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MOS管功率損耗竟然還可以這么測
- MOSFET/IGBT的開關(guān)損耗測試是電源調(diào)試中非常關(guān)鍵的環(huán)節(jié)，但很多工程師對開關(guān)損耗的測量還停留在人工計(jì)算的感性認(rèn)知上，PFC?MOSFET的開關(guān)損耗更是只能依據(jù)口口相傳的經(jīng)驗(yàn)反復(fù)摸索，那么該如何量化評估呢? 1.1功率損耗的原理圖和實(shí)測圖 一般來說，開關(guān)管工作的功率損耗原理圖如圖?1所示，主要的能量損耗體現(xiàn)在“導(dǎo)通過程”和“關(guān)閉過程”，小部分能量體現(xiàn)在“導(dǎo)通狀態(tài)”，而關(guān)閉狀態(tài)的損耗很小幾乎為0，可以忽略不計(jì)。 ?? 圖?1開關(guān)管工作的功
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IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)圖集錦 —電路圖天天讀（189）
- IGBT應(yīng)用電子電路設(shè)計(jì)圖集錦 —電路圖天天讀（189）-IGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT和MOS組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，它既有功率MOSFET易于驅(qū)動(dòng)，控制簡單、開關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導(dǎo)通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小的顯著優(yōu)點(diǎn)。
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如何確保MOS管工作在安全區(qū)
- 電源工程師最怕什么?炸機(jī)!用著用著就壞了，莫名其妙MOS管就炸了，真是又怕又恨，可到底是哪里出問題了呢?這一切都和SOA相關(guān)?！ ∥覀冎篱_關(guān)電源中MOSFET、 IGBT是最核心也是最容易燒壞的器件。開關(guān)器件長期工作于高電壓大電流狀態(tài)，承受著很大的功耗，一但過壓或過流就會(huì)導(dǎo)致功耗大增，晶圓結(jié)溫急劇上升，如果散熱不及時(shí)，就會(huì)導(dǎo)致器件損壞，甚至可能會(huì)伴隨爆炸，非常危險(xiǎn)。這里就衍生一個(gè)概念，安全工作區(qū)?！ ∫?、什么是安全工作區(qū)? 安全工作區(qū)：SOA(Safe operating&nb
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功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升
- 功率循環(huán)測試助力車用IGBT性能提升-汽車功率電子組件（例如IGBT）的設(shè)計(jì)必須能負(fù)荷數(shù)千小時(shí)的工作時(shí)間和上百萬次的功率循環(huán)，同時(shí)得承受高達(dá) 200℃的溫度。因此產(chǎn)品的可靠性特別關(guān)鍵，而同時(shí)故障成本也會(huì)是一個(gè)很大的問題。隨著工業(yè)電子系統(tǒng)對能量需求的增加，汽車功率電子設(shè)備和組件的供貨商所面臨的最大挑戰(zhàn)就是提供汽車OEM業(yè)者所需更高可靠度的系統(tǒng)。
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工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法
- 工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)IGBT過流和短路保護(hù)的問題及處理方法-工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)的整個(gè)市場趨勢是對更高效率以及可靠性和穩(wěn)定性的要求不斷提高。有關(guān)增加絕緣柵極雙極性晶體管（IGBT）導(dǎo)通損耗的一些權(quán)衡取舍是：更高的 短路電流電平、更小的芯片尺寸，以及更低的熱容量和短路耐受時(shí)間。這凸顯了柵極驅(qū)動(dòng)器電路以及過流檢測 和保護(hù)功能的重要性。以下內(nèi)容討論了現(xiàn)代工業(yè)電機(jī)驅(qū)動(dòng)中成功可靠地實(shí)現(xiàn)短路保護(hù)的問題。
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三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法詳解
- 三種IGBT驅(qū)動(dòng)電路和保護(hù)方法詳解-本文著重介紹三個(gè)IGBT驅(qū)動(dòng)電路。驅(qū)動(dòng)電路的作用是將單片機(jī)輸出的脈沖進(jìn)行功率放大，以驅(qū)動(dòng)IGBT，保證IGBT的可靠工作，驅(qū)動(dòng)電路起著至關(guān)重要的作用，以及對IGBT驅(qū)動(dòng)電路的基本要求。
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幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖
- 幾種IGBT驅(qū)動(dòng)電路的保護(hù)電路原理圖-本文為您介紹幾種常見的IGBT驅(qū)動(dòng)電路原理及其保護(hù)電路，EXB841/840、M57959L/M57962L厚膜驅(qū)動(dòng)電路、2SD315A集成驅(qū)動(dòng)模塊，并附上電路原理圖。
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IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解
- IGBT的結(jié)構(gòu)與各種保護(hù)設(shè)計(jì)方法詳解-GTR和MOSFET復(fù)合，結(jié)合二者的優(yōu)點(diǎn)，具有好的特性。80年代中期問世以來，逐步取代了GTR和一部分MOSFET的市場，中小功率電力電子設(shè)備的主導(dǎo)器件。
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IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法
- IGBT的工作原理和作用以及IGBT管的檢測方法- IGBT就是一個(gè)開關(guān)，非通即斷，如何控制他的通還是斷，就是靠的是柵源極的電壓，當(dāng)柵源極加+12V（大于6V，一般取12V到15V）時(shí)IGBT導(dǎo)通，柵源極不加電壓或者是加負(fù)壓時(shí)，IGBT關(guān)斷，加負(fù)壓就是為了可靠關(guān)斷。
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什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？
- 什么是IGBT？如何使用此模塊實(shí)現(xiàn)“雙面水冷”，IGNT未來的發(fā)展趨勢又是如何？-IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
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電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測試
- 電動(dòng)汽車逆變器用IGBT驅(qū)動(dòng)電源設(shè)計(jì)及可用性測試-電動(dòng)汽車逆變器用于控制汽車主電機(jī)為汽車運(yùn)行提供動(dòng)力，IGBT功率模塊是電動(dòng)汽車逆變器的核心功率器件，其驅(qū)動(dòng)電路是發(fā)揮IGBT性能的關(guān)鍵電路。
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