV光刻還是電子束光刻?市場(chǎng)看法存分歧

          • 浸潤(rùn)式微顯影雙重曝光能進(jìn)一步延伸摩爾定律的壽命至32納米,不過(guò),22納米以下究竟哪種技術(shù)得以出頭,爭(zhēng)議不斷。據(jù)了解,臺(tái)積電目前正積極研發(fā)22納米以下直寫(xiě)式多重電子束(MEBDW)方案,并已有具體成果,但積極推動(dòng)深紫外光(EUV)的ASML則表示,目前已有數(shù)家客戶(hù)下單,最快2009年便可出貨,但哪種技術(shù)最終將「一統(tǒng)江湖」,尚未有定論。     ASML表示,目前深紫外光EUV的光波波長(zhǎng)可達(dá)13.5納米,約是248波長(zhǎng)的KrF顯影設(shè)備的15分之1,盡管浸潤(rùn)式顯
          • 關(guān)鍵字: 消費(fèi)電子  EUV  電子束  消費(fèi)電子  

          尼康NA超過(guò)1的液浸設(shè)備半導(dǎo)體商正式采用

          •  尼康日前正式宣布,2006年1月已向大型半導(dǎo)體廠(chǎng)商供應(yīng)用于55nm工藝(hp55)芯片制造、開(kāi)口數(shù)(NA)為1.07的液浸ArF曝光設(shè)備“NSR-S609B”。這是全球首次供應(yīng)NA超過(guò)1的液浸ArF曝光設(shè)備。    這家大型半導(dǎo)體廠(chǎng)商的名字,尼康沒(méi)有公布,估計(jì)是過(guò)去在技術(shù)方面與之開(kāi)展合作的東芝。    作為全折射型液浸曝光設(shè)備,NSR-S609B具有全球最大的NA,配合偏光照明技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)很高的分辨率。對(duì)于液浸產(chǎn)生的缺陷和重合不穩(wěn)定性的問(wèn)題,據(jù)稱(chēng)利用名為“Local-fill(局部
          • 關(guān)鍵字: NA  尼康  嵌入式系統(tǒng)  
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