igbt 7 文章進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區(qū)

基于IGBT模塊的電能質(zhì)量治理設(shè)備能耗狀況及節(jié)能分析

本文重點(diǎn)研究了基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備的能耗狀況及節(jié)能路徑。首先，對典型拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的SVG、APF、MEC在額定輸出工況下的損耗特性進(jìn)行了分析，確定了主要耗能部分;隨后，分析了 IGBT模塊能耗機(jī)理及降耗可行性路徑;最后，總結(jié)出現(xiàn)階段國內(nèi)基于IGBT模塊的電能質(zhì)量類治理設(shè)備降低自身工作能耗的重點(diǎn)改進(jìn)方向。
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安全專家：勒索病毒針對Windows 7系統(tǒng)量身定做

　　北京時間5月19日早間消息，據(jù)安全評級公司BitSight為路透社進(jìn)行的一項(xiàng)調(diào)查顯示，在過去一周時間里遭遇了勒索病毒攻擊的全球電腦中，有三分之二是基于微軟Windows 7操作系統(tǒng)運(yùn)行、且并未進(jìn)行最新的安全更新的電腦。　　研究人員正努力試圖找出WannaCry勒索病毒的早期痕跡，該軟件在受創(chuàng)最深的中國和俄羅斯市場上仍是一種很活躍的威脅。他們認(rèn)為，找出“零號病人”有助于抓到這個軟件的始作俑者。　　在找到缺陷以限制WannaCry勒索病毒傳播的問題上，研究人員的運(yùn)氣則要更好
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Power Integrations推出緊湊、高效的SCALE-iDriver? IC產(chǎn)品系列，可支持1700 V IGBT

　　中高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者今天推出SCALE-iDriver?系列電磁隔離的單通道門極驅(qū)動IC的擴(kuò)展產(chǎn)品。新器件支持耐壓為1700 V以內(nèi)的IGBT，通常適用于400 VAC至690 VAC的應(yīng)用。它們也適用于最新的三電平拓?fù)涔夥孀兤鳎约安捎?500 V新直流母線標(biāo)準(zhǔn)的光伏陣列。擴(kuò)展后的1700 V SCALE-iDriver產(chǎn)品系列允許OEM廠商在各類解決方案中使用相同的高度集成、安全可靠的驅(qū)動器方案。
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全球手機(jī)第一中國卻暴跌！怒換中國總裁

預(yù)計(jì)這家世界頂級的智能手機(jī)和內(nèi)存芯片制造商今年的利潤將創(chuàng)紀(jì)錄，但在智能手機(jī)方面因受到華為、OPPO和vivo的競爭，三星智能手機(jī)的在華銷量已經(jīng)逐漸失去優(yōu)勢，正岌岌可危。
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【E課堂】IGBT淺析，IGBT的結(jié)構(gòu)與工作原理

　　IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上
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提升IGBT自給率給工業(yè)與汽車電子領(lǐng)域一顆“中國芯”

　　半導(dǎo)體分立器件IGBT(絕緣柵雙極型晶體管芯片)潛在市場巨大，在工業(yè)控制、汽車電子、新能源、智能電網(wǎng)應(yīng)用市場廣闊，而中國IC制造芯片廠也正積極尋求突破口，以成熟的工藝制程落地在地生產(chǎn)，提升國產(chǎn)IGBT芯片模塊的自給率。　　IGBT應(yīng)用領(lǐng)域廣泛，堪稱現(xiàn)代功率變流裝置的“心臟”和高端產(chǎn)業(yè)的“核芯”。從傳統(tǒng)的電力、機(jī)械、礦冶，到軌道交通、航空航天、新能源裝備以及特種裝備等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，都有它的身影。　　不過當(dāng)前全球IGBT市場，仍被日、歐、美等IDM
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三菱電機(jī)第7代IGBT技術(shù)

