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ROHM推出內(nèi)置1700V SiC MOSFET的小型表貼封裝AC/DC轉(zhuǎn)換器IC“BM2SC12xFP2-LBZ”
- 全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM（總部位于日本京都市）面向大功率通用逆變器、AC伺服、商用空調(diào)、路燈等工業(yè)設(shè)備，開發(fā)出內(nèi)置1700V耐壓SiC MOSFET*1的AC/DC轉(zhuǎn)換器*2IC“BM2SC12xFP2-LBZ”。近年來，隨著節(jié)能意識的提高，在交流400V級工業(yè)設(shè)備領(lǐng)域，可支持更高電壓、更節(jié)能、更小型的SiC功率半導(dǎo)體的應(yīng)用越來越廣。而另一方面，在工業(yè)設(shè)備中，除了主電源電路之外，還內(nèi)置有為各種控制系統(tǒng)提供電源電壓的輔助電源，但出于設(shè)計周期的考量，它們中仍然廣泛采用了耐壓較低的Si-MOSFET和損耗較
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在工業(yè)高頻雙向PFC電力變換器中使用SiC MOSFET的優(yōu)勢
- 摘要隨著汽車電動化推進，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電應(yīng)用也是方興未艾，越來越多的應(yīng)用領(lǐng)域要求有源前端電力變換器具有雙向電流變換功能。本文在典型的三相電力應(yīng)用中分析了SiC功率MOSFET在高頻PFC變換器中的應(yīng)用表現(xiàn)，證明碳化硅電力解決方案的優(yōu)勢，例如，將三相兩電平全橋(B6)變換器和NPC2三電平(3L-TType)變換器作為研究案例，并與硅功率半導(dǎo)體進行了輸出功率和開關(guān)頻率比較。前言隨著汽車電動化推進，智能充電基礎(chǔ)設(shè)施正在迅速普及，智能電網(wǎng)內(nèi)部的V2G車輛給電網(wǎng)充電
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IGBT和MOSFET功率模塊NTC溫度控制
- 溫度控制是MOSFET或IGBT功率模塊有效工作的關(guān)鍵因素之一。盡管某些MOSFET配有內(nèi)部溫度傳感器 (體二極管)，但其他方法也可以用來監(jiān)控溫度。半導(dǎo)體硅PTC熱敏電阻可以很好進行電流控制，或鉑基或鈮基(RTD)電阻溫度檢測器可以用較低阻值，達到更高的檢測線性度。無論傳感器采用表面貼裝器件、引線鍵合裸片還是燒結(jié)裸片，NTC熱敏電阻仍是靈敏度優(yōu)異，用途廣泛的溫度傳感器。只要設(shè)計得當，可確保模塊正確降額，并最終在過熱或外部溫度過高的情況下關(guān)斷模塊。本文以鍵合NTC裸片為重點，采用模擬電路仿真的方法說明功率模
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比亞迪半導(dǎo)體將發(fā)布新一代高性能IGBT
- 2018年比亞迪半導(dǎo)體在寧波發(fā)布了IGBT4.0芯片，樹立了國內(nèi)車規(guī)級中高端IGBT芯片標桿。歷時兩年積累沉淀，比亞迪半導(dǎo)體即將在西安新研發(fā)中心發(fā)布更高性能的IGBT6.0。西安高新區(qū)已經(jīng)匯聚了華為、浪潮、三星等一大批知名企業(yè)，隨著西安研發(fā)中心大樓的落成，也標志著比亞迪半導(dǎo)體正式入駐中國“西部硅谷”。2008年比亞迪1.7億元收購了寧波中緯。中緯賬面上最有價值的東西是源自臺積電淘汰的一條8英寸晶圓線，但這筆收購給還給比亞迪帶來了晶圓車間、技術(shù)團隊等資源。當時長三角地區(qū)是中國半導(dǎo)體制造的重要基地。彼時這些資
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為何智能功率模塊會盛行，ROHM的600V產(chǎn)品有哪些特色
