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一種電動汽車能量回饋下IGBT保護策略優(yōu)化及驗證
- 舒 暉（奇瑞新能源汽車股份有限公司，安徽 蕪湖 241002） 摘 要：針對電動汽車在能量回饋時，動力電池高壓繼電器異常斷開的特殊工況下，提出了一種IGBT保護策略優(yōu)化方案，快速檢測因動力電池瞬斷產(chǎn)生的尖峰電壓，觸發(fā)保護機制保護IGBT模塊。本文通過臺架實驗對比了方案優(yōu)化前后的尖峰電壓值，最終通過實車驗證了該方案的可行性。結(jié)果表明，優(yōu)化后的保護策略能更快地檢測到抬升的母線電壓，觸發(fā)保護機制，停止IGBT工作，降低IGBT模塊損壞的風險?！ ￡P(guān)鍵詞：電動汽車；能量回饋；IGBT 0 引言 傳統(tǒng)汽車
- 關(guān)鍵字： 202007 電動汽車 能量回饋 IGBT
一文看懂蘋果WWDC20：iOS 14更好玩，可Intel要哭瞎了
- 6月23日消息，蘋果于今夜凌晨1點如約帶來了WWDC20全球開發(fā)者大會的開幕演講，由于受到今年疫情的影響，蘋果也是33年來首次將WWDC開幕演講改為線上舉行。有別于國內(nèi)友商的云直播，蘋果這次采用的是提前錄制好的視頻在官網(wǎng)進行播出。熬夜看完的小伙伴一定被蘋果這高質(zhì)量的視頻所深深吸引，不亞于你在電影院觀看一部好萊塢大片帶來的視覺盛宴，無論是拍攝手法、視頻清晰度還是場景切換都做得異常生動，同時還與這次活動的核心發(fā)布內(nèi)容完美結(jié)合。按照慣例，蘋果這次還是重點更新發(fā)布iOS 14、全新iPadOS、macOS Big
- 關(guān)鍵字： 蘋果 開發(fā)者大會 WWDC iOS 14 iPadOS macOS Big Sur watchOS 7 ARM Mac
新基建驅(qū)動電力電源變革，ST祭出一攬子解決方案
- 我國正在大力進行新基建，工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、汽車充電樁、5G手機等對電力與電源提出了更高的能效要求。與此同時，SiC、GaN等第三代半導體材料風生水起，奠定了堅實的發(fā)展基礎。充電樁、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)、手機需要哪些新電力與電源器件？近日，ST（意法半導體）亞太區(qū)功率分立器件和模擬產(chǎn)品部區(qū)域營銷及應用副總裁Francesco MUGGERI接受了電子產(chǎn)品世界記者的采訪，分享了對工業(yè)市場的預測，并介紹了ST的新產(chǎn)品。ST亞太區(qū) 功率分立器件和模擬產(chǎn)品部 區(qū)域營銷及應用副總裁 Francesco MUGGERI1 工業(yè)電源市場
- 關(guān)鍵字： 電源 SiC IGBT GaN
使用碳化硅MOSFET提升工業(yè)驅(qū)動器的能源效率
- 本文將強調(diào)出無論就能源效率、散熱片尺寸或節(jié)省成本方面來看,工業(yè)傳動不用硅基(Si)絕緣柵雙極電晶體(IGBT)而改用碳化硅MOSFET有哪些優(yōu)點。摘要由于電動馬達佔工業(yè)大部分的耗電量,工業(yè)傳動的能源效率成為一大關(guān)鍵挑戰(zhàn)。因此,半導體製造商必須花費大量心神,來強化轉(zhuǎn)換器階段所使用功率元件之效能。意法半導體(ST)最新的碳化硅金屬氧化物半導體場效電晶體(SiC MOSFET)技術(shù),為電力切換領(lǐng)域立下全新的效能標準。1.導言目前工業(yè)傳動通常採用一般所熟知的硅基IGBT反相器(inverter),但最近開發(fā)的碳化
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美國封殺華為 臺積電很受傷 7/5nm投資下降70億美元
- 華為是臺積電的第二大客戶，2019年貢獻了14%的營收，很快就可能超過蘋果成為第一大客戶。不過美國5月份宣布新一輪政策，直接打壓華為，這也讓臺積電很受傷，分析師稱2020到2021年臺積電預計會下調(diào)70億美元的資本開支。根據(jù)里昂證券亞洲科技產(chǎn)業(yè)部門研究主管侯明孝的分析，5月份臺積電就有客戶開始下調(diào)訂單量了，預計5nm工藝產(chǎn)能比預定目標減少1-1.5萬片晶圓./月，7nm產(chǎn)能減少1-2萬片晶圓/月，2020到2021兩年里合計減少50-70億美元的資本開支。不僅客戶訂單減少，臺積電也延緩了與設備供應商之間的