為了應(yīng)對補(bǔ)貼下降帶來的影響，市場對光伏組件和光伏逆變器的成本降低的需求將加強(qiáng)。目前來看，1500V等更高電壓的光伏組件將在成本降低方面將會很大程度上彌補(bǔ)支付補(bǔ)貼的下降。因此，隨著市場的期待，諸如1500V等更高電壓的光伏組件將會加快進(jìn)入到市場的步伐。另外，光伏發(fā)電的效率和可靠性等要求也將相應(yīng)提高，以提高光伏電站的產(chǎn)出，并降低光伏電站和光伏逆變器的維護(hù)成本。因此，新技術(shù)在光伏電站和光伏逆變器中的應(yīng)用需求將不斷加強(qiáng)，并且將促進(jìn)光伏發(fā)電行業(yè)的良性競爭和健康發(fā)展。
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PC產(chǎn)業(yè)寒冬期 Ryzen 7為何能這么火？

面對著AMD的強(qiáng)勢回歸，英特爾自然不會無動于衷，十三年前英特爾被AMD的X86-64架構(gòu)打亂產(chǎn)品規(guī)劃，最終導(dǎo)致IA64架構(gòu)完全失敗的痛苦再次被喚醒，必然會以更強(qiáng)的態(tài)勢反撲，平淡了將近10年的CPU市場，終于再度燃起烽火狼煙。
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全新62mm封裝模塊實(shí)現(xiàn)更高功率密度

　　英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大其62 mm 封裝IGBT模塊陣容。新推出的功率模塊可滿足提高功率密度而不增加封裝尺寸這一與日俱增的需求，這應(yīng)歸功于將更大面積的芯片和經(jīng)改良的DCB襯底應(yīng)用于成熟的62 mm封裝而得以實(shí)現(xiàn)。1200 V阻斷電壓模塊的典型應(yīng)用包括：變頻器、太陽能逆變器和不間斷電源(UPS)，1700 V阻斷電壓模塊則適用于中壓變頻器?！　?200 V阻斷電壓的62 mm模塊的額定電流最高達(dá)到600A，1700 V
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“e星球”領(lǐng)先展商系列報(bào)導(dǎo)——Alpha and Omega

　　Alpha?and?Omega?Semiconductor?(AOS)為集設(shè)計(jì)、開發(fā)與銷售為一體的功率半導(dǎo)體供應(yīng)商,AOS提供廣泛的功率半導(dǎo)體產(chǎn)品線，包括完整的功率MOSFET和電源管理IC(Power?IC)產(chǎn)品系列。其在器件物理，工藝技術(shù)，電路設(shè)計(jì)及封裝設(shè)計(jì)上擁有豐富的經(jīng)驗(yàn)。通過將這些經(jīng)驗(yàn)整合用于產(chǎn)品性能以及成本控制的優(yōu)化，AOS在競爭中顯示出自身的特色。AOS的產(chǎn)品線設(shè)計(jì)的目標(biāo)是滿足日益增長的高產(chǎn)量，高效能產(chǎn)品的應(yīng)用需求，包括手提電腦、平板電視、
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揭秘三星實(shí)驗(yàn)室：Note 7電池是如何測試的？

　　近日，就Galaxy Note 7的自燃原因三星召開說明會，從軟件、硬件、物流和倉儲等各方面上進(jìn)行了全面深刻的調(diào)查，確認(rèn)了導(dǎo)致電池短路的原因。同時，三星也向部分媒體開放了位于韓國龜尾市的大型電池檢測工廠，在這里Note 7經(jīng)歷了更多頻繁的電池測，包括過充測試、穿釘刺測試、極端溫度壓力測試等等。　　圖片中正在進(jìn)行電池測試，確認(rèn)無線充電對Galaxy Note 7的影響　　三星的實(shí)驗(yàn)室中正在測試USB Type-C端口充電。 ? 　　除了硬件電池測試，在軟件算法上同樣有嚴(yán)
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華爾街日報(bào):三星解釋就像被流星擊中兩次那么夸張

