igbt 7 文章 進(jìn)入igbt 7技術(shù)社區(qū)
新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心成立
- “新型功率半導(dǎo)體器件及應(yīng)用創(chuàng)新中心的成立，將推動(dòng)形成‘技術(shù)創(chuàng)新—轉(zhuǎn)化—規(guī)模化應(yīng)用—投資再創(chuàng)新’的閉環(huán)，推動(dòng)創(chuàng)新成果在先進(jìn)軌道交通、智能電網(wǎng)、消費(fèi)電子、電動(dòng)汽車等重要領(lǐng)域的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用。”日前，在湖南株洲召開的“湖南省IGBT產(chǎn)業(yè)對接會(huì)”上，中國工程院院士、中國IGBT技術(shù)創(chuàng)新與產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟理事長丁榮軍說。 新型功率半導(dǎo)體是關(guān)系國民經(jīng)濟(jì)命脈的共性關(guān)鍵技術(shù)，涉及先進(jìn)軌道交通裝備、節(jié)能與新能源汽車、電
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iPhone X雖然賣得貴 但利潤率遠(yuǎn)低于iPhone 7
- 北京時(shí)間9月18日晚間消息，分析人士周一指出，雖然iPhone X售價(jià)超過1000美元，但其利潤率卻遠(yuǎn)低于當(dāng)前的iPhone 7。 蘋果去年發(fā)布的iPhone 7的起始售價(jià)為650美元，而剛剛發(fā)布的iPhone X的起始售價(jià)為999美元。與此同時(shí)，金融服務(wù)公司海納國際集團(tuán)(Susquehanna International Group)數(shù)據(jù)顯示，iPhone X的零部件成本高達(dá)581美元，而iPhone 7零部件成本僅為248美元。 這種較大的成本差距意味著，iPhone X的利潤率要低于
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給世界一顆“中國芯”
- 一個(gè)國家老工業(yè)城市如何在新時(shí)期取得成功? 美國硅谷的經(jīng)驗(yàn)值得我們借鑒。第三次科技革命以來，硅谷不斷創(chuàng)造和孕育出世界上最偉大的公司，并不斷匯聚世界各地的人才、技術(shù)和資本，歷經(jīng)歲月變遷而始終屹立于世界科技浪潮的前沿。硅谷的創(chuàng)新覆蓋了很多領(lǐng)域(互聯(lián)網(wǎng)、通信、生物制藥、電動(dòng)汽車等)，以至于很難講它的支柱產(chǎn)業(yè)是什么。 硅谷的成功源于它唯一且持之以恒的核心競爭力——創(chuàng)新。 如今，中國內(nèi)陸的老工業(yè)基地株洲，也開始了基于創(chuàng)新的城市全方位轉(zhuǎn)型升級。這座素有“動(dòng)力之都
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250萬刀定制副屏花得值！魅族PRO 7 Plus拆解
- 7月26日，魅族年度旗艦PRO 7 Plus正式亮相，這是魅族史上最獨(dú)特的一款旗艦(當(dāng)然，一同亮相的還有小屏PRO 7，今天我們單講PRO 7 Plus)。 外觀方面，它采用了別具一格的雙屏設(shè)計(jì)，全金屬機(jī)身+U型天線得到完美傳承，并首次加了雙攝像頭，而且新旗艦還加入了金屬拉絲工藝，無論是手感還是視覺都非常出色?！ ∨渲梅矫?，魅族PRO 7 Plus采用了5.7英寸2K顯示屏，搭載聯(lián)發(fā)科H
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魅族PRO 7發(fā)布：前后雙屏 2880元起售
- 大概是手機(jī)市場實(shí)在太少與眾不同的創(chuàng)新了，從魅族 PRO 7的第一張?jiān)O(shè)計(jì)圖曝光開始，獨(dú)特的雙屏設(shè)計(jì)就瞬間抓住了所有人的眼球，7月26日，這款機(jī)器終于在珠海大劇院伴隨著交響樂演奏正式發(fā)布，傳聞中的雙屏、雙攝像頭如約而至，魅族PRO 7 Plus也一同亮相。 PRO 7的機(jī)身厚度為7.3mm，配有正反兩塊顯示屏。主屏幕是一塊5.2英寸全高清的Super AMOLED 屏幕，PRO 7 Plus則是5.7英尺2K屏幕。機(jī)身的背面攝像頭下方加入了一塊1.9英尺的彩色AMOLED
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東芝推出具有2.5A峰值輸出電流、采用低高度封裝的柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器
- 東芝公司旗下存儲與電子元器件解決方案公司今日宣布推出采用低高度SO8L封裝的新型柵極驅(qū)動(dòng)光電耦合器“TLP5832”。該產(chǎn)品提供2.5A峰值輸出電流，可直接驅(qū)動(dòng)中級IGBT。出貨即日啟動(dòng)?！ ⌒翴C采用SO8L封裝，封裝高度比東芝采用SDIP6和DIP8(LF1選項(xiàng))封裝的現(xiàn)有產(chǎn)品降低約54%，可為封裝高度有限的電路板安裝提供支持，同時(shí)有助于實(shí)現(xiàn)芯片組小型化。盡管尺寸小，但是該IC可保證爬電距離和至少8mm的電氣間隙，使其適合需要高隔離性能的應(yīng)用?！ 〈送猓撔滦蜄艠O驅(qū)動(dòng)光電耦合器可在–40至+110
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【E問E答】如何減輕米勒電容所引起的寄生導(dǎo)通效應(yīng)