- 1? ?低碳時代驅(qū)動功率轉(zhuǎn)換的變革當前，世界各國以全球協(xié)約的方式減排溫室氣體，我國也提出了碳達峰和碳中和的目標，這對電子產(chǎn)品的降低能耗提出了巨大挑戰(zhàn)。因為隨著物聯(lián)網(wǎng)的普及，產(chǎn)品需要有更長的待機時間；由于產(chǎn)品的性能提高和功能豐富，也會增加工作能耗。這就需要功率轉(zhuǎn)換元器件和模塊的效率進一步提升，因此，近年來IPM（智能功率器件）開始盛行。2? ?適合小功率電機的IPM?IPM的優(yōu)勢是高效率、低功耗、模塊化。以空調(diào)市場為例，全球空調(diào)市場的出貨量這兩年約1.5億臺
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基于IPD Protect的2.1 kW電磁感應(yīng)加熱設(shè)計
- 電磁感應(yīng)加熱在小家電市場(如電飯煲，油炸鍋和牛奶泡沫器等)已經(jīng)得到廣泛應(yīng)用，減小系統(tǒng)尺寸，降低系統(tǒng)成本和提高可靠性是越來越多客戶的需求。本文設(shè)計了一款2.1 kW電磁感應(yīng)加熱平臺。搭載了英飛凌自帶保護IPD Protect，XMC單片機和CoolSET PWM控制器輔助電源。電路拓撲采用單端并聯(lián)諧振電路，最大輸出功率2.1 kW，實現(xiàn)了IPD Protect的快速過流保護，過壓保護，過溫報警和保護，輸入電壓欠壓保護和低靜態(tài)電流等功能，其中IPD protect過壓和過流保護點可以根據(jù)系統(tǒng)要求來調(diào)節(jié)。同時，
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電動車用大功率 IGBT 模塊測試解決方案
- 功率半導(dǎo)體是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心，主要用于改變電子裝置中電壓和頻率、直流交流轉(zhuǎn)換等，是電子裝置中電能轉(zhuǎn)換與電路控制的核心。功率半導(dǎo)體器件種類眾多，按集成度可分為功率IC、功率模塊和功率分立器件三大類，其中功率分立器件中MOSFET、功率二極管、IGBT占比較大，是最主要的品類。根據(jù)iHS預(yù)測，MOSFET和IGBT將是2020-2025年增長最強勁的半導(dǎo)體功率器件。增長的市場空間被行業(yè)專家拆解成兩個方面：折舊帶來的替換市場以及電氣化程度加深帶來的新增市場。既然新增市場源于電氣化程度的加深，那
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科索為中型機器人控制器和工廠自動化提供三路隔離輸出300W的電源解決方案
- 科索有限責任公司近日宣布擴大其為中型機器人和工廠自動化設(shè)計的RB系列，增加一款300W的版本。RBC300F是一種開放式框架，可配置AC/DC電源，具有三路輸出，專門為機器人控制器和工廠自動化定制?；谝粋€獨特的概念，科索RBC300F系列提供三個可配置隔離輸出，其中一個具有增強隔離給智能柵雙極型晶體管（IGBT）或等效應(yīng)用供電。RBC300F通過EN62477-1過電壓類別（OVC）Ⅲ認證，當連接到配電板時，通過減少額外的隔離變壓器，RBC300F電源簡化了系統(tǒng)架構(gòu)師的設(shè)計過程，同時降低了成本。RBC3
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蘋果終于修復(fù)新iMac顯示問題：AMD 5700XT顯卡拒絕背鍋
- 花幾萬塊買的iMac，顯示問題越來越嚴重，蘋果顯然不可能置之不理，當然這也不是AMD顯卡的質(zhì)量問題?！ √O果今天發(fā)布了macOS Catalina 10.15.7更新，其解決了macOS無法自動連接Wi-Fi的問題，它還修復(fù)了一個可能導(dǎo)致文件無法通過iCloud Drive同步的bug?！ ‘斎涣?，對于新的iMac用戶來說，它修復(fù)了一個導(dǎo)致配備Radeon Pro 5700 XT的機器屏幕出現(xiàn)白色線的問題?！ ∽?月份推出27英寸iMac以來，用戶一直有關(guān)于圖形故障的投訴，該型號包括更高端的5700
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推動更快、更安全、更高效EV充電器的技術(shù)