- 關(guān)鍵字： 臺積電 7/5nm
東芝推出600V小型智能功率器件，助力降低電機功率損耗
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，推出型號為“TPD4162F”的高壓智能功率器件（IPD）。該器件采用小型表面貼裝封裝，設計用于空調(diào)、空氣凈化器和泵等產(chǎn)品中的電機驅(qū)動。并計劃于今日開始出貨。TPD4162F采用新工藝制造，與東芝當前的IPD產(chǎn)品TPD4152F相比可降低功率損耗約10%[1]。這有助于為集成該器件的設備降低總體功率損耗。TPD4162F具有各種控制電路[2]、輸出級安裝了IGBT和FRD。其支持從霍爾傳感器或者霍爾IC直接驅(qū)動帶方波輸入信號的無刷直流電機，無需PWM控制
- 關(guān)鍵字： IPD IGBT IC
華為云和7-Network助力新加坡中小企業(yè)應對疫情
- 新加坡企業(yè)解決方案公司7-Network與華為云共同提供旗艦產(chǎn)品JET Workflow無代碼開發(fā)平臺,免費提供給本地中小型企業(yè),以幫助他們自動化并迅速應對疫情。該站點在必要時提供用于訪客記錄和聯(lián)系人跟蹤的即用型表單,以及用于員工體溫監(jiān)測和疾病報告的系統(tǒng)。華為云正在與新加坡的生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴合作,提供一系列可供所有人使用的數(shù)字解決方案,以及時響應當?shù)刂行∑髽I(yè)保護其員工和企業(yè)的需求。JET Workflow已被列為可供公司采用以幫助應對COVID-19爆發(fā)的業(yè)務運營數(shù)字解決方案包之一。
- 關(guān)鍵字： 華為云 7-Network
東芝面向中大電流IGBT／MOSFET 推出內(nèi)置保護功能的光耦
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“TLP5231”，這是一款面向中大電流絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）和MOSFET的預驅(qū)動光耦，適用于工業(yè)逆變器和光伏（PV）的功率調(diào)節(jié)系統(tǒng)。這款全新的預驅(qū)動光耦內(nèi)置多種功能[1]，其中包括通過監(jiān)控集電極電壓實現(xiàn)過流檢測。產(chǎn)品于今日起開始出貨。新型預驅(qū)動光耦使用外部P溝道和N溝道互補的MOSFET作為緩沖器，來控制中大電流IGBT和MOSFET。目前現(xiàn)有產(chǎn)品[2]需要使用雙極型晶體管構(gòu)成的緩沖電路來實現(xiàn)電流放大，這會在工作中消耗基極電流。新產(chǎn)品能夠
- 關(guān)鍵字： IGBT MOSEFT
Power Integrations出爐簡單易用的SCALE-2即插即用型門極驅(qū)動器，適用于壓接式IGBT模塊
- 中高壓逆變器應用領(lǐng)域門極驅(qū)動器技術(shù)的創(chuàng)新者Power Integrations近日推出1SP0351?SCALE-2?單通道+15/-10V即插即用型門極驅(qū)動器，新產(chǎn)品專為東芝、Westcode和ABB等廠商的新款4500V壓接式IGBT (PPI)模塊而開發(fā)。新的門極驅(qū)動器基于Power Integrations廣泛使用的SCALE-2芯片組設計而成，非常適合HVDC VSC、STATCOM/FACTS和MVD等高可靠性應用。1SP0351驅(qū)動器裝備了動態(tài)高級有源鉗位功能(DAAC)、短路保護
- 關(guān)鍵字： 門極驅(qū)動器 IGBT
工業(yè)電機用功率半導體的動向