- 當(dāng)IGBT在開關(guān)時(shí)普遍會(huì)遇到的一個(gè)問題即寄生米勒電容開通期間的米勒平臺。米勒效應(yīng)在單電源門極驅(qū)動(dòng)的應(yīng)用中影響是很明顯的。基于門極G與集電極C之間的耦合，在IGBT關(guān)斷期間會(huì)產(chǎn)生一個(gè)很高的瞬態(tài)dv/dt，這樣會(huì)引發(fā)門極VGE間電壓升高而導(dǎo)通，這是一個(gè)潛在的風(fēng)險(xiǎn)(如圖1)?！ ?nbsp; 圖1：下管IGBT因?yàn)榧纳桌针娙荻饘?dǎo)通 寄生米勒電容引起的導(dǎo)通 在半橋拓?fù)渲?，?dāng)上管IGBT(S1)正在導(dǎo)通， 產(chǎn)生變化的電壓dV/dt加在下管IGBT(S1)C-E間。電流流經(jīng)S
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采用TO-247PLUS封裝的高功率密度單管IGBT
- 英飛凌科技股份公司進(jìn)一步壯大1200 V單管IGBT產(chǎn)品組合陣容，推出最高電流達(dá)75 A的新產(chǎn)品系列。TO-247PLUS封裝同時(shí)還集成全額定電流反并聯(lián)二極管。全新TO-247PLUS 3腳和4腳封裝可滿足對更高功率密度和更高效率不斷增長的需求。需要高功率密度1200VIGBT的典型應(yīng)用包括變頻器、光伏逆變器和不間斷電源(UPS)。其他應(yīng)用包括電池充電和儲能系統(tǒng)?！ ∠啾瘸Ｒ?guī)TO-247-3封裝而言，全新TO-247PLUS封裝可實(shí)現(xiàn)雙倍額定電流。由于去除了標(biāo)準(zhǔn)TO-24
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格芯推出面向數(shù)據(jù)中心、機(jī)器學(xué)習(xí)和5G網(wǎng)絡(luò)的7納米專用集成電路平臺
- 格芯今日宣布推出其基于7納米FinFET工藝技術(shù)的FX-7TM專用集成電路(ASIC)。FX-7是一個(gè)集成式設(shè)計(jì)平臺，將先進(jìn)的制造工藝技術(shù)與差異化的知識產(chǎn)權(quán)和2.5D/3D封裝技術(shù)相結(jié)合，為數(shù)據(jù)中心、機(jī)器學(xué)習(xí)、汽車、有線通信和5G無線應(yīng)用提供業(yè)內(nèi)最完整的解決方案?！ 』贔X-14的持續(xù)成功，憑借業(yè)內(nèi)領(lǐng)先的56G SerDes技術(shù)和專用集成電路專長，F(xiàn)X-7提供包括高速SerDes(60G, 112G)在內(nèi)的全方位定制接口知識產(chǎn)權(quán)和差異化存儲解決方案，涵蓋低功耗SRAM、高性能嵌入
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IGBT產(chǎn)業(yè)研究:中國“芯”希望
- 2017年開年以來有這樣一些事件進(jìn)入我們的視線:①2月,IGBT等電力電子功率器件被列入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》。②3月14日,捷捷微電上市,主營晶閘管等功率半導(dǎo)體器件的研發(fā)生產(chǎn)和銷售。③5月,國家科技重大專項(xiàng)(02專項(xiàng))實(shí)施管理辦公室驗(yàn)收中環(huán)股份“區(qū)熔硅單晶片產(chǎn)業(yè)化技術(shù)與國產(chǎn)設(shè)備研制”項(xiàng)目。④5月17日,國電南瑞公布非公開發(fā)行預(yù)案,募集配套中16.4億元用于IGBT模塊產(chǎn)業(yè)化項(xiàng)目。 一直以來,IGBT技術(shù)被國外半導(dǎo)體廠商壟斷,截至2015年我國IGBT市
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基于風(fēng)電系統(tǒng)單體變流器的結(jié)構(gòu)應(yīng)用設(shè)計(jì)
- 本文介紹了風(fēng)電變流器核心組成部分的單體變流器在機(jī)柜結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中空間狹小、工作環(huán)境惡劣等特點(diǎn)，本文進(jìn)行了結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)分析。主要內(nèi)容包括：單體變流器的組成布局、功率器件維護(hù)、結(jié)構(gòu)受力，以及可維護(hù)性等。
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IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用、工作特性與使用要求
- IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用： IGBT驅(qū)動(dòng)電路的作用主要是將單片機(jī)脈沖輸出的功率進(jìn)行放大，以達(dá)到驅(qū)動(dòng)IGBT功率器件的目的。在保證IGBT器件可靠、穩(wěn)定、安全工作的前提，驅(qū)動(dòng)電路起到至關(guān)重要的作用。 IGBT的工作特性： IGBT的等效電路及符合如圖1所示,IGBT由柵極正負(fù)電壓來控制。當(dāng)加上正柵極電壓時(shí),管子導(dǎo)通;當(dāng)加上負(fù)柵極電壓時(shí),管子關(guān)斷?！ ? ? IGBT具有和雙極型電力晶體管類似的伏安特性,隨著控制電壓UGE的增加,特性曲線上移。開關(guān)電源中的IGBT通過UGE電平
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