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英飛凌展示新一代IGBT——650V TRENCHSTOP 5
- 英飛凌科技股份有限公司在上海PCIM Asia 2013 電力電子、智能運動、可再生能源管理展覽會上突出展示了650V TRENCHSTOP? 5。新一代的薄晶圓IGBT絕緣柵雙極型晶體管——TRENCHSTOP? 5自從2012年秋季推出以來,已經(jīng)獲得了巨大的市場關(guān)注,它被認(rèn)為是一種革新的技術(shù)。
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安森美半導(dǎo)體推出領(lǐng)先業(yè)界的最佳系統(tǒng)級性能的IGBT,擴(kuò)充產(chǎn)品陣容
- 推動高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor,美國納斯達(dá)克上市代號:ONNN)持續(xù)擴(kuò)充高性能絕緣門雙極晶體管(IGBT)產(chǎn)品陣容,應(yīng)用于消費類電器及工業(yè)應(yīng)用的高性能電源轉(zhuǎn)換(HPPC)。安森美半導(dǎo)體新的第二代場截止型(FSII) IGBT器件改善開關(guān)特性,降低損耗達(dá)30%,因而提供更高能效,并轉(zhuǎn)化為更低的外殼溫度,為設(shè)計人員增強(qiáng)系統(tǒng)總體性能及可靠性的選擇。這些新器件針對目標(biāo)應(yīng)用進(jìn)行了優(yōu)化,相比現(xiàn)有器件能降低外殼溫度達(dá)20%。 安森美半導(dǎo)體功率分立產(chǎn)品副總裁兼總經(jīng)理Paul
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英飛凌推出EiceDRIVER SIL和EiceDRIVER Boost
- 英飛凌科技股份有限公司 (FSE:IFX / OTC QX:IFNNY) 日前推出新一代應(yīng)用于新能源汽車的高壓IGBT門級驅(qū)動器。有了專為混合動力/電動汽車 (HEV) 的主逆變器而設(shè)計的全新EiceDRIVER? SIL和EiceDRIVER? Boost驅(qū)動器,汽車系統(tǒng)供應(yīng)商便能夠更輕松地設(shè)計出更具成本效益的HEV電力傳動傳動子系統(tǒng),該系統(tǒng)完全符合ASIL C/D功能安全要求標(biāo)準(zhǔn) (ISO 26262)。
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IGBT應(yīng)用設(shè)計全面剖析
- 如何做好IGBT的保護(hù)眾所周知,IGBT是一種用MOS來控制晶體管的新型電力電子器件,具有電壓高、電流大、頻率...
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IGBT實用的驅(qū)動電路及細(xì)節(jié)設(shè)計
- 1.IGBT的模型IGBT的模型在教科書上能找到,其柵極G,相當(dāng)于一個數(shù)納法(nF)的小電容(暫時這樣認(rèn)為),這與MOS...
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如何控制IGBT逆變器設(shè)計中的雜散電感
- IGBT技術(shù)不能落后于應(yīng)用要求。因此,英飛凌推出了最新一代的IGBT芯片以滿足具體應(yīng)用的需求。與目前逆變器設(shè)計 ...
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igbt 介紹
什么是 IGBT IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor),絕緣柵雙極型功率管,是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低,載流密度大,但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小,開關(guān)速度快,但導(dǎo)通壓降大,載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]
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