- Steven?Shackell? （安森美半導體?工業(yè)業(yè)務拓展經(jīng)理）摘? 要：電動工具用電機正從有刷直流(BDC)轉(zhuǎn)向無刷直流(BLDC)電機；工業(yè)電機需要更高能效的電機，同時 需要強固和高質(zhì)量。安森美以領(lǐng)先的MOSFET、IPM和新的TM-PIM系列賦能和應對這些轉(zhuǎn)變帶來的商機。 關(guān)鍵詞：電機；電動工具；MOSFET；工業(yè)；IGBT；IPM安森美半導體提供全面的電機產(chǎn)品系列，尤其是功 率半導體方面。安森美半導體因來自所有電機類型的 商機感到興奮，并非?？春脽o刷直流電機(BLDC)應用 （例如電動工具），
- 關(guān)鍵字： 202003 電機 電動工具 MOSFET 工業(yè) IGBT IPM
部分Win7用戶遭遇壁紙黑屏問題：疑與終場補丁有關(guān)
- 前不久，Windows 7正式退役，微軟結(jié)束了對這套11年前推出操作系統(tǒng)的免費更新和安全補丁支持。盡管微軟強烈建議用戶升級到Win10或者換用預裝Win10的新PC，可同時強調(diào)，Win7依然可以正常使用，只是時不時地會被微軟彈出全屏“勸退”廣告騷擾之。圖為全屏“勸退”通知本來這已經(jīng)夠讓人討厭了，沒想到還有更狠的。據(jù)網(wǎng)友反饋，打上KB4534310、KB4534314最后兩個安全補丁的Win7系統(tǒng)，遭遇了黑屏問題，不過是單純的壁紙變黑。詭異的是，那些使用組策略改壁紙的用戶同樣受到波及。測試顯示，卸載KB45
- 關(guān)鍵字： 微軟 Windows 7
關(guān)于半橋電路中抗dv/dt噪聲干擾的安全工作區(qū)分析及其解決方案
- 王定良（電子科技大學 電子科學與工程學院，四川 成都 610054） 摘? 要：作為電機驅(qū)動電路的智能功率模塊（IPM）正變得越來越重要，但是越來越快的開關(guān)速度，可能會引起IPM模塊中的IGBT的誤觸發(fā)。另外，過高的dV/dt也會在IGBT關(guān)斷狀態(tài)下產(chǎn)生雪崩擊穿。本文結(jié)合半橋電路的寄生參數(shù)模型，完善傳統(tǒng)公式的推導?；趯脚cIGBT擎住現(xiàn)象的分析，并結(jié)合IGBT的安全工作區(qū)提出了一種根據(jù)dv/dt的大小來動態(tài)擴展IGBT安全工作區(qū)的電路結(jié)構(gòu)，改善了傳統(tǒng)半橋電路工作時的可靠性?！ ￡P(guān)鍵詞：IGBT；
- 關(guān)鍵字： 202002 IGBT 誤觸發(fā) dV/dt 可靠性
東芝面向電壓諧振電路推出新款分立IGBT，有助于降低功耗并簡化設備設計
- 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）近日宣布，推出“GT20N135SRA”，這是一款用于桌面電磁爐、電飯煲、微波爐等家用電器電壓諧振電路的1350V分立IGBT。該產(chǎn)品于今日起開始出貨。?GT20N135SRA產(chǎn)品圖GT20N135SRA的集電極-發(fā)射極的飽和電壓[1]為1.75V，二極管正向電壓[2]為1.8V，分別比東芝當前產(chǎn)品[3]低10%和21%。IGBT和二極管都針對高溫（TC=100℃）條件下的導通損耗特性進行了改進，而且新款I(lǐng)GBT還有助于降低設備功耗。該產(chǎn)品的結(jié)殼熱阻為0
- 關(guān)鍵字： IGBT 分立
CISSOID與國芯科技簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議
- 各行業(yè)所需高溫半導體解決方案的領(lǐng)導者CISSOID近日宣布：在湖南株洲舉行的中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟第五屆國際學術(shù)論壇上，公司與湖南國芯半導體科技有限公司（簡稱“國芯科技”）簽署了戰(zhàn)略合作協(xié)議，將攜手開展寬禁帶功率技術(shù)的研究開發(fā)，充分發(fā)揮其耐高溫、耐高壓、高能量密度、高效率等優(yōu)勢，并推動其在眾多領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應用。近年來，寬禁帶半導體功率器件（如碳化硅SiC和氮化鎵GaN等）憑借多方面的性能優(yōu)勢，在航空航天、電力傳輸、軌道交通、新能源汽車、智能家電、通信等領(lǐng)域開始逐漸取代傳統(tǒng)硅器件。然而，在各類應用中
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