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問專家提問-當(dāng)我并聯(lián)連接兩顆或更多顆IGBT時需要顧及些什么？
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三星今年直接發(fā)布Note 7 與Galaxy S7看齊
- 北京時間5月25日晚間消息，國外媒體報(bào)道，來自韓國業(yè)界的可靠消息稱，三星今年晚些時候即將發(fā)布的Galaxy Note系列旗艦平板手機(jī)將被命名為Galaxy Note 7?！ ∪侨ツ臧l(fā)布了Galaxy Note 5，按照之前的命名順序，今年的新產(chǎn)品應(yīng)該命名為Galaxy Note 6。但知情人士稱，為了與今年早些時候發(fā)布的Galaxy S7系列手機(jī)保持一致，即將發(fā)布的Galaxy Note系列手機(jī)將被命名為Galaxy Note 7，而不是Galaxy Note 6?！ ≡撝槿耸糠Q，讓Galaxy
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Mentor為EV/HEV用IGBT推出600A仿真和測試設(shè)備
- Mentor Graphics公司近日宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的IGBT的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導(dǎo)體器件(如IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務(wù)來說至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。 “中國三類客戶對此會有感興趣：1.一些OEM廠商自己在做IGBT;2.企
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Mentor Graphics 推出獨(dú)特的 MicReD Power Tester 600A 解決方案，用于解決電動和混合動力車 IGBT 熱可靠性問題
- Mentor Graphics公司今天宣布推出全新的 MicReD® Power Tester 600A 產(chǎn)品，其在功率循環(huán)中能測試電動和混合動力車 (EV/HEV) 的功率半導(dǎo)體器件的可靠性。借助 MicReD Power Tester 600A 產(chǎn)品，EV/HEV 研發(fā)和可靠性工程師能測試功率半導(dǎo)體器件(如絕緣柵雙極性晶體管 – IGBT、MOSFET、晶體管以及充電器)，以便檢查對完成任務(wù)來說至關(guān)重要的熱可靠性和生命周期性能。熱可靠性問題可能導(dǎo)致需要召回 EV/HEV 汽車，
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Fairchild推出適用于混合動力電動汽車和純電動汽車應(yīng)用的分立式IGBT
- 隨著Fairchild最新汽車創(chuàng)新產(chǎn)品的上市，汽車制造商及其供應(yīng)商在牽引逆變器 和其他電機(jī)驅(qū)動的元件方面將擁有更多的選擇 全球領(lǐng)先的高性能功率半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Fairchild 今天發(fā)布了新產(chǎn)品，即適用于混合動力電動汽車(HEV)、充電式混合動力電動汽車(PHEV)和電動汽車(EV)應(yīng)用的新型分立式IGBT和二極管和裸片，從而擴(kuò)展了其不斷增加的汽車級半導(dǎo)體解決方案產(chǎn)品組合。 這些IGBT和二極管非常適合牽引逆變器，牽引逆變器是所有HEV、PHEV和EV的核心組件，能夠?qū)㈦姵?/li>
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中
- 中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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Power Integrations推出革命性的SCALE-iDriver IC，將高可靠性的SCALE-2驅(qū)動器技術(shù)引入到1200 V應(yīng)用中
- 中等電壓和高壓逆變器應(yīng)用領(lǐng)域IGBT和MOSFET驅(qū)動器技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)者Power Integrations今日推出一系列輸出電流介于2.5 A和8 A之間的電氣絕緣的單通道門極驅(qū)動器IC，8 A是目前業(yè)內(nèi)不采用外部推動級的最大輸出電流。SCALE-iDriver? IC可同時為IGBT和MOSFET提供驅(qū)動，也是首款將Power Integrations首創(chuàng)的FluxLink?磁感雙向通信技術(shù)引入1200 V驅(qū)動器應(yīng)用的產(chǎn)品。Flux
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解析IGBT的工作原理及作用
- 本文通過等效電路分析，通俗易懂的講解IGBT的工作原理和作用，并精簡的指出了IGBT的特點(diǎn)?？梢哉f，IGBT是一個非通即斷的開關(guān)，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。 IGBT(絕緣柵雙極型晶體管)，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動電流較大;MOSFET驅(qū)動功率很小，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。
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蘋果業(yè)績很糟糕 但華爾街看好iPhone 7
- 蘋果周二晚間發(fā)布了第二財(cái)季財(cái)報(bào)，業(yè)績相當(dāng)糟糕。蘋果第二財(cái)季營收為506億美元，同比減少13%;第二財(cái)季每股收益1.90美元，同比減少22%。這樣的業(yè)績顯然未能達(dá)到華爾街的預(yù)期。 但 是華爾街的分析師們在最新投資者報(bào)告中依然看好蘋果。他們在周三早上發(fā)布的投資者報(bào)告中指出，iPhone銷量下滑固然是個不好的消息，而且也許本財(cái)年剩 余時間的iPhone銷量可能還會下滑，但是市場已經(jīng)消化了這一因素并且反映到股價(jià)上。分析師們把眼光放到了蘋果計(jì)劃在秋季推出的iPhone 7上，他們相信這款新產(chǎn)品會推動iPh
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工業(yè)強(qiáng)基：工信部今年打算怎么干？
- 工業(yè)基礎(chǔ)能力不強(qiáng)，關(guān)鍵核心零部件受制于人，工業(yè)發(fā)展如何補(bǔ)短板?解放日報(bào)·上海觀察從國家工信部12日發(fā)布的《工業(yè)強(qiáng)基2016專項(xiàng)行動實(shí)施方案》獲悉，今年工信部將推動重點(diǎn)領(lǐng)域發(fā)展，實(shí)施“一攬子”突破行動，重點(diǎn)突破40種左右標(biāo)志性核心基礎(chǔ)零部件(元器件)、關(guān)鍵基礎(chǔ)材料、先進(jìn)基礎(chǔ)工藝。 ? “工業(yè)大而不強(qiáng)”，是我國工業(yè)發(fā)展的總體現(xiàn)狀。上海機(jī)床廠剛剛下線的國內(nèi)首臺進(jìn)入汽車主機(jī)廠發(fā)動機(jī)生產(chǎn)線的“MK8220/S
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