　　從發(fā)表日起，拖了近半年的Note 7爆炸召回事件，終于在三星今晨公布調(diào)查報(bào)告之后，看到了一絲即將邁向終點(diǎn)的曙光。然而，三星聯(lián)合第三方機(jī)構(gòu)公布的調(diào)查報(bào)告，足夠取信于人，讓我們相信未來三星的終端產(chǎn)品夠安全嗎?這還很難說! 　　針對三星今晨公布的Note 7調(diào)查報(bào)告，《華爾街日報(bào)》(WSJ)立即進(jìn)行了評論。報(bào)導(dǎo)認(rèn)為，三星公布兩家電池制造商造制造的兩批電池都有問題，這簡直就像你的家被流星擊中兩次那么夸張! 　　在采訪過三星電子行動通訊事業(yè)部總裁高東真(DJ Koh)之后，《華爾街日報(bào)》僅給他們這一次的調(diào)查
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“讓系統(tǒng)具有自愈能力”：基于Artix-7的四核同步模塊化冗余系統(tǒng)

　　冗余系統(tǒng)是為了為增加系統(tǒng)的可靠性，采取兩套或兩套以上相同、相對獨(dú)立配置的設(shè)計(jì)。采取兩套同樣配置的獨(dú)立硬件、軟件或設(shè)計(jì)等，可以做到在其中一套系統(tǒng)出現(xiàn)故障時，另一套系統(tǒng)能立即啟動，代替工作。冗余系統(tǒng)因?yàn)榍捌谕度刖薮?，后期的維護(hù)成本高，所以只有在高風(fēng)險(包括金融風(fēng)險、行政風(fēng)險、管理風(fēng)險以及危及生命安全的風(fēng)險)行業(yè)應(yīng)用比較廣泛，如：金融領(lǐng)域、核安全領(lǐng)域、航空領(lǐng)域、煤礦等領(lǐng)域?！　《鴮τ诠I(yè)界，特別是現(xiàn)在的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)時代，極大部分的公司實(shí)現(xiàn)了自動化生產(chǎn)，控制系統(tǒng)的自動化以及安全穩(wěn)定性對公司的生產(chǎn)經(jīng)營具有極大的影
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英飛凌徐輝：半導(dǎo)體是未來技術(shù)創(chuàng)新發(fā)展的基礎(chǔ)

　　1月14日-15日，2017中國電動汽車百人會論壇在釣魚臺國賓館舉行，騰訊汽車作為戰(zhàn)略合作媒體將進(jìn)行全程直播。會上，英飛凌科技(中國)有限公司大中華區(qū)副總裁徐輝進(jìn)行了主題演講。　　以下為發(fā)言實(shí)錄：　　大家早上好!首先非常開心今天能再次來到百人會的論壇，能分享英飛凌對整個行業(yè)發(fā)展的看法和觀點(diǎn)。　　今天在吳主任的領(lǐng)導(dǎo)下，演講嘉賓分工比較明確，今天我想談一談半導(dǎo)體如何支持整個汽車行業(yè)創(chuàng)新。正好中車的丁總也把功率半導(dǎo)體IGBT這方面講了，我更多從我們的角度出發(fā)，功能安全和信息安全正好分開了，不用重
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中國工程院院士丁榮軍：汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢

　　我的匯報(bào)分三個部分。　　首先簡單介紹汽車功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展趨勢。　　功率半導(dǎo)體器件最早都是由晶閘管后來變成GTO到MOSFET，到現(xiàn)在用得比較多的IGBT器件。IGBT器件跟傳統(tǒng)的器件相比，主要是驅(qū)動比較簡單，同時損耗比較小，比較適合用于牽引傳動包括電機(jī)控制器等。IGBT器件包括原來講的功率半導(dǎo)體器件，都被譽(yù)為傳統(tǒng)系統(tǒng)，在高鐵里一樣，把它稱之為“心臟”。它主要起到能量傳輸和能量的點(diǎn)的轉(zhuǎn)換，是電機(jī)控制系統(tǒng)的CPU。　　目前電動汽車器件大概占到控制器總成本的30%左右
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