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提高太陽(yáng)能逆變器效能的IGBT選擇方法淺談

如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作...
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如何實(shí)現(xiàn)IGBT的軟開關(guān)的應(yīng)用開發(fā)

一、IGBT溉述正常IGBT的工作頻率在10—20kHz，其開關(guān)速度比GTO、IGCT快得多。在交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速...
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CONCEPT設(shè)計(jì)中心將提供定制IGBT驅(qū)動(dòng)器解決方案

Power Integrations旗下子公司IGBT驅(qū)動(dòng)器制造商CT-Concept Technologie AG已在德國(guó)Ense開設(shè)一家新的設(shè)計(jì)中心。該設(shè)計(jì)中心將基于其驅(qū)動(dòng)核開發(fā)半定制門極驅(qū)動(dòng)設(shè)計(jì)，并利用CONCEPT的SCALE-2?平臺(tái)為大型項(xiàng)目研發(fā)和量身定制驅(qū)動(dòng)器。
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IGBT選型需要注意諸多事項(xiàng)

絕緣柵雙極晶體管（IGBT）是總線電壓幾百至上千伏的應(yīng)用的理想之選。作為少數(shù)載流子器件，IGBT在該電壓范圍...
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提高太陽(yáng)能逆變器效能的IGBT選擇方法

提高太陽(yáng)能逆變器效能的IGBT選擇方法,如今市場(chǎng)上先進(jìn)功率元件的種類數(shù)不勝數(shù)，工程人員要為一項(xiàng)應(yīng)用選擇到合適的功率元件，的確是一項(xiàng)艱巨的工作。就以太陽(yáng)能逆變器應(yīng)用來說，絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 能比其他
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功率器件IGBT應(yīng)用中的常見問題解決方法

1 引言80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管IGBT是一種新型的電力電子器件，它綜合了gtr和MOSFET的優(yōu)點(diǎn)，控制方便、開關(guān)速度快、工作頻率高、安全工作區(qū)大。隨著電壓、電流等級(jí)的不斷提高，IGBT成為了大功率開關(guān)電源、變頻
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M57962L芯片在IGBT驅(qū)動(dòng)中的運(yùn)用

IGBT是一種復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件。本文介紹了驅(qū)動(dòng)電路M57962L的工作原理及解決方案：IGBT是一種...
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IGBT應(yīng)用中常見問題及解決方法

1引言綜合了gtr和mosfet優(yōu)點(diǎn)的igbt，是一種新型的80年代問世的絕緣柵雙極性晶體管，它控制方便、工作頻率...
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用于IGBT與功率MOSFET的柵驅(qū)動(dòng)器通用芯片

1　引言
　　scale-2芯片組是專門為適應(yīng)當(dāng)今igbt與功率mosfet柵驅(qū)動(dòng)器的功能需求而設(shè)計(jì)的。這些需求包括：可擴(kuò)展的分離式開通與關(guān)斷門級(jí)電流通路;功率半導(dǎo)體器件在關(guān)斷時(shí)的輸出電壓可以為有源箝位提供支持;多電平變
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基于運(yùn)放退飽和的電阻爐溫度控制系統(tǒng)設(shè)計(jì)

為了實(shí)現(xiàn)電阻爐的快速升溫及溫度控制，采用運(yùn)放退飽和的方法，當(dāng)電阻爐溫度未達(dá)到設(shè)定值時(shí)，運(yùn)放飽和輸出，所控制的驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比最大，IGBT近似全導(dǎo)通，電爐加熱功率最大，溫度快速上升；當(dāng)溫度達(dá)到設(shè)定值時(shí)，運(yùn)放開始退飽和，輸出電壓逐漸減小，從而減小驅(qū)動(dòng)電路輸出脈沖的占空比，IGBT導(dǎo)通時(shí)間變短，電爐加熱功率減小，實(shí)現(xiàn)溫度控制。通過Multisim軟件仿真及硬件電路測(cè)試，驗(yàn)證了本設(shè)計(jì)的可行性。該溫度控制系統(tǒng)具有升溫速度快、易于操作、滯后性較低的優(yōu)點(diǎn)。
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧二

11、請(qǐng)問：HCPl-316產(chǎn)品如何做到短路時(shí)軟關(guān)斷？謝謝！　　HCPL-316J 飽和閾值的頂點(diǎn)設(shè)置在7V，這是對(duì)通過一個(gè)比較 ...
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隔離驅(qū)動(dòng)IGBT和Power MOSFET等功率器件所需的技巧

功率器件，如IGBT，Power MOSFET和Bipolar Power Transistor等等，都需要有充分的保護(hù)，以避免如欠壓，缺失飽和，米勒效 ...
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國(guó)產(chǎn)IGBT廠商開始小批量銷售

　　“十二五”規(guī)劃出臺(tái)以后，國(guó)家對(duì)新能源、新型軌道交通等新興行業(yè)的發(fā)展非常重視，同時(shí)，“節(jié)能減排”工作也深入開展，中國(guó)開始從粗放型用電到精細(xì)化用電轉(zhuǎn)型。包括IGBT等半導(dǎo)體功率器件作為關(guān)鍵部件，受到了國(guó)家的重視，近兩年更是列入國(guó)家重大科技專項(xiàng)中提供多方位的支持。　　絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是繼雙極晶體管(GTR)和MOSFET后的第三代功率半導(dǎo)體分立器件，具有易于驅(qū)動(dòng)、峰值電流容量大、自關(guān)斷、開關(guān)頻率高的特點(diǎn)，廣泛用于小體積、高效率的變頻電源、電機(jī)
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具有有源電壓鉗位功能的電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)與研究

摘要：由于電動(dòng)汽車及混合動(dòng)力機(jī)車的電池工作電壓范圍較大，在剎車能量回收、發(fā)電機(jī)發(fā)電、短路保護(hù)等工況下，防止IGBT產(chǎn)生過壓失效成為一個(gè)必須深入研究的課題。有源電壓鉗位功能作為防止IGBT過壓失效的有效手段開始有所應(yīng)用，本文對(duì)幾種有源電壓鉗位的具體方式和效果進(jìn)行了分析，并提出在有源電壓鉗位在電動(dòng)汽車IGBT驅(qū)動(dòng)應(yīng)用中的優(yōu)化建議。
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IR推出第八代1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國(guó)際整流器公司 (International Rectifier，簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用IR的新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù)，為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。
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igbt 介紹

什么是 IGBT　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型功率管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式電力電子器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合 [ 查看詳細(xì) ]