- 隨著電動汽車（EV）數(shù)量的增加，對創(chuàng)建更加節(jié)能的充電基礎(chǔ)設(shè)施系統(tǒng)的需求也在日益增長，如此便可更快地為車輛充電。與先前的電動汽車相比，新型電動汽車具有更高的行駛里程和更大的電池容量，因此需要開發(fā)快速直流充電解決方案以滿足快速充電要求。150 kW或200 kW的充電站約需要30分鐘才能將電動汽車充電至80％，行駛大約250 km。根據(jù)聯(lián)合充電系統(tǒng)和Charge de Move標準， 快速DC充電站 可提供高達400 kW的功率。今天，我們將研究驅(qū)動更快、更安全、更高效的充電器的半導(dǎo)體技術(shù)
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iOS 13.7正式發(fā)布：新增新冠病毒暴露通知
- 蘋果剛剛放出了iOS 13.7正式版本，具體版本號17H35，特別加入了COVID-19新冠病毒暴露通知功能。根據(jù)更新通知，iOS 13.7支持新的擬我表情貼紙、從文件App共享iCloud文件夾，并包含錯誤修復(fù)和改進。最重要的是，在新系統(tǒng)里你可以選擇加入COVID-19暴露通知系統(tǒng)(Exposure Notifications System)，而無需下載應(yīng)用。當然，該功能的可用性取決于當?shù)毓残l(wèi)生機構(gòu)的支持，目前只有美國的幾個州，和少數(shù)國家地區(qū)才支持。另外，是否屬于新冠陽性，也需要衛(wèi)生機構(gòu)的核酸檢測才能
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首款翻轉(zhuǎn)鏡頭驍龍865旗艦！華碩ZenFone 7參數(shù)曝光
- 8月20日消息，華碩將于8月26日發(fā)布年度旗艦ZenFone 7系列，包含ZenFone 7和ZenFone 7 Pro兩款?，F(xiàn)在外媒在ROG Phone 3內(nèi)核源代碼中發(fā)現(xiàn)了ZenFone 7的部分參數(shù)，它采用LCD全面屏。據(jù)悉，ZenFone 7采用6.4英寸FHD+顯示屏，材質(zhì)為LCD，刷新率為60Hz，由京東方供貨。用LCD屏意味著無法使用屏幕指紋識別，目前尚不確定ZenFone 7指紋是側(cè)面還是背面（上一代ZenFone 6是背部指紋）。核心配置上，ZenFone 7搭載高通驍龍865旗艦處理器
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GaN 器件的直接驅(qū)動配置
- 受益于集成器件保護，直接驅(qū)動GaN器件可實現(xiàn)更高的開關(guān)電源效率和更佳的系統(tǒng)級可靠性。高電壓（600V）氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）的開關(guān)特性可實現(xiàn)提高開關(guān)模式電源效率和密度的新型拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復(fù)的特點。這些特性可實現(xiàn)諸如圖騰柱無橋功率因數(shù)控制器（PFC）等較高頻率的硬開關(guān)拓撲。由于它們的高開關(guān)損耗，MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）實現(xiàn)此類拓撲。本文中，我們將重點介紹直接驅(qū)動GaN晶體管的優(yōu)點，包括更低的開關(guān)損耗、更佳
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英飛凌推出62mm CoolSiC?模塊，為碳化硅開辟新應(yīng)用領(lǐng)域
- 英飛凌科技股份公司近日為其1200 V CoolSiC? MOSFET模塊系列新增了一款62mm工業(yè)標準模塊封裝產(chǎn)品。它采用成熟的62mm器件半橋拓撲設(shè)計,以及溝槽柵芯片技術(shù),為碳化硅打開了250kW以上(硅IGBT技術(shù)在62mm封裝的功率密度極限)中等功率應(yīng)用的大門。在傳統(tǒng)62mm IGBT模塊基礎(chǔ)上,將碳化硅的應(yīng)用范圍擴展到了太陽能、服務(wù)器、儲能、電動汽車充電樁、牽引以及商用感應(yīng)電磁爐和功率轉(zhuǎn)換系統(tǒng)等。該62mm模塊配備了英飛凌的CoolSiC MOSFET芯片,可實現(xiàn)極高的電流密度。其極低的開關(guān)損耗
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