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IGBT失效都是變壓器結(jié)電容惹的禍

隨著人們對(duì)電源及電子設(shè)備的功能要求越來(lái)越高，為各種設(shè)備提供電源時(shí)需要進(jìn)行的改動(dòng)就越來(lái)越多。IGBT就是其中一種，然而在實(shí)際的設(shè)計(jì)過(guò)程中，很多朋友
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基于SPWM技術(shù)的逆變電路結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)析

與常見(jiàn)的PWM技術(shù)相比，SPWM是一種更為成熟完善并且應(yīng)用面積更廣的采樣方法。此種方法在單片機(jī)領(lǐng)域中應(yīng)用的較多，本文就將為大家介紹在一種單片機(jī)SPWM逆
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6種IGBT中的MOS器件隔離驅(qū)動(dòng)入門(mén)

由于不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)得以飛速發(fā)展。IGBT的特點(diǎn)是具有電流拖尾效應(yīng)，因此在關(guān)斷的瞬間對(duì)于抗干擾的性能要求非常嚴(yán)格，需要負(fù)壓驅(qū)動(dòng)進(jìn)行輔助
關(guān)鍵字： MOSFET IGBT 隔離驅(qū)動(dòng)

避免IGBT不良反應(yīng)的隔離驅(qū)動(dòng)7條經(jīng)驗(yàn)

IGBT技術(shù)大多應(yīng)用在大功率電源場(chǎng)合，要在這些場(chǎng)合應(yīng)用，首先就需要擁有避免欠壓、米勒效應(yīng)、過(guò)載一類(lèi)的不良反應(yīng)。因此在隔離驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的設(shè)計(jì)上
關(guān)鍵字： IGBT 隔離驅(qū)動(dòng) 電源

大功率電源IGBT損壞的問(wèn)題成因探討

隨著市場(chǎng)對(duì)大功率供電設(shè)備需求日益激增，IGBT不間斷電源開(kāi)始發(fā)揮越來(lái)越重要的作用。IGBT設(shè)備性能的好壞直接影響大功率電源的供電效率。一般來(lái)說(shuō)，較為
關(guān)鍵字：電源 IGBT 大功率電源損壞

通過(guò)對(duì)耦合電流路徑改造提升IGBT可靠性

隨著大功率與特種電源逐漸在市場(chǎng)上盛行，IGBT技術(shù)也隨著時(shí)間的推移越加成熟。IGBT的可靠性很大程度上決定的了大功率電源的性能，因此人們總是想通過(guò)各
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如何依靠輸出邏輯提升IGBT的可靠性

隨著現(xiàn)代電科技設(shè)備的日趨復(fù)雜，原有的電源已經(jīng)無(wú)法再滿足人們的需要。大功率特種電源便應(yīng)運(yùn)而生，而其中較為重要的，就是IGBT技術(shù)。如果想要全面穩(wěn)妥
關(guān)鍵字： IGBT 邏輯可靠性

從連接器與電容入手提高IGBT可靠性

隨著不間斷電源等特殊電源的興起，IGBT在電子電路設(shè)計(jì)領(lǐng)域地位變得越來(lái)越重要，在之前的文章中小編為大家介紹有關(guān)IGBT可靠性中的芯片額定輸出功率密度
關(guān)鍵字：連接器電容 IGBT 可靠性

分享：IGBT的檢測(cè)方法

IGBT有三個(gè)電極，分別稱為柵極G(也叫控制極或門(mén)極)、集電極C(亦稱漏極)及發(fā)射極E(也稱源極)一、用指針式萬(wàn)用表對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管進(jìn)行判別(1)用測(cè)電阻法判別結(jié)
關(guān)鍵字： IGBT 場(chǎng)效應(yīng)管檢測(cè)方法

如何通過(guò)器件選用與環(huán)境溫度提升IGBT性能

隨著不間斷電源的興起，IGBT技術(shù)開(kāi)始走進(jìn)人們的生活。而對(duì)于新手來(lái)說(shuō)，對(duì)于IGBT的相關(guān)知識(shí)進(jìn)行學(xué)習(xí)并不困難，困難的是理解這種技術(shù)在實(shí)際應(yīng)用當(dāng)中的一
關(guān)鍵字： IGBT 器件選用溫度

大功率電源中IGBT電壓與驅(qū)動(dòng)能力是什么關(guān)系?

IGBT作為電壓控制型開(kāi)關(guān)器件，IGBT的開(kāi)關(guān)由柵極的電壓控制。大家都知道柵極電壓升高，IGBT導(dǎo)通，柵極電壓低，IGBT關(guān)斷。但是使用的時(shí)候還是很容易忽略
關(guān)鍵字：電源 IGBT 驅(qū)動(dòng)能力

太陽(yáng)能中根據(jù)逆變拓?fù)溥M(jìn)行IGBT選擇

在綠色能源快速發(fā)展的當(dāng)下，太陽(yáng)能發(fā)電對(duì)于人們來(lái)說(shuō)已經(jīng)不是什么新鮮事物。在太陽(yáng)能逆變電源的角度來(lái)說(shuō)，想要獲得更多的效率，IGBT就是必不可少的重要
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三個(gè)將造成IGBT損壞的低級(jí)操作錯(cuò)誤

熟悉IGBT的朋友都知道，IGBT的內(nèi)部主要是MOS結(jié)構(gòu)。這就意味著IGBT對(duì)于靜電非常敏感，在使用過(guò)程中稍有不當(dāng)就可能造成IGBT的損壞。那么在使用IGBT時(shí)，需
關(guān)鍵字： IGBT 電源電路設(shè)計(jì)

三大方法快速判斷IGBT是否已經(jīng)損壞

隨著大功率電源設(shè)備的普及率越來(lái)越高，IGBT在大功率電源設(shè)備中的作用也越來(lái)越重要，因此對(duì)IGBT知識(shí)進(jìn)行全方面的了解是非常有必要的。隨著使用頻率的升
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大功率IGBT中濾波電容的選擇與計(jì)算

由于IGBT類(lèi)電源的特殊性，于一般的電源相比其中很多器件都會(huì)有相應(yīng)的改動(dòng)。濾波電容就是其中一個(gè)變動(dòng)較大的器件。為了為大功率電源進(jìn)行不間斷的供電，
關(guān)鍵字：電源 IGBT 濾波電容

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igbt 介紹

什么是 IGBT